Патенти з міткою «провідного»

Спосіб формування провідного рисунка на непровідній поверхні

Завантаження...

Номер патенту: 112453

Опубліковано: 12.09.2016

Автор: Уізманн Уільям

МПК: H05K 3/18, H05K 3/10, H01L 21/768 ...

Мітки: формування, поверхні, спосіб, рисунка, провідного, непровідній

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування провідного шару на поверхні, який включає:активацію принаймні частини непровідної поверхні підкладки;накладання магнітного поля на згадану поверхню;нанесення координаційного комплексу металу на принаймні частину активованої ділянки поверхні;усування згаданого магнітного поля;піддавання згаданого координаційного комплексу металу електромагнітному випромінюванню;відновлення...

Двозаміщені фталазини – антагоністи провідного шляху hedgehog

Завантаження...

Номер патенту: 106755

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Хіпскінд Філіп Артур, Пейтел Барвін Кумар, Уілсон Такако

МПК: A61K 31/502, A61P 35/00, C07D 401/14 ...

Мітки: двозаміщені, антагоністи, провідного, фталазини, шляху, hedgehog

Формула / Реферат:

1. Сполука, яка описується формулоюде:R1 - водень або метил;R2 - водень або метил; таR3, R4, R5, R6 або R7 незалежно один від одного являють собою водень, фтор, хлор, ціаногрупу, трифторометил, трифторометоксигрупу, дифторометоксигрупу, метилсульфоніл або трифторометилсульфоніл, за умови, що щонайменше три з R3, R4, R5, R6 та R7 являють...

Двозаміщені фталазини – антагоністи провідного шляху hedgehog

Завантаження...

Номер патенту: 102250

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Хіпскінд Філіп Артур, Такакува Такако

МПК: A61P 35/00, C07D 401/04, A61K 31/502 ...

Мітки: провідного, фталазини, hedgehog, антагоністи, двозаміщені, шляху

Формула / Реферат:

1. Сполука формулидеR1 - водень, фтор, ціаногрупа, трифторметил, метокси- або трифторметоксигрупа;R2 - водень або метил; іR3, R4, R5, R6 та R7 незалежно один від одного - водень, хлор, фтор, ціаногрупа, трифторметил або трифторметоксигрупа, за умови, що щонайменше два замісники з R3, R4, R5, R6 та R7 є атомами водню;або...

Двозаміщені фталазини – антагоністи провідного шляху hedgehog

Завантаження...

Номер патенту: 102115

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Уілсон Такако, Бастіан Джолі Ен, Хіпскінд Філіп Артур, Селл Даніель Джон

МПК: A61P 35/00, A61K 31/502, C07D 403/04 ...

Мітки: двозаміщені, фталазини, hedgehog, провідного, антагоністи, шляху

Формула / Реферат:

1. Сполука вказаної нижче формули:,деR1 - водень, фтор, ціаногрупа, трифторметил або метоксигрупа;R2 - водень, фтор або трифторметил;R3 - водень або хлор, за умови, що принаймні один замісник з R2 та R3 - водень;R4 - хлор, фтор, ціаногрупа, трифторметил, дифторметил, метокси- або трифторметоксигрупа;

Пристрій із феромагнітного та електрично провідного каркаса та елементів обмотки

Завантаження...

Номер патенту: 27828

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Дідзун Норберт, Мусіл Рудольф фон, Стоббе Фердінанд, Кремсер Гюнтер, Шер Вольфанг, Мюллер Райнер

МПК: H02K 3/32, H02K 3/48

Мітки: електричної, феромагнітного, пристрій, провідного, елементів, обмотки, каркаса

Текст:

...рассматриваться тогда, когда их удельные поверхностные сопротивления имеют значения, которые примерно соответствуют удельным поверхностным сопротивлениям типичных и известных по себе устройств защиты от тлеющего разряда в динамоэлектрических машинах. В частности пригодными являются проводящие текстильные материалы, удельные поверхностные сопротивления которых составляют величину между 2 ком и 100 ком, предпочтительно между 5 ком и 30 ком....

Спосіб виготовлення внутрішнього провідного покриття кольорового кінескопа

Завантаження...

Номер патенту: 22488

Опубліковано: 03.03.1998

Автори: Шутовський Владіслав Володимирович, Шепелявий Петро Євгенович, Михайловська Катерина Василівна, Індутний Іван Захарович, Робур Ігор Йосипович

МПК: H01J 9/20, H01J 29/88

Мітки: провідного, спосіб, виготовлення, покриття, кольорового, внутрішнього, кінескопа

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення внутрішнього провідного покриття кольорового кінескопа, який включає термічне напилення в вакуумі на конусну частину кінескопа металомісткого матеріалу, який відрізняється тим, що як металомісткий матеріал використовують дрібнодисперсну суміш SiOxMn100-x при 30≤x≤50 мас.%, яку нагрівають спочатку до температури сублімації Μn і доводять її до температури сублімації SiO.