Спосіб з’єднування деталей напівпровідників або напівпровідників з металами

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Способ соединения деталей полупроводников или полупроводников с металлами, включающий выращивание слоя диоксида кремния на поверхности, по крайней мере, одной из соединяемых деталей, легирование слоя диоксида кремния путем предварительного нагрева слоя, нанесения водного раствора, содержащего химическое соединение с щелочным металлом, и отжига, контактирование соединяемых деталей, приложение давления, нагрев, создание разности потенциалов между соединяемыми деталями, обеспечивающей прохождение постоянного тока, при этом отрицательный потенциал прикладывают к детали со слоем легированного диоксида кремния, отличающийся тем, что концентрацию водного раствора выбирают равной 0,1-2%, в качестве химического соединения используют нитрат калия, отжиг осуществляют при 350-600°С, а время отжига t выбирают из соотношения

где d - толщина слоя диоксида кремния, см;

Τ - температура отжига, К; К - постоянная Больцмана;

2.  Способ по п.1, отличающийся тем, что предварительный нагрев осуществляют до 50-250°С.

3.  Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение раствора на слой диоксида кремния осуществляется предварительным нанесением раствора на нагретую до 50-250°С полированную поверхность промежуточной пластины, выполненной из химически инертного к раствору материала, затем осуществляют контактирование слоя диоксида кремния с пластиной и проводят отжиг полученный системы.

4. Способ по пп.1-3, отличающийся тем, что температуру нагрева выбирают 300-450°С, а плотность тока, проходящего через слой диоксида кремния - 0,05-5 мА/см2.

5.  Способ по пп.1-4, отличающийся тем, что диоксид кремния выращивают на обеих поверхностях соединяемых деталей, а легирование осуществляют одной из них.

Текст

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для прочного соединения элементов полупроводниковых приборов между собой, а также для присоединения их к металлическому корпусу, в частности, при изготовлении интегральных полупроводников датчиков механических величин. Известен способ соединения деталей полупроводников или полупроводников и металлов, который включает выращивание слоя диоксида кремния на одной из соединяемых поверхностей, их контактирование, приложение давления, нагрев до температуры 400-450°С, создание разности потенциалов между соединяемыми поверхностями, причем контактированием на предварительно нагретую до 150-200°С поверхность диоксида кремния наносят 0,5-1% водный раствор едкого натра и отжигают при температуре 600-650°С. Недостатками способа являются высокая электропроводность соединительного слоя и низкая прочность соединения. Перечисленные выше недостатки обусловлены большой величиной коэффициента диффузии ионов натрия в диоксиде кремния. Целью изобретения являются повышение прочности соединения и снижение электропроводности соединительного слоя. Поставленная цель достигается тем, что в способе соединения деталей полупроводников или полупроводников и металлов, включающем выращивание слоя диоксида кремния по крайней мере на поверхности одной из соединяемых деталей, легирование слоя диоксида кремния путем предварительного нагрева слоя, нанесения водного раствора, содержащего химическое соединение с щелочным металлом, и отжига, контактирование и приложение усилия сжатия к соединяемым деталям, нагрев, создание разности потенциалов между соединяемыми деталями, обеспечивающей прохождение постоянного тока, при этом отрицательный потенциал прикладывают к детали со слоем легированного диоксида кремния, согласно изобретению, концентрацию водного раствора выбирают равной 0,1-2%, в качестве химического соединения используют нитрат калия, отжиг проводят при 350-600°С, а время отжига t выбирают из соотношения где d - толщина слоя диоксида кремния, см; Τ - температура отжига, К; К - постоянная Больцмана; Do = 2 · 10 -9см 2/с. Е=0.28эВ. Целесообразно температуру предварительного нагрева выбирать в пределах 50-250°С, а температуру нагрева деталей при соединении - 300-450°С. Плотность тока, активирующего процесс соединения, должна лежать в пределах 0,05-5 мА/см 2. Целесообразно также, чтобы операцию нанесения водного раствора осуществляли предварительным нанесением раствора на нагретую до 50-250°С полированную поверхность промежуточной пластины, выполненной из материала, химически инертного к раствору, после чего осуществили бы контактирование слоя диоксида кремния с пластиной и проведение отжига полученной системы. Наиболее высокие электроизолирующие свойства соединительного слоя достигаются при выращивании слоя диоксида кремния на обеих поверхностях соединяемых деталей, причем легируется один из них. В табл. 1,2 приведены технологические режимы соединения пластин: кремний с диоксидом кремниякремний (образцы с индексом "КК"), кремний с диоксидом кремния-металл, сплав НК 38 (образцы с индексом "КН") и кремний с диоксидом кремния-кремний с диоксидом кремния (образцы с индексом "КДК"). Изобретение осуществляется следующим образом. Соединяемые пластины кремния толщиной 0,36 мм каждая, полировались электрохимическим методом и на поверхности одной из них выращивали слой диоксида кремния толщиной 1,5 мкм. Далее на нагретую до 60°С поверхность диоксида кремния пульверизацией наносился 0,15%-ный раствор нитрата калия. После этого был проведен отжиг при температуре 600°С в течение 10 мин. Затем подлежащие соединению пластины накладывались друг на друга таким образом, чтобы слой диоксида кремния располагался между ними, сжимались, нагревались до температуры 400°С и к ним подводилось постоянное напряжение 40 В, при этом начальная плотность тока была 2,01 мА/см 2. Отрицательный потенциал подавался на пластину с легированным слоем диоксида кремния. После выдержки в указанных условиях в течение 10 мин происходило прочное соединение пластин.

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Connection method for semiconductor parts or semiconductors with metals

Автори англійською

Babichev Hennadii Hryhorovych, Kozlovskyi Serhii Ivanovych, Romanov Valentyn Oleksandrovych

Назва патенту російською

Способ соединения деталей полупровдников или полупроводников с металлами

Автори російською

Бабичев Геннадий Григорьевич, Козловский Сергей Иванович, Романов Валентин Александрович

МПК / Мітки

МПК: H01L 23/00

Мітки: з'єднування, металами, напівпровідників, спосіб, деталей

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-19080-sposib-zehdnuvannya-detalejj-napivprovidnikiv-abo-napivprovidnikiv-z-metalami.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб з’єднування деталей напівпровідників або напівпровідників з металами</a>

Подібні патенти