H05K 3/32 — гальванічне підключення електричних елементів або проводів до друкованих схемами
Спосіб виготовлення щонайменше одного електропровідного з’єднання між двома або більше електропровідними структурами
Номер патенту: 44845
Опубліковано: 15.03.2002
Автор: Мундігль Йозеф
МПК: H05K 3/36, H05K 3/32
Мітки: двома, одного, електропровідними, електропровідного, більше, спосіб, щонайменше, виготовлення, з'єднання, структурами
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення щонайменше одного електропровідного з'єднання між двома або більше електропровідними структурами (2, 2', 4, 4'), із яких щонайменше одна разом з носієм (3, 3') об'єднана в електропровідну систему, причому щонайменше один із носіїв (3, 3') виконаний із термопластичного синтетичного матеріалу, і щонайменше в одній з об'єднаних електропровідних систем в зоні місць контактів виконують прорізи (6, 6'), який відрізняється...
Модуль чіп-картки (варіанти)
Номер патенту: 40679
Опубліковано: 15.08.2001
Автори: Удо Детлеф, Еммерт Штефан, Менш Ханс-Георг
МПК: G06K 19/077, H01L 25/065, H01L 23/52 ...
Мітки: варіанти, модуль, чіп-картки
Формула / Реферат:
1. Модуль (1) чіп-картки, що містить щонайменше один носій (2) чіпа, один або кілька напівпровідникових чіпів (3, 3¢), і електропровідні доріжки (4), в якому один або кілька напівпровідникових чіпів (3, 3¢) та/або рамка жорсткості (5) закріплені за допомогою клею (6), до якого додано частинки (7) певного розміру як дистанційні елементи, який відрізняється тим, що клей (6) є неелектропровідним, а додані до клею (6) частинки...
Спосіб виготовлення гібридних інтегральних схем
Номер патенту: 15581
Опубліковано: 30.06.1997
Автори: Сазонець Володимир Іванович, Каплунов Сергій Геннадійович
МПК: H05K 3/32
Мітки: виготовлення, схем, інтегральних, гібридних, спосіб
Формула / Реферат:
(57) Способ изготовления гибридных интегральных схем, включающий формирование проводящего рисунка с контактными площадками на диэлектрической подложке и нанесение гальванического покрытия на элементы рисунка с последующей пайкой или сваркой навесных радиоэлементов к контактным площадкам, отличающийся тем, что после нанесения гальванического покрытия проводящий рисунок подвергают обработке ионами газов с энергией 0,1-5,0 кэВ в течение 3-12...