Завантажити PDF файл.

Текст

Напівпровідникове кисневе скло, яке містить склоутворювач В2О3 та домішки, яке відрізняється тим, що як модифікатор використовують ВаО та домішки CuO й HgO, за такого співвідношення компонентів, мас. %: B2О3 29-74 ВаО 15-31 CuO 10-24 HgO 5-15 (19) (21) 99115994 (22) 02.11.1999 (24) 16.04.2001 (33) UA (46) 16.04.2001, Бюл. № 3, 2001 р. (72) Пономаренко Ольга Михайлівна, Новікова Лідія Володимирівна, Новіков Олександр Олександрович (73) Херсонський державний технічний університет 36106 Приклад 2. Готують водний розчин гідроксидів барію 27 мас. %, міді 19 мас. %., ртуті 9 мас. %. У підготовлений розчин додають борну кислоту 45 мас. %, при цьому утворюється гель. Отриманий гель наносять на діелектричні поверхні, що потребують захисту від ЕМВ. Склоутворювання на поверхні проводять у печі при температурі 675725°С протягом 15 хвилин. Даний склад містить оптимальну кількість склоутворювача, модифікатора та домішок, що дозволяє отримати однорідну скляну плівку, стійку до зовнішнього впливу. Состав, мас. % 15ВаО-10СuО-5НgО-70В2O3 27BaO-19CuO-9HgO-45B2O3 30ВаО-25СuО-15НgО-30В2O3 Приклад 3. Готують водний розчин гідроксидів барію 30 мас. %, міді 25 мас. %., ртуті 15 мас. %. У підготовлений розчин додають борну кислоту 30 мас. %, при цьому утворюється гель. Отриманий гель наносять на діелектричні поверхні, що потребують у захисті від ЕМВ. Склоутворювання на поверхні проводять у печі при температурі 700750°С протягом 15 хвилин. Мінімальна дозволена кількість склоутворювача та велика кількість модифікатора та домішок створює умови до сильної ліквації скляних плівок. N (показник надлом- К (коеф. поглинан- R (коеф. відбиваалення) ня), ДБ ня), ДБ 1,84 28,86 15,44 1,73 25,13 17,71 1,87 26,71 15,45 Висновок: Оптимальним із запропонованих, вибраний склад № 2 тому, що дає можливість отримання скляної плівки із заданими відбиваючими властивостями. Усяке відхилення від складу не дає можливості отримання скляної плівки з відбиваючими властивостями. У результаті дослі дження цей склад може бути використаний у промисловості. Отримані скляні плівки зарекомендували себе, як фізично та хімічно стійки покриття, які здатні відбивати електромагнітне випромінювання у НВЧ діапазоні, що визначає його промислове використання. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 2

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Semiconducting oxygen glass

Автори англійською

Ponomarenko Olha Mykhailivna, Novykova Lidiia Volodymyrivna, Novikov Oleksandr Oleksandrovych

Назва патенту російською

Полупроводниковое кислородное стекло

Автори російською

Пономаренко Ольга Михайловна, Новикова Лидия Владимировна, Новиков Александр Александрович

МПК / Мітки

МПК: C03C 3/12, H01L 21/473

Мітки: напівпровідникове, скло, кисневе

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-36106-napivprovidnikove-kisneve-sklo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Напівпровідникове кисневе скло</a>

Подібні патенти