Патенти з міткою «провідного»
Спосіб формування провідного рисунка на непровідній поверхні
Номер патенту: 112453
Опубліковано: 12.09.2016
Автор: Уізманн Уільям
МПК: H05K 3/18, H05K 3/10, H01L 21/768 ...
Мітки: формування, поверхні, спосіб, рисунка, провідного, непровідній
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування провідного шару на поверхні, який включає:активацію принаймні частини непровідної поверхні підкладки;накладання магнітного поля на згадану поверхню;нанесення координаційного комплексу металу на принаймні частину активованої ділянки поверхні;усування згаданого магнітного поля;піддавання згаданого координаційного комплексу металу електромагнітному випромінюванню;відновлення...
Двозаміщені фталазини – антагоністи провідного шляху hedgehog
Номер патенту: 106755
Опубліковано: 10.10.2014
Автори: Хіпскінд Філіп Артур, Пейтел Барвін Кумар, Уілсон Такако
МПК: A61K 31/502, A61P 35/00, C07D 401/14 ...
Мітки: двозаміщені, антагоністи, провідного, фталазини, шляху, hedgehog
Формула / Реферат:
1. Сполука, яка описується формулоюде:R1 - водень або метил;R2 - водень або метил; таR3, R4, R5, R6 або R7 незалежно один від одного являють собою водень, фтор, хлор, ціаногрупу, трифторометил, трифторометоксигрупу, дифторометоксигрупу, метилсульфоніл або трифторометилсульфоніл, за умови, що щонайменше три з R3, R4, R5, R6 та R7 являють...
Двозаміщені фталазини – антагоністи провідного шляху hedgehog
Номер патенту: 102250
Опубліковано: 25.06.2013
Автори: Хіпскінд Філіп Артур, Такакува Такако
МПК: A61P 35/00, C07D 401/04, A61K 31/502 ...
Мітки: провідного, фталазини, hedgehog, антагоністи, двозаміщені, шляху
Формула / Реферат:
1. Сполука формулидеR1 - водень, фтор, ціаногрупа, трифторметил, метокси- або трифторметоксигрупа;R2 - водень або метил; іR3, R4, R5, R6 та R7 незалежно один від одного - водень, хлор, фтор, ціаногрупа, трифторметил або трифторметоксигрупа, за умови, що щонайменше два замісники з R3, R4, R5, R6 та R7 є атомами водню;або...
Двозаміщені фталазини – антагоністи провідного шляху hedgehog
Номер патенту: 102115
Опубліковано: 10.06.2013
Автори: Уілсон Такако, Бастіан Джолі Ен, Хіпскінд Філіп Артур, Селл Даніель Джон
МПК: A61P 35/00, A61K 31/502, C07D 403/04 ...
Мітки: двозаміщені, фталазини, hedgehog, провідного, антагоністи, шляху
Формула / Реферат:
1. Сполука вказаної нижче формули:,деR1 - водень, фтор, ціаногрупа, трифторметил або метоксигрупа;R2 - водень, фтор або трифторметил;R3 - водень або хлор, за умови, що принаймні один замісник з R2 та R3 - водень;R4 - хлор, фтор, ціаногрупа, трифторметил, дифторметил, метокси- або трифторметоксигрупа;
Пристрій із феромагнітного та електрично провідного каркаса та елементів обмотки
Номер патенту: 27828
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Дідзун Норберт, Мусіл Рудольф фон, Стоббе Фердінанд, Кремсер Гюнтер, Шер Вольфанг, Мюллер Райнер
Мітки: електричної, феромагнітного, пристрій, провідного, елементів, обмотки, каркаса
Текст:
...рассматриваться тогда, когда их удельные поверхностные сопротивления имеют значения, которые примерно соответствуют удельным поверхностным сопротивлениям типичных и известных по себе устройств защиты от тлеющего разряда в динамоэлектрических машинах. В частности пригодными являются проводящие текстильные материалы, удельные поверхностные сопротивления которых составляют величину между 2 ком и 100 ком, предпочтительно между 5 ком и 30 ком....
Спосіб виготовлення внутрішнього провідного покриття кольорового кінескопа
Номер патенту: 22488
Опубліковано: 03.03.1998
Автори: Шутовський Владіслав Володимирович, Шепелявий Петро Євгенович, Михайловська Катерина Василівна, Індутний Іван Захарович, Робур Ігор Йосипович
МПК: H01J 9/20, H01J 29/88
Мітки: провідного, спосіб, виготовлення, покриття, кольорового, внутрішнього, кінескопа
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення внутрішнього провідного покриття кольорового кінескопа, який включає термічне напилення в вакуумі на конусну частину кінескопа металомісткого матеріалу, який відрізняється тим, що як металомісткий матеріал використовують дрібнодисперсну суміш SiOxMn100-x при 30≤x≤50 мас.%, яку нагрівають спочатку до температури сублімації Μn і доводять її до температури сублімації SiO.