H01L 23/00 — Деталі й конструктивні елементи напівпровідникових приладів або інших приладів на твердому тілі

Номер патенту: 102565

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Дзензерський Віктор Олександрович, Соколовський Іван Івановіч, Погоріла Любов Михайлівна, Лавріч Юрій Миколайович, Соколовський Сергій Сергійович

МПК: H01L 31/00, H01L 23/00, C01B 33/00 ...

Мітки: оптико-мікрохвильовий, перетворювач

Формула / Реферат:

Оптико-мікрохвильовий перетворювач сонячного випромінювання оптичного діапазону в мікрохвильове випромінювання, який містить металеву пластину, що служить тильним струмознімальним електродом, фронтальний струмознімальний електрод, шари кремнію p-типу і n-типу, р-n перехід між ними, при цьому шар кремнію n-типу звернений до металевої пластини, електропровідне просвітлювальне покриття, що примикає до шару кремнію n-типу і фронтального...

Номер патенту: 32856

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Пименов Олександр Валентинович, Рудаков Валерій Петрович, Гурманкін Ігор Григорович, Нагорний Михайло Олександрович, Пименов Валентин Миколайович, Шевцов Євген Володимирович

МПК: H01L 23/00

Мітки: напівпровідниковий, пристрій, вибухобезпечний

Формула / Реферат:

1. Вибухобезпечний напівпровідниковий пристрій, що містить вибухобезпечний корпус, розділений внутрішніми вибухонепроникними перегородками на окремі відсіки і кабельні коробки введення і виводу, в яких встановлені прохідні струмопровідні затискачі, силові комутаційні апарати, струмопровідні шини, з'єднані із згаданими затискачами, силовий напівпровідниковий блок із системою керування, розміщений в окремому відсіку, пристрій захисту,...

Номер патенту: 29640

Опубліковано: 15.11.2000

Автор: Шульга Григорій Федорович

МПК: H01L 23/00, H05K 7/20

Мітки: перетворювач, напівпровідниковий

Текст:

...расположении блоков, для замены тиристоров необходимо специальное устройство для снятия веса вышеустановленных вентилей и радиаторов. К тому же, элементы защиты, сигнализации, передачи и приема импульсов управления каждого блока в прототипе размещены на нескольких вертикальных панелях, что вызывает значительные материало и трудозатраты, наличие поворотной рамы и большого количества межпанельных разъемных и неразъемных гибких электрических...

Номер патенту: 19080

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Козловський Сергій Іванович, Романов Валентин Олександрович, Бабічев Геннадій Григорович

МПК: H01L 23/00

Мітки: напівпровідників, деталей, металами, з'єднування, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ соединения деталей полупроводников или полупроводников с металлами, включающий выращивание слоя диоксида кремния на поверхности, по крайней мере, одной из соединяемых деталей, легирование слоя диоксида кремния путем предварительного нагрева слоя, нанесения водного раствора, содержащего химическое соединение с щелочным металлом, и отжига, контактирование соединяемых деталей, приложение давления, нагрев, создание разности потенциалов...