Патенти з міткою «напівпровідників»

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Тору Аокі, Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: H01L 21/00, C30B 11/00

Мітки: лазера, шару, генерованими, поверхневого, групи, напівпровідників, рідкому, деформаційними, середовищі, наносекундними, а2в6, легування, твердофазного, спосіб, хвилями, імпульсами, елементами, ударними

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Номер патенту: 116894

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович, Кудринський Захар Русланович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: B82B 3/00, H01L 21/288

Мітки: наночастинок, мeno3, виготовлення, а3в6, матеріалів, нанокомпозитних, мек, іонотронних, іонних, солей, основі, напівпровідників, спосіб, шаруватих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення іонотронних нанокомпозитних матеріалів на основі 2D наночастинок шаруватих напівпровідників А3В6 і іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs), що ґрунтується на методі впровадження розплавів цих солей у міжшаровий простір об'ємних (3D) монокристалів А3В6, який відрізняється тим, що процес впровадження розплавів іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs) в кристали А3В6 проводять при значеннях температури, які перевищують значення...

Номер патенту: 114980

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Курбатов Денис Ігорович, Опанасюк Анатолій Сергійович, Д'яченко Олексій Вікторович

МПК: B05B 5/00

Мітки: розчинів, автоматизований, твердих, методом, напівпровідників, нанесення, пристрій, безвакуумним, плівок

Формула / Реферат:

Автоматизований пристрій для нанесення плівок напівпровідників та їх твердих розчинів безвакуумним методом, що містить камеру розпилювання, систему нагріву підкладки та систему розпилення з форсункою, який відрізняється тим, що камера розпилювання виконана герметичною і до неї приєднані газовий балон, блок керування та датчик газу з клапаном, що встановлений у вентиляційний отвір, а всередині металевої камери встановлена система нагріву...

Номер патенту: 102232

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Криськів Світлана Казимирівна, Вікулін Іван Михайлович, Коробіцин Борис Васильович

МПК: G01R 31/28, H01L 27/00

Мітки: забороненої, визначення, спосіб, ширини, напівпровідників, зони

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідників за вимірянням вольтамперних характеристик при двох температурах, який відрізняється тим, що на гомогенних p-n-структурах при двох невисоких температурах кімнатній та вищій на 30…50 °C, вимірюються вольт-амперні характеристики при струмах, що відповідають лінійній ділянці, з котрих екстраполяцією до нуля струму визначаються струмові напруги відсічки і по отриманій формулі...

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Саченко Анатолій Васильович, Болтовець Микола Силович, Іванов Володимир Миколайович, Ткаченко Олександр Кирилович, Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Шеремет Володимир Миколайович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Конакова Раїса Василівна, Пилипчук Олександр Сергійович, Новицький Сергій Вадимович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 21/268

Мітки: спосіб, контакту, низькотемпературного, типу, напівпровідників, омічного, створення, а3в5

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 76662

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Федоренко Петро Петрович, Шишкін Геннадій Олександрович, Скляр Олександр Григорович

МПК: H01L 31/00

Мітки: дослідження, напівпровідників, фотопровідності, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для дослідження фотопровідності напівпровідників, що має блок живлення, блок регулятора напруги (потенціометр), вимірювальні прилади (вольтметр, мікроамперметр), який відрізняється тим, що він забезпечений блоком світлодіодів, перший вхід якого зв'язаний з блоком живлення, другий вхід - з блоком керування світлодіодами, а вихід - з блоком фоторезисторів, один вхід якого зв'язаний з виходом блока регулювання напругою, а другий вхід -...

Номер патенту: 76300

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Олійник Сергій Володимирович, Терзін Ігор Сергійович, Шматко Олександр Олександрович, Полубояров Олексій Олександрович, Чугай Олег Миколайович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович

МПК: G01R 31/26

Мітки: вимірювання, спосіб, твердих, питомого, розчинів, електроопору, напівпровідників, високоомних

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання в низькочастотній області тангенса кута діелектричних втрат  та електроємності  вимірювального конденсатора, який утворено за допомогою плоских електродів, діелектричних шарів та досліджуваного зразка;...

Номер патенту: 71287

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Прокоф'єв Михайло Іванович, Зіньковський Юрій Францевич, Зінченко Максим В'ячеславович

МПК: G01S 13/00, G01S 13/75, G01S 7/292 ...

Мітки: розсіювачів, напівпровідників, спотворення, інерційністю, спосіб, характеристик, селекції, вольт-амперних, процесів, нелінійних

Формула / Реферат:

Спосіб селекції нелінійних розсіювачів за інерційністю процесів спотворення вольт-амперних характеристик напівпровідників, що включає опромінювання нелінійного розсіювача двома зондуючими сигналами, приймання та реєстрацію кратної гармоніки як  сигналу відгуку, який відрізняється тим, що для виявлення та ідентифікації нелінійних розсіювачів, при почерговому опромінюванні двома зондуючими сигналами, різними за рівнями потужності та значеннями...

Номер патенту: 68748

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Масол Ігор Віталійович, Осінський Володимир Іванович, Дяченко Ольга Дмитрівна, Демінський Петро Віталійович

МПК: H01L 21/208

Мітки: напівпровідників, пристрій, підкладок, отримання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для отримання підкладок напівпровідників, що містить підкладку з ростовими комірками, тримач підкладок, маніпулятор, систему управління, систему забезпечення технологічного середовища, який відрізняється тим, що система забезпечення технологічного середовища виконана із системи гетероепітаксійного росту напівпровідників, зокрема нітридів галію, індію і алюмінію, розрахована на епітаксійний ріст напівпровідникових структур з...

Номер патенту: 61621

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Мілєнін Віктор Володимирович

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічних, широкозонних, створення, спосіб, контактів, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Чугай Олег Миколайович, Морозов Дмитро Сергійович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович

МПК: G01R 31/26

Мітки: вимірювання, високоомних, напівпровідників, розчинів, електроопору, спосіб, твердих, питомого

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Номер патенту: 43410

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Плахотнюк Максим Миколайович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ

МПК: H01L 21/70

Мітки: параметрів, напівпровідників, мікроелектронний, прозорих, оптично, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

Мікроелектроний пристрій для контролю параметрів оптично прозорих напівпровідників, який містить джерело світла, оптично зв'язане з фокусуючою системою, джерело живлення і систему контактів, з'єднаних із зразком, який відрізняється тим, що в нього введено мікроелектронний частотний перетворювач, що містить дільник напруги з двох резисторів, польовий та біполярний транзистори, індуктивність, ємність, резистор і два джерела постійної напруги,...

Номер патенту: 41139

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Ковальчук Мирослав Любомирович, Раренко Іларій Михайлович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідників, монокристалів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів напівпровідників заданої форми та кристалографічної орієнтації з повним використанням розплаву, зокрема вісмуту, що включає нагрів до розплавлення вихідного матеріалу в тиглі, який обертається, затравлення на монокристалічну затравку, що також обертається та опускається в розплав штоком, розрощування монокристала з одночасним витягуванням, який відрізняється тим, що при досягненні діаметра кристала близько...

Номер патенту: 79638

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Лоп'янко Михайло Антонович, Никируй Ростислав Іванович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/02

Мітки: напівпровідників, спосіб, нанокристалів, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників у вакуумі із парової фази методом гарячих стінок на підкладках, який відрізняється тим, що вздовж стінок циліндричної камери створюють градієнт температури, а підкладки розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери.2. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників за п.1, який відрізняється тим, що нанокристали вирощують в області критичного перерізу пари, яка близька до...

Номер патенту: 20263

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Гетманець Олег Михайлович, Пеліхатий Микола Михайлович

МПК: C30B 30/00, C30B 31/00

Мітки: спосіб, методом, напівпровідників, зовнішньому, полі, металевих, віддачі, легування, атомів, плівок, електричному

Формула / Реферат:

Спосіб легування напівпровідників методом атомів віддачі з металевих плівок в зовнішньому електричному полі в процесі опромінювання системи метал-напівпровідник пучком прискорених іонів при впливі на систему імпульсу напруги, який відрізняється тим, що величину й напрям зовнішнього електричного поля в процесі легування змінюють, при цьому цілеспрямовано змінюють профіль концентрації атомів віддачі в напівпровіднику.

Номер патенту: 46513

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Бобицький Ярослав Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Вахняк Надія Дмитрівна, Крюченко Юрій Володимирович, Крилюк Сергій Георгійович

МПК: H01L 21/04

Мітки: виготовлення, х-випромінювання, напівпровідників, детектора, основі, високоомних, cdznte, сdte, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора  - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv  Eg  і густиною...

Номер патенту: 43935

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Морозов Володимир Олексійович, Малютенко Володимир Костянтинович, Мороженко Василій Олександрович, Омеляновській Еразм Михайлович, Глушков Євгеній Олександрович, Болгов Сергій Семенович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, напівпровідників, однорідності, контролю

Формула / Реферат:

Формула изобретения1. Способ контроля однородности полупроводников, включающий изготовление пластины полупроводника толщиной 1, определяемой соотношением a×1<<1, где a - коэффициент поглощения излучения на свободных носителях заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности при сохранении высокой точности, пластину нагревают до температуры выше фоновой, регистрируют тепловое изображение образца и по...

Номер патенту: 24110

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Сумська Тамара Севастянівна, Челюбєєв Віктор Миколайович, Іванов Володимир Миколайович, Яшнік Владілен Макарович

МПК: H01L 21/24, H01L 21/18

Мітки: матрично-капельного, напівпровідників, формування, спосіб, контакту

Текст:

...на очищенную поверхность полупроводника эвтектического сплава толщиной 3 0 150 нм с прследующим нагревом до 900-1000°С в течение не более 30 с н охлаждением в течение не более 30 с д о температуры термообработки а После чего осаждают барьерный слой с предварительной выдержкой системы при температуре термообработки в т е чение 0 , 5 - 5 контактом методом магнетронного н а пыления в вакууме осаждают барьерные слои Аи (50 нм) - Мо (100 нм) -...

Номер патенту: 19080

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Козловський Сергій Іванович, Бабічев Геннадій Григорович, Романов Валентин Олександрович

МПК: H01L 23/00

Мітки: спосіб, деталей, з'єднування, напівпровідників, металами

Формула / Реферат:

1. Способ соединения деталей полупроводников или полупроводников с металлами, включающий выращивание слоя диоксида кремния на поверхности, по крайней мере, одной из соединяемых деталей, легирование слоя диоксида кремния путем предварительного нагрева слоя, нанесения водного раствора, содержащего химическое соединение с щелочным металлом, и отжига, контактирование соединяемых деталей, приложение давления, нагрев, создание разности потенциалов...

Номер патенту: 11658

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Любченко Олексій Вікторович, Сальков Євген Андрійович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Ергаков Валерій Костянтинович, Лукинський Юрій Леонідович, Рябіков Віктор Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, напівпровідників, контролю, параметрів, електрофізичних

Формула / Реферат:

Способ контроля электрофизических пара­метров полупроводников, основанный на измере­нии электропроводимости, коэффициента Холла в слабом магнитном поле и зависимости коэффици­ента Холла от величины магнитного поля, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения точности раздельного определения концентрации и подвиж­ности электронов и дырок в CdxHg1-xTe и InSb р-типа проводимости, дополнительно производят измерение коэффициента Холла при значении...

Номер патенту: 7501

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Коваленко Леонід Євгенійович, Скакун Василь Захарович

МПК: H01L 21/28

Мітки: типу, основі, контактів, напівпровідників, електронах, приладів, формування, гарячих, спосіб

Формула / Реферат:

Способ формирования контактов к приборам на горячих электронах на основе полупроводников типа АІІІBV, включающий очистку поверхности полупроводника с помощью импульсной фотонной обработки, формирование контактного, барьерно­го и технологического слоев и термообработку при температуре выше точки плавления контактного слоя, проводимые в едином технологическом цик­ле, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия...