Спосіб виготовлення топологічного малюнка на деталях із силікатних матеріалів

Спосіб виготовлення топологічного малюнка на деталях із силікатних матеріалів, який включає 3 12552 4 області поверхні лазерного когерентного випромі30мкм, частота модуляції 5кГц, швидкість перемінювання з потужністю від 1 до 50Вт та діаметром щення підкладки у горизонтальній площині 20м за сфокусованого лазерного променя від 5 до хвилину. Топологічний малюнок задавали за до300мкм. помогою спеціальної програми блоку ЧПУ і предПозитивний ефект запропонованої корисної ставляв собою систему паралельних смуг ширимоделі способу обумовлений тим, що лазерне ною 0,6мм з проміжком 0,025мм, який видалявся сфокусоване когерентне випромінювання надійно лазерним випромінюванням. Точність ширини лавидаляє тонке (до 0,5мм товщиною) металеве вазерного різу складала ±10%, шар міді був надійно куумне покриття з потрібних областей поверхні, не видалений без пошкодження силікатного флоатпошкоджуючи силікатний матеріал, а у процесі скла. створення топологічного малюнку не використоПриклад реалізації 2. На дві поліровані пласвують шкідливі речовини (концентровані кислоти, тини з прозорої силікатної склокераміки наносили луги, органічні розчинники, ультрафіолетове вивакуумне покриття з титану та алюмінію сумарною промінювання тощо). Крім того, запропонована товщиною 0,15мкм на установці магнетронного корисна модель способу не потребує дотримання розпорошення ЛНД "Плазма". Пластини дифузійне спеціальних вимог по чистоті приміщень у порівз'єднували таким чином, що шари титану та алюнянні з чистими приміщеннями для проведення мінію знаходилися всередині між з'єднаними пропроцесу фотолітографії та виготовлення фотошазорими пластинами з силікатної склокераміки. Лаблонів. зерну обробку для створення топологічного Запропонований спосіб при дотриманні техномалюнку виконували на лазерному технологічному логічних режимів гарантує практично 100% вихід комплексі ЛТ16-400/500. Режими обробки були придатних виробів. наступними: довжина хвилі - 1,06мкм, потужність Новизна запропонованої корисної моделі обу1Вт, діаметр сфокусованого лазерного променя мовлена новою сукупністю та послідовністю вико120мкм, частота модуляції 1кГц, швидкість перенання технологічних операцій, яка раніше була міщення підкладки у горизонтальній площині 2м за невідомою. хвилину. Малюнок задавався спеціальною проПри потужності лазерного випромінювання грамою для блоку ЧПУ і представляв собою граменше 1Вт та діаметрі сфокусованого лазерного фічний напис, який виконувався за допомогою променя більше 300мкм видалення вакуумного системи смуг шириною 0,1мм, у яких відбувалося металевого покриття не відбувається, а при потувидалення металевого покриття лазерним випрожності більше 50Вт та діаметрі сфокусованого мінюванням. Після нанесення графічний напис лазерного променя менше 5мкм оптична деталь легко читався в умовах звичайного кімнатного руйнується. освітлення. Міцність з'єднання деталей після наПриклад реалізації 1. На підкладку з флоатнесення топологічного малюнку не зменшилась. скла, яке на 70,8 вагових % складається з оксиду Література кремнію, нанесли вакуумне покриття з міді товщи1. Технология оптических деталей. Под ред. ною 0,15мкм на установці магнетронного розпоМ.Н. Семибратова. - М.:, Машиностроение, 1978, рошення ЛНД "Плазма". Лазерну обробку для С.275-280. створення топологічного малюнку виконували на 2. Маслов В.П., Сарсембаєва А.З., Сизов Ф.Ф., лазерному технологічному комплексі ЛТ16Циркунов Ю.Я. Спосіб виготовлення топологічних 400/500. Режими обробки покриття були наступмалюнків. Деклараційний патент України на винаними: довжина хвилі - 1,06мкм, потужність - 12Вт, хід №70053 від 15.09.2004, бюл. №9, 2004р. діаметр сфокусованого лазерного променя Комп’ютерна верстка В. Мацело Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601