Патенти з міткою «схем»

Номер патенту: 115763

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Кривенко Віктор Іванович, Карандаков Генадій Васильович

МПК: G06G 7/00

Мітки: електричних, елемент, від`ємною, керованою, провідністю, статичної, схем

Формула / Реферат:

Елемент електричних схем із від'ємною статично керованою провідністю, який містить резистор, що має додатну активну статичну провідність, який відрізняється тим, що додатково введено джерело струму, кероване струмом (ДСКС) із коефіцієнтом керування k=IВИХ/IВХ, де ІВХ - вхідний струм ДСКС, а ІВИХ - вихідний струм ДСКС, причому вхід ДСКС включений послідовно з резистором, що має додатну активну статичну провідність, а вихід ДСКС включений...

Номер патенту: 119524

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Никируй Володимир Ернестович, Маїк Володимир Зіновійович

МПК: G02B 23/00

Мітки: галілея, система, телескопічна, схем, типу, лазерних, оптичних

Формула / Реферат:

Телескопічна система типу Галілея для застосування в лазерній оптичній схемі, яка містить об'єктив і окуляр, де окуляром є одинична двоввігнута лінза, яка відрізняється тим, що об'єктивом є одинична, монолітна, плосковипукла лінза, де довжина системи по оптичній осі становить L=17,38, а величина збільшення телескопічної системи становить N=2.

Номер патенту: 114668

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Котик Михайло Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Новосядлий Святослав Володимирович, Варварук Василь Миколайович

МПК: H01L 21/31, H01L 21/3065, H01L 21/265 ...

Мітки: ізоляції, інтегральних, спосіб, схем, міжшарової, великих, формування, плазмового, структур

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового формування міжшарової ізоляції субмікронних структур ВІС, що містить мікроцикли технологічних операцій транзисторних структур до формування контактних вікон, який відрізняється тим, що міжшарову ізоляцію формують НВЧ-плазмовим низькотемпературним осадженням борофосфоросилікатного скла в реакторі електронно-циклотронного резонансу розкладом дисилану, легованого бором, фосфором із вмістом В2О3 і Р2О5 в склі 11±2%, 2,5±0,5% ат...

Номер патенту: 113891

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Мельник Любомир Васильович, Бойко Сергій Іванович, Новосядлий Степан Петрович, Варварук Василь Миколайович

МПК: H01L 21/76

Мітки: елементів, локальної, великих, інтегральних, структурах, пористим, прооксидованим, ізоляції, субмікронних, схем, спосіб, кремнієм

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах великих інтегральних схем (ВІС), який полягає в хімічній обробці Si-підкладки n-типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р+-р типу з р+-шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, який...

Номер патенту: 114634

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Тарасюк Анатолій Петрович, Самчук Володимир Володимирович, Прилипко Андрій Леонідович, Сичов Юрій Іванович, Лях Бенгард Григорович

МПК: B23B 1/00

Мітки: різання, спосіб, схем, обробки, багатоінструментальних, кінематичних, циліндричних, механічної, виробів, розробки, нежорстких

Формула / Реферат:

Спосіб розробки багатоінструментальних кінематичних схем різання для механічної обробки нежорстких циліндричних виробів, що включає жорстке закріплення одного кінця циліндричного виробу з можливістю надання йому обертового руху навколо повздовжньої осі, надання кінематичного обертового та повздовжнього рухів різальному інструменту, який відрізняється тим, що рівномірно по окружності виробу розміщують зони різання у кількості k=2n, де n=2 або...

Номер патенту: 113527

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Кобан Мухаммед Зейд, Ван Є-Куй, Карчєвіч Марта

МПК: H04N 19/11, H04N 19/105, H04N 19/46 ...

Мітки: об'єднана, розподілу, схем, структура, картинки

Формула / Реферат:

1. Спосіб кодування даних відео, причому спосіб містить: кодування, в наборі параметрів картинки, першого елемента синтаксису для першої картинки даних відео, при цьому перше значення для згаданого першого елемента синтаксису вказує, що прогнозування в картинці дозволяється крізь вирізки для вирізок першої картинки шляхом зазначення, що елементи синтаксису в заголовках для однієї або більше вирізок першої картинки дозволено...

Номер патенту: 99837

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Вавенко Тетяна Василівна, Лемешко Олександр Віталійович, Арус Кінан Мохамед

МПК: G06G 3/00

Мітки: різних, мультипотокового, маршрутизації, трафіку, спосіб, мережних, резервування, ресурсів, схем, відмовостійкої, підтримкою

Формула / Реферат:

Спосіб відмовостійкої маршрутизації мультипотокового трафіку з підтримкою різних схем резервування мережних ресурсів, що здійснює захист каналу, вузла та маршруту, задаються умови для здійснення одношляхової та багатошляхової маршрутизації, який відрізняється тим, що в ньому забезпечується відсутність перевантаження каналів зв'язку потоками як основного, так і резервного маршрутів, завдяки виконанню умови запобігання перевантаженню каналів...

Номер патенту: 105680

Опубліковано: 10.06.2014

Автор: Зайцевський Ігор Лаврович

МПК: G06G 7/00, G06G 7/24, G06G 7/16 ...

Мітки: множник-дільник, логарифмічних, схем, використанням

Формула / Реферат:

Множник-дільник з використанням логарифмічних схем, що міститьзагальну шину,вхідні кола першого та другого множників чисельника,вхідне коло першого множника знаменника,вихідне коло результату,першу та другу логарифмічні схеми чисельника та першу логарифмічну схему знаменника з вхідним колом, вихідним колом та входом зміщення, складені з логарифмуючого транзистора, колектором підключеного до вхідного кола,...

Номер патенту: 77223

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Варварук Василь Миколайович, Мельник Любомир Васильович, Кіндрат Тарас Петрович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: субмікронних, нвч, великих, схем, спосіб, арсенідгалієвих, гетероепітаксійних, структур, інтегральних, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц)...

Номер патенту: 72058

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Атаманюк Роман Богданович, Вівчарук Володимир Михайлович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: к-мон-структурах, низькоомних, контактів, великих, формування, інтегральних, схем, спосіб, субмікронних

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних К-МОН-структурах великих інтегральних схем, який включає операції хімічної обробки кремнієвих підкладок, оксидування, формування імплантацією самосуміщених стік-витокових областей, підзатворного діелектрика, міжшарової ізоляції, проекційної літографії та анізотропного плазмохімічного травлення функціональних шарів, який відрізняється тим, що після розкриття контактних вікон і їх...

Номер патенту: 68204

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Атаманюк Роман Богданович, Вівчарук Володимир Михайлович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: багатошарової, схем, металізації, інтегральних, формування, субмікронних, спосіб, теплостійкої, структур, великих

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації верхнього рівня розводки структур великих інтегральних схем, який включає в себе формування структур з контактними профільованими вікнами в міжшаровій металізації за допомогою фотолітографічного процесу і плазмохімічного травлення, якісної хімічної обробки структур в перекисно-аміачній суміші, магнетронного розпилення мішені силіциду чи поліциду, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 64898

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович, Атаманюк Роман Богданович, Сорохтей Тарас Романович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: розводки, планаризації, великих, структур, металевої, схем, субмікронних, спосіб, вісь, інтегральних

Формула / Реферат:

1. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем, що включає розкриття контактних вікон в міжшаровій ізоляції, хімічну обробку контактів в перекисно-аміачній суміші або суміші Каро, формування металевої розводки верхнього рівня магнетронним розпиленням мішені із алюмінієвого сплаву алюміній-кремній-гольмій (АКГо-1-1), виконання фотокопії по металу і полііміду, який відрізняється тим, що після...

Номер патенту: 27068

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Гомольський Дмитро Михайлович, Костенко Валер'ян Остапович, Кравчина Віталій Вікторович

МПК: H01L 21/70

Мітки: транзисторів, інтегральних, виготовленя, ізоляцією, схем, спосіб, комплементарних, комбінованою

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих структур з комбінованою діелектричною ізоляцією комплементарних транзисторів, який включає анізотропне травлення канавок під ізоляцію, окислення рельєфної поверхні підкладки, осадження на неї шару полікристалічного кремнію, формування підкладки полікристалічного кремнію та карманів з монокристалічним кремнієм, які ізольовані між собою діелектричною плівкою оксиду кремнію, осадження епітаксійної плівки з...

Номер патенту: 77499

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Мошель Микола Васильович, Поканевич Олексій Платонович, Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G01R 3/00, G01N 13/00, H01L 21/66 ...

Мітки: кристалів, тепловиділення, зразках, виявленя, джерел, схем, спосіб, інтегральних, локальних, напівпровідникових, приладів

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних джерел тепловиділення в зразках кристалів  інтегральних схем та напівпровідникових приладів, за яким на контрольовану поверхню зразка кристала наносять тонку плівку холестеричного рідкого кристала, зразок закріплюється на нагріваному тримачі з терморегулятором і підключається до джерела електричного живлення, а локальні джерела тепловиділення виявляють за оптичними зображеннями в поляризаційному мікроскопі...

Номер патенту: 5295

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Бородуліна Лілія Володимирівна, Яценко Володимир Віталійович, Григор'єв Сергій Федорович, Долінний Анатолій Степанович, Глива Валентин Анатолійович, Андрійчук Ігор Васильович

МПК: G06K 19/07, G06K 9/00, G06K 5/00 ...

Мітки: малогабаритний, пластикових, карток, зчитування, інтегральних, мобільній, схем, записування, інформації, прилад, безконтактних

Формула / Реферат:

Мобільний малогабаритний зчитувач інформації з ідентифікаційних карток, що складається з модуля запису/зчитування, лінії зв'язку і блока обробки даних, який відрізняється тим, що модуль запису/зчитування і блок обробки даних розміщені в одному корпусі, блок обробки даних виконаний у вигляді кишенькового персонального комп'ютера з банком даних і програмним забезпеченням для зчитування і обробки даних з модуля запису/зчитування і зв'язаний...

Номер патенту: 66535

Опубліковано: 17.05.2004

Автори: Марколенко Павел Юрьевич, Вікулін Іван Михайлович

МПК: G01R 31/28

Мітки: схем, спосіб, дефектів, виявлення, інтегральних

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення дефектів інтегральних схем за вольт-амперними характеристиками складових їхніх кіл, який відрізняється тим, що по черзі вимірюються вольт-амперні характеристики всіх можливих пар виходів схеми, потім шляхом порівняння з еталонними вольт-амперними характеристиками визначають дефектні кола, що мають аномальні вольт-амперні характеристики, а дефектний елемент визначають як загальний елемент цих дефектних кіл.

Номер патенту: 1964

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Богатиренко Віктор Васильович, Антоненко Володимир Володимирович

МПК: G01R 5/00

Мітки: електричної, схем, індикатор, обліку, працездатності, енергії

Формула / Реферат:

Індикатор працездатності схем обліку електроенергії, що містить в собі корпус, всередині якого змонтовано контрольний лічильник, елементи електронавантаження, пускорегулюючу апаратуру, з’єднані між собою, штангу для підключення електронавантаження до точки обліку та пульт дистанційного управління лічильником, який відрізняється тим, що елементи електронавантаження, застосовані в ньому, виконані у вигляді блоків з позисторної кераміки з...

Номер патенту: 54013

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Костромицький Андрій Іванович, Зеленін Максим Анатолійович, Конотоп Сергій Володимирович, Зеленін Анатолій Миколайович, Бондар Дмитро Вадимович

МПК: H03H 19/00

Мітки: параметрів, комутуються, дискретно-аналогових, масштабування, конденсаторами, схем, частотного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб частотного масштабування параметрів дискретно-аналогових схем з конденсаторами, що комутуються, по якому одержувана еквівалентна резистивність RЕi і-го елемента визначається співвідношенням  де fSi - частота комутації ємнісного елемента CSi, при цьому системний показник М є функцією  взаємодії...

Номер патенту: 51627

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: ХОДГЕН Гарі Д., ФІЛІПС Одрі

МПК: A61K 38/08, A61P 5/08, A61P 5/30 ...

Мітки: схем, довгочасних, секреції, естрогену, тонічної, яєчників, лікування, відновлення

Формула / Реферат:

1. Способ терапевтического лечения состояния зависимости от гонадостероидов у млекопитающего путем снижения поступления эстрогена посредством введения антагониста GnRH в количестве, эффективном для торможения пролиферации эндометрия, но недостаточном для снижения эндогенного эстрогена до кастрационного уровня.2. Способ лечения по п. 1, в котором млекопитающим является менструирующая женщина.3. Способ по п. 1, в котором...

Номер патенту: 36114

Опубліковано: 16.04.2001

Автор: Селівановський Володимир Юрійович

МПК: G01B 7/14

Мітки: датчиками, контролю, спосіб, переміщення, схем, індуктивними, вимірювальних

Формула / Реферат:

Спосіб контролю вимірювальних схем з індуктивними датчиками переміщення, що містить у собі витарування вимірювальної схеми і балансування її на нульове показання вимірювального приладу у робочому стані датчика, який відрізняється тим, що після балансування у вимірювальну схему замість робочого датчика включається еталонний датчик із змінним зазором, зазор еталонного датчика змінюється доти, поки вимірювальний прилад не дасть нульове...

Номер патенту: 28121

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Водопівець Йозеф, Фумо Чезаре

МПК: G01R 1/073, G01R 31/02, G01R 31/28 ...

Мітки: тестування, друкованих, схем, електричного, машина, платах

Текст:

...одна із іншою В переважному варіанті машина використовує дві пари компланарних панелей зазначеного типу, де одна пара панелей розташована навпроти іншої пари У такий спосіб має місце безпосередня перевага спрощення системи в цілому завдяки універсальності використання машини для тестування різноманітних друкованих схем без потреби використовувати адаптери. Практично таким чином стає можливим активізувати відповідну голку панелі у будь-якій...

Номер патенту: 23021

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Маніке Ульріх, Геріке Мартін, Стіава Ральф

МПК: H04M 3/18

Мітки: пристрій, абонентських, електронних, захисту, схем

Формула / Реферат:

1. Устройство защиты электронных абонентских схем от перенапряжений на абонентских линиях, содержащее тиристор, по меньшей мере, один диод на каждый провод абонентских линий, при этом один электрод диода предназначен для подключения к проводу абонентской линии, а другой электрод диода соединен с основным электродом тиристора противоположной полярности, другой основной электрод которого заземлен, отличающееся тем, что в него введены резистор и...

Номер патенту: 21729

Опубліковано: 20.01.1998

Автори: Мазанкін Сергій Дмитрович, Пампуха Ігор Володимирович, Рєзніков Михайло Ігорович, Креденцер Борис Петрович, Подобєдов Ігор Вікторович

МПК: G06F 9/22, G06F 11/30

Мітки: стану, контролю, інтегральних, пристрій, схем, великих, мікропроцесорних, справного

Формула / Реферат:

Устройство контроля исправного состояния микропроцессорных больших интегральных схем, содержащее последовательно соединенные между собой генератор формирования тестовых воздейст­вий, объект контроля и схему сравнения, отлича­ющееся тем, что оно дополнительно содержит N-1, параллельно соединенных между собой, объектов контроля с возможностью в качестве эталонной выходной реакции для і-го (і = 1,N) объекта конт­роля использовать выходные...

Номер патенту: 18621

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Плахотка Лариса Степанівна, Губа Сергій Констянтинович, Воронін Валєрій Олександрович

МПК: H01L 21/18

Мітки: спосіб, основі, арсеніду, транзисторів, схем, шотткі, галію, одержання, інтегральних, структур, польових

Формула / Реферат:

Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов Шоттки, включающий последовательное выращивание в едином технологическом цикле на полуизолирующей подложке арсенида галлия высокоомного буферного слоя методом газофазного осаждения из смеси, содержащей трихлорид мышьяка с водородом, с использованием источника галлия, активного слоя  -типа проводимости и контактного слоя  -типа проводимости,...

Номер патенту: 18427

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Кубишкін Іван Васильович, Добров Олександр Михайлович, Кушнарьов Борис Семенович, Лабковський Віктор Соломонович

МПК: H01B 1/02

Мітки: напівпровідникових, елементів, схем, паста, силових, з'єднання, перетворювачів

Формула / Реферат:

Паста для соединения элементов силовых схем полупроводниковых преобразователей, содержащая окись цинка, аэросил и полиметилсилоксановую жидкость, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит порошок медный электролитический из частиц дендритной формы (1) при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Номер патенту: 18960

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Гриценко Микола Іванович, Мошель Микола Васильович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G01R 31/28

Мітки: інтегральних, елементів, електричних, схем, визначення, спосіб, потенціалів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення електричних потенціалів елементів інтегральних схем (IС), що включає формування поверхні кристалу 1С орієнтованого шару нематичного рідкого кристалу (НРК), розміщення на шарі НРК прозорої пластини з прозорим електропровідним шаром, подачу на прозорий електропровідний шар змінного потенціалу, який відрізняється тим, що фіксують момент переорієнтації НРК над елементом при різних значеннях потенціалів прозорого...

Номер патенту: 21399

Опубліковано: 02.12.1997

Автори: Байда Микола Прокопович, Арапова Олена Михайлівна, Перевозніков Сергій Іванович

МПК: G01R 31/28

Мітки: схем, цифрових, контролю, діагностування, спосіб

Формула / Реферат:

Способ контроля и диагностирования цифро­вых схем, заключающийся в том, что на искусст­венно выделенные фрагменты схем объекта диагностирования подают тестовые воздействия снимают ответные реакции и сравнивают их с эта­лонными значениями, отличающийся тем, что в объекте диагностирования искусственно выделяют фрагменты схем из однотипных элементов, кото­рые соединяют последовательно и замыкают цепью обратной связи с помощью временных...

Номер патенту: 15581

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Сазонець Володимир Іванович, Каплунов Сергій Геннадійович

МПК: H05K 3/32

Мітки: виготовлення, інтегральних, спосіб, схем, гібридних

Формула / Реферат:

(57) Способ изготовления гибридных интег­ральных схем, включающий формирование проводящего рисунка с контактными пло­щадками на диэлектрической подложке и нанесение гальванического покрытия на элементы рисунка с последующей пайкой или сваркой навесных радиоэлементов к контактным площадкам, отличающийся тем, что после нанесения гальванического покрытия проводящий рисунок подвергают обработке ионами газов с энергией 0,1-5,0 кэВ в течение 3-12...

Номер патенту: 18039

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Пампуха Ігор Володимирович, Добровольський Юзеф Броніславович, Подобєдов Ігор Вікторович, Рєзніков Михайло Ігорович, Кошовий Геннадій Анатолійович

МПК: G06F 9/22, G06F 11/30

Мітки: схем, інтегральних, спосіб, стану, мікропроцесорних, контролю, великих, справного

Формула / Реферат:

Номер патенту: 14810

Опубліковано: 18.02.1997

Автори: Перевозніков Сергій Іванович, Арапова Олена Михайлівна, Байда Микола Прокопович

МПК: G01R 31/28

Мітки: діагностування, схем, контролю, спосіб, цифрових

Формула / Реферат:

Способ контроля и диагностирования цифровых схем, заключающийся в том, что на входы искусственно выделенных фрагментов схем объекта диагностирования подают тестовые воздействия, регистрируют выходные ответные реакции и сравнивают их с эталонными значениями, отличающийся тем, что на входы искусственно выделенных фрагментов схем из однотипных элементов перед тестовыми воздействиями подают сигналы, устанавливающие условия электрической защиты...

Номер патенту: 11171

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Сухарев Олександр Володимирович, Мариночкін Олександр Іванович, Смирнов Анатолій Сергійович, Галяпа Володимир Іванович

МПК: G06F 7/00

Мітки: перемикаючих, пристрій, реалізації, схем, програмної

Формула / Реферат:

(57) Устройство для программной реализации переключательных схем, содержащее блок проверки на нечетность, триггер, ячейку памяти, мультиплексор и блок подсчета числа ответвлений диаграмм, причем пер вый информационный вход устройства соединен с информационным входом ячейки памяти, первым входом блока проверки на нечетность и первым информационным входом мультиплексора, первый и второй управляющие входы которого соединены соответственно с...

Номер патенту: 11101

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Чекмезов Олександр Миколайович, Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович, Пенцак Іван Борисович, Бідник Дмитро Ілліч

МПК: G01R 31/28

Мітки: вивідних, схем, дефектів, виявлення, колах, інтегральних, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ обнаружения дефектов в выводных цепях интегральных схем, включающий разделение выводов на группы, подачу на объект контроля испытательного напряжения, регистрацию величины тока на выводах объекта контроля, сравнение полученного результата со значением тока утечки и отбраковку, отличающийся тем, что величину испытательного напряжения выбирают из соотношения0.1 UH =>Uи=>(1+0,02K)Ukгде Uн - номинальное напряжение,...

Номер патенту: 12278

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Благий Богдан Степанович, Новосядлий Степан Петрович, Безрук Борис Васильович

МПК: H01L 23/28

Мітки: інтегральних, пластмасовий, великих, схем, корпус

Формула / Реферат:

1. Пластмассовый корпус для больших интег­ральных схем, содержащий выводную рамку, скле­енную тыльной стороной с ободком, выполненным из железоникелевого сплава с зоной монтажа кри­сталла, отличающийся тем, что, с целью повыше­ния технологичности и надежности, ободок выполнен с теплокомпенсирующими угловыми прорезями, расположенными по периметру зоны монтажа кристалла, в форме шестиугольника, большая ось которого ориентирована вдоль...

Номер патенту: 11382

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Скріпов Федір Олександрович, Новосядлий Степан Петрович, Матюшин Євген Васильович, Малайдах Володимир Якович

МПК: H01L 21/70

Мітки: структур, інтегральних, схем, спосіб, виготовлення, біполярних

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур биполярных интегральных схем, включающий окисление под­ложки из р-кремния, формирование маски из ок­сида кремния с окнами для скрытых областей, формирование в подложке скрытых n+-областей, осаждение эпитаксиального n-слоя кремния, фор­мирование маски из оксида кремния с окнами для разделительных областей, формирование раздели­тельных областей, формирование маски из оксида кремния с окнами для базовой диффузии,...

Номер патенту: 11379

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Бірковий Юрій Леонідович, Новосядлий Степан Петрович, Насипайко Олександр Васильович

МПК: H01L 21/18

Мітки: виготовлення, спосіб, інтегральних, великих, схем

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления больших интеграль­ных схем, включающий формирование кремние­вой структуры с активными и пассивными элементами, формирование на ее нерабочей сторо­не соединительного слоя, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью клея, формирова­ние контактов и герметизирующего слоя, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения качества схем за счет снижения уровня механических...

Номер патенту: 11375

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Плескач Олександр Петрович, Атаманчук Ярослав Дмитрович, Бідник Дмитро Ілліч

МПК: B23K 11/06

Мітки: напівпровідникових, герметизації, інтегральних, приладів, схем, автомат

Формула / Реферат:

1. Автомат для герметизации полупроводни­ковых приборов и интегральных схем контактной шовной сваркой, включающий смонтированные на основании питатель крышек, автооператор подачи крышек, устройство ориентации крышек, свароч­ные головки поперечных и продольных швов, сва­рочный трансформатор, устройство наблюдения за качеством сварки и транспортное устройство для передачи заготовок и приборов с одной позиции на другую, отличающийся тем, что, с...

Номер патенту: 9783

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Остапчук Анатолій Іванович, Пенцак Іван Борисович, Чекмезов Олександр Миколайович, Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович

МПК: G01R 31/28, G01R 31/26, G01R 31/01 ...

Мітки: ненадійних, схем, відбраковки, спосіб, інтегральних, кмон

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ отбраковки ненадежных КМОП интегральных схем, включающий пропускание стабильного тока между одним из питающих выводов, объединенным с входными выводами интегральной схемы, и другим питающим выводом интегральной схемы, измерение напряжения между питающими выводами интегральной схемы, отбраковку интегральной схемы по результатам измерений, отличающийся тем, что измеряют напряжение между питающими выводами интегральной схемы при...

Номер патенту: 8485

Опубліковано: 30.09.1996

Автор: Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: схем, контактно-металізованої, системі, спосіб, тонкоплівкових, елементів, формування, інтегральних

Формула / Реферат:

Способ формирования контактно-металлизированной системы тонкоплсночных элементов интегральных схем, включающий очистку под­ложки, нанесение методом напыления резистивной пленки из сплавов керметных материалов, пленки никеля или алюминия для контактных площадок и металлизации, создание топологии ре­зисторов, токоведущих шин и контактных площа­док методом фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины и повы­шения...

Номер патенту: 9158

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Букевич Юрій Дмитрович, Желєзняков Борис Григорович, Молчанов Костянтин Вікторович

МПК: H01L 21/60

Мітки: схем, інтегральних, монтажу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ монтажа интегральных схем, включающий формирование контактных .площа­док кристалла и основания, нанесение на контакт­ные площадки соединительного токопроводящего материала, взаимное их ориентирование и присое­динение, отличающийся тем, что, с целью упро­щения процесса монтажа, контактные площадки формируют из ферромагнитного металла, соеди­нительным токопроводящим материалом является полимерная пленка с ферромагнитным наполните­лем,...

Номер патенту: 7595

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Кириченко Борис Мефодієвич, Магілат Генадій Йосипович, Коваленко Наталія Іванівна, Єфремов Олександр Петрович

МПК: G05F 1/569

Мітки: автоматики, електроживлення, струму, шахтної, система, дистанційного, схем, управління, мережі, змінного, іскробезпечного

Формула / Реферат:

Система искробезопасного электропитания от сети переменного тока цепей дистанционного управ­ления шахтной автоматики, содержащая парамет­рический стабилизатор на балластном и опорном элементах и токсюграничивающие резисторы, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения энергопотребления от сети и повышения надежности системы, в нее введены трансформатор и дополни­тельный источник постоянного тока, балластный элемент выполнен в виде стабилизатора...