Патенти з міткою «кисневе»

Номер патенту: 76771

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Новікова Лідія Володимирівна, Короленко Олександр Валентинович, Новіков Олександр Олександрович

МПК: C03C 4/00, C03C 11/00

Мітки: напівпровідникове, кисневе, піноскло

Формула / Реферат:

Напівпровідникове кисневе піноскло, яке містить склоутворювач - В2О3, модифікатор - ВаО, та спінювач - силікат системи Na2O-SіО2, яке відрізняється тим, що додатково містить СuО, при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: В2O3 29-33 BaO 31-34 CuO 10-12 силікат системи Na2O-SiO2 21-30.

Номер патенту: 57441

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Короленко Олександр Валентинович, Новікова Лідія Володимирівна, Новіков Олександр Олександрович

МПК: C03C 11/00

Мітки: піноскло, напівпровідникове, кисневе

Формула / Реферат:

Напівпровідникове кисневе піноскло, яке містить склоутворювач В2О3, модифікатор ВаО, домішку С, яке відрізняється тим, що як гелеутворювач і спінювач використовують силікат натрію Na2O і SiO2 при такому співвідношенні компонентів, мас. %: В2О3 29-33 ВаО 31-34 С 10-12 Na2O 10,5-15 SiO2 ...

Номер патенту: 36106

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Пономаренко Ольга Михайлівна, Новікова Лідія Володимирівна, Новіков Олександр Олександрович

МПК: H01L 21/473, C03C 3/12

Мітки: напівпровідникове, скло, кисневе

Текст:

...15 мас. %. У підготовлений розчин додають борну кислоту 30 мас. %, при цьому утворюється гель. Отриманий гель наносять на діелектричні поверхні, що потребують у захисті від ЕМВ. Склоутворювання на поверхні проводять у печі при температурі 700750°С протягом 15 хвилин. Мінімальна дозволена кількість склоутворювача та велика кількість модифікатора та домішок створює умови до сильної ліквації скляних плівок. N (показник надлом- К (коеф....