Патенти з міткою «інтегральних»

Номер патенту: 114668

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Новосядлий Святослав Володимирович, Варварук Василь Миколайович, Котик Михайло Васильович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/3065, H01L 21/265, H01L 21/31 ...

Мітки: інтегральних, плазмового, формування, великих, спосіб, ізоляції, структур, міжшарової, схем

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового формування міжшарової ізоляції субмікронних структур ВІС, що містить мікроцикли технологічних операцій транзисторних структур до формування контактних вікон, який відрізняється тим, що міжшарову ізоляцію формують НВЧ-плазмовим низькотемпературним осадженням борофосфоросилікатного скла в реакторі електронно-циклотронного резонансу розкладом дисилану, легованого бором, фосфором із вмістом В2О3 і Р2О5 в склі 11±2%, 2,5±0,5% ат...

Номер патенту: 115231

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Столяр Оксана Борисівна, Гнатишина Леся Любомирівна, Фальфушинська Галина Іванівна

МПК: G01N 33/48, G01N 33/18

Мітки: оцінки, інтегральних, індексів, молюска, двостулкового, спосіб, водного, біобезпеки, стресочутливих, показників, обчислення, підставі, середовища

Формула / Реферат:

Спосіб оцінки біобезпеки водного середовища на підставі обчислення інтегральних індексів стресочутливих показників двостулкового молюска, який включає визначення якості водного оточення з використанням мінімального набору біомаркерів стресу та токсичності, який відрізняється тим, що у тканинах двостулкових молюсків чоловічої статі визначають показники стресу (супероксиддисмутазна активність, концентрація загального глутатіону, рівень...

Номер патенту: 113891

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Бойко Сергій Іванович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Мельник Любомир Васильович

МПК: H01L 21/76

Мітки: пористим, кремнієм, великих, спосіб, локальної, схем, ізоляції, інтегральних, субмікронних, елементів, структурах, прооксидованим

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах великих інтегральних схем (ВІС), який полягає в хімічній обробці Si-підкладки n-типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р+-р типу з р+-шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, який...

Номер патенту: 109691

Опубліковано: 25.09.2015

Автори: Вітворс Адам, Нілей Джені

МПК: H02J 17/00, A61B 8/12, B81B 7/02 ...

Мітки: джерела, бездротові, енергії, інтегральних, використання, схемах

Формула / Реферат:

1. Проковтуваний пристрій, який містить:пристрій управління;джерело акумулятивної електроенергії, електрично з'єднане з пристроєм управління, джерело акумулятивної електроенергії сконфігуроване для одержання енергії в одній формі та для перетворення енергії в потенціал; та елемент зв'язку, сконфігурований таким чином, щоб комунікативно з'єднуватись з зондовим вимірювальним пристроєм, щоб інформація могла бути передана між...

Номер патенту: 77223

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Мельник Любомир Васильович, Кіндрат Тарас Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: субмікронних, структур, нвч, спосіб, великих, схем, арсенідгалієвих, інтегральних, гетероепітаксійних, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц)...

Номер патенту: 72058

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Атаманюк Роман Богданович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: схем, низькоомних, контактів, великих, спосіб, субмікронних, інтегральних, формування, к-мон-структурах

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних К-МОН-структурах великих інтегральних схем, який включає операції хімічної обробки кремнієвих підкладок, оксидування, формування імплантацією самосуміщених стік-витокових областей, підзатворного діелектрика, міжшарової ізоляції, проекційної літографії та анізотропного плазмохімічного травлення функціональних шарів, який відрізняється тим, що після розкриття контактних вікон і їх...

Номер патенту: 68204

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Атаманюк Роман Богданович, Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: структур, багатошарової, металізації, спосіб, субмікронних, схем, формування, теплостійкої, великих, інтегральних

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації верхнього рівня розводки структур великих інтегральних схем, який включає в себе формування структур з контактними профільованими вікнами в міжшаровій металізації за допомогою фотолітографічного процесу і плазмохімічного травлення, якісної хімічної обробки структур в перекисно-аміачній суміші, магнетронного розпилення мішені силіциду чи поліциду, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 64898

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Кіндрат Тарас Петрович, Новосядлий Степан Петрович, Сорохтей Тарас Романович, Вівчарук Володимир Михайлович, Атаманюк Роман Богданович

МПК: H01L 21/00

Мітки: структур, субмікронних, інтегральних, спосіб, великих, розводки, планаризації, схем, вісь, металевої

Формула / Реферат:

1. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем, що включає розкриття контактних вікон в міжшаровій ізоляції, хімічну обробку контактів в перекисно-аміачній суміші або суміші Каро, формування металевої розводки верхнього рівня магнетронним розпиленням мішені із алюмінієвого сплаву алюміній-кремній-гольмій (АКГо-1-1), виконання фотокопії по металу і полііміду, який відрізняється тим, що після...

Номер патенту: 29701

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 29/66

Мітки: контакт, структурами, інтегральних, кремній-на-ізоляторі, пристроях

Формула / Реферат:

1. Контакт в інтегральних пристроях зі структурами "кремній-на-ізоляторі" між шаром металу через контактне вікно у міжшаровому діелектрику до полікремнієвого затвора або стокової чи витокової області МОН-транзистора, сформованого на основі структур "кремній-на-ізоляторі", який відрізняється тим, що розміри контактного вікна в зоні контактування металу і шини із кремнієвої "плівки-на-ізоляторі" є більшими, ніж...

Номер патенту: 27068

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Гомольський Дмитро Михайлович, Кравчина Віталій Вікторович, Костенко Валер'ян Остапович

МПК: H01L 21/70

Мітки: ізоляцією, транзисторів, комбінованою, комплементарних, схем, інтегральних, спосіб, виготовленя

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих структур з комбінованою діелектричною ізоляцією комплементарних транзисторів, який включає анізотропне травлення канавок під ізоляцію, окислення рельєфної поверхні підкладки, осадження на неї шару полікристалічного кремнію, формування підкладки полікристалічного кремнію та карманів з монокристалічним кремнієм, які ізольовані між собою діелектричною плівкою оксиду кремнію, осадження епітаксійної плівки з...

Номер патенту: 24097

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Хомич Сергій Володимирович, Дороніна Ольга Михайлівна

МПК: H03M 1/06

Мітки: аналого-цифровий, перетворювач, характеристик, електричних, інтегральних, величин

Формула / Реферат:

Аналого-цифровий перетворювач інтегральних характеристик електричних величин, який містить блоки проміжних трансформаторів, блоки комутації аналогових сигналів, блок аналого-цифрового перетворення, який складається з аналогового комутатора, джерела опорної напруги, першого аналого-цифрового перетворювача, першого буферного регістра, першого процесорного пристрою та дешифратора, другий процесорний пристрій, блок контролю телесигналів, який...

Номер патенту: 77499

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович, Мошель Микола Васильович, Поканевич Олексій Платонович

МПК: H01L 21/66, G01N 13/00, G01R 3/00 ...

Мітки: зразках, спосіб, тепловиділення, приладів, схем, інтегральних, виявленя, напівпровідникових, кристалів, джерел, локальних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних джерел тепловиділення в зразках кристалів  інтегральних схем та напівпровідникових приладів, за яким на контрольовану поверхню зразка кристала наносять тонку плівку холестеричного рідкого кристала, зразок закріплюється на нагріваному тримачі з терморегулятором і підключається до джерела електричного живлення, а локальні джерела тепловиділення виявляють за оптичними зображеннями в поляризаційному мікроскопі...

Номер патенту: 18233

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Хомич Сергій Володимирович, Дороніна Ольга Михайлівна

МПК: H03M 1/06

Мітки: аналого-цифровий, перетворювач, інтегральних, величин, характеристик, електричних

Формула / Реферат:

Аналого-цифровий перетворювач інтегральних характеристик електричних величин, що містить перший і другий узгоджуючі пристрої, аналоговий комутатор, джерело опорної напруги, аналого-цифровий перетворювач, пристрійпам'яті програм, дешифратор, процесорний пристрій, пристрій пам'яті даних, перший і другий буферні формувачі, входи контрольованих сигналів, причому входи першого та другого узгоджуючих пристроїв з'єднані з входами контрольованих...

Номер патенту: 73218

Опубліковано: 15.06.2005

Автор: Ведер Уве

МПК: G05F 1/56, G06F 1/26, G05F 1/565 ...

Мітки: інтегральних, напруги, регулятора, чіп-карток, схема, мікросхем

Формула / Реферат:

1. Схема регулятора напруги для інтегральних мікросхем чіп-карток, що містить виконану як послідовний регулятор (L) схему для формування внутрішньої напруги живлення (VDDint) із зовнішньої напруги живлення (VDDext), в якій послідовний регулятор (L) містить послідовний регулювальний транзистор (М1), виводи витоку і стоку якого під'єднані між виводами внутрішньої напруги живлення (VDDint) і зовнішньої напруги живлення (VDDext), а також...

Номер патенту: 5295

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Григор'єв Сергій Федорович, Андрійчук Ігор Васильович, Глива Валентин Анатолійович, Бородуліна Лілія Володимирівна, Яценко Володимир Віталійович, Долінний Анатолій Степанович

МПК: G06K 19/07, G06K 9/00, G06K 5/00 ...

Мітки: карток, зчитування, мобільній, інформації, пластикових, малогабаритний, інтегральних, записування, прилад, схем, безконтактних

Формула / Реферат:

Мобільний малогабаритний зчитувач інформації з ідентифікаційних карток, що складається з модуля запису/зчитування, лінії зв'язку і блока обробки даних, який відрізняється тим, що модуль запису/зчитування і блок обробки даних розміщені в одному корпусі, блок обробки даних виконаний у вигляді кишенькового персонального комп'ютера з банком даних і програмним забезпеченням для зчитування і обробки даних з модуля запису/зчитування і зв'язаний...

Номер патенту: 69040

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Горбань Олександр Миколайович, Кравчина Віталій Вікторович, Костенко Валер'ян Остапович

МПК: H01L 21/70

Мітки: спосіб, виготовлення, транзисторами, комплементарними, мікросхем, інтегральних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення інтегральних схем з комплементарними транзисторами, який включає формування на монокристалічній кремнієвій пластині плівки нітриду кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, формування першої плівки двоокису кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, травлення першої групи ізолюючих канавок, формування захованого шару, формування другої плівки двоокису кремнію, відкривання вікон у плівках нітриду кремнію за...

Номер патенту: 66535

Опубліковано: 17.05.2004

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Марколенко Павел Юрьевич

МПК: G01R 31/28

Мітки: виявлення, дефектів, схем, спосіб, інтегральних

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення дефектів інтегральних схем за вольт-амперними характеристиками складових їхніх кіл, який відрізняється тим, що по черзі вимірюються вольт-амперні характеристики всіх можливих пар виходів схеми, потім шляхом порівняння з еталонними вольт-амперними характеристиками визначають дефектні кола, що мають аномальні вольт-амперні характеристики, а дефектний елемент визначають як загальний елемент цих дефектних кіл.

Номер патенту: 54718

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Дороніна Ольга Михайлівна, Лавров Геннадій Миколайович, Хомич Сергій Володимирович

МПК: H03M 1/06

Мітки: перетворювач, величин, аналого-цифровий, інтегральних, електричних, характеристик

Формула / Реферат:

1. Аналого-цифровий перетворювач інтегральних характеристик електричних величин, який має в своєму складі блоки проміжних трансформаторів, перший блок комутації аналогових сигналів, блок аналого-цифрового перетворення, який складається з аналогового комутатора, джерела опорної напруги, аналого-цифрового перетворювача, першого і другого регістрів, першого процесорного пристрою, першого дешифратора, першого тригера та першого буферного...

Номер патенту: 54770

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Дороніна Ольга Михайлівна, Хомич Сергій Володимирович, Лавров Геннадій Миколайович

МПК: H03M 1/06

Мітки: аналого-цифровий, характеристик, електричних, величин, перетворювач, інтегральних

Формула / Реферат:

Аналого-цифровий перетворювач інтегральних характеристик електричних величин, який має в своєму складі перший узгоджуючий пристрій, аналоговий комутатор, джерело опорної напруги, аналого-цифровий перетворювач, регістр, пристрій пам'яті програм, перший і другий дешифратори, процесорний пристрій, перший тригер, входи контрольованих сигналів, зовнішню шину даних та вхід запиту даних, причому входи першого узгоджуючого пристрою з'єднані з входами...

Номер патенту: 34987

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Кравців Роман Йосипович, Романюк Микола Олексійович, Костецький Олексій Михайлович

МПК: G01T 1/202, G01T 1/00

Мітки: інтегральних, великих, доз, вимірювання, випромінювання, спосіб, іонізуючого

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання великих інтегральних доз іонізуючого випромінювання, який включає опромінення чутливого елемента іонізуючим випромінюванням і наступне освітлення джерелом світла, відрізняється тим, що використовують чутливі елементи із анізотропного оптично прозорого кристала, послідовно вимірюють їх початкове двозаломлення на фіксованій довжині хвилі, що відповідає максимальній чутливості до дози радіації, поміщають щонайменше один...

Номер патенту: 33298

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Хомич Сергій Володимирович, Лавров Геннадій Миколайович, Дороніна Ольга Михайлівна, Косотуров Юрій Едуардович

МПК: H03M 1/06

Мітки: аналого-цифровий, величин, характеристик, електричних, перетворювач, інтегральних

Текст:

...аналогічно миттєвому значенню иА обробляються миттєві значення ив і и с. В кінц і цих підтактів до регістру 8 записуються коди, відповідні и с і Е/о . - В п'ятому підтакті в цифровий код перетворюється значення опорної напруги Uo . Після віднімання від цього коду усередненого зміщення нуля комутатора З і перетворювача 5, він перемножується сам на себе і результат перемноження додається 6 до суми квадратів кодів Uo за попередні такти...

Номер патенту: 26637

Опубліковано: 11.10.1999

Автори: Бразинський Вадім Іванович, Солодовнік Леонід Леонідович, Басс Валентин Петрович, Пилипенко Олександр Петрович

МПК: G01N 30/72, G01T 1/34

Мітки: молекул, розсіювання, атомів, визначення, перетинів, інтегральних, спосіб

Формула / Реферат:

Способ определения интегральных сечений рассеяния атомов и молекул, включающий пропускание молекулярного пучка через рассеивающий газ, отличающийся тем, что создают калиброванный встречный поток рассеивающего газа, измеряют концентрацию отдельных компонент молекулярного пучка, скорость молекулярного пучка и интенсивность возвратного потока рассеивающего газа, а значения интегральных сечений рассеяния определяют из системы...

Номер патенту: 22852

Опубліковано: 05.05.1998

Автори: Дмитрієва Світлана Миколаївна, Проценко Наталія Миколаївна, Решетілов Юрій Іванович, Кремзер Олександр Олександрович

МПК: A61B 5/00

Мітки: показників, добового, тракту, шлунково-кишкового, основних, моніторування, інтегральних, пристрій

Формула / Реферат:

1. Устройство для суточного мониторинга основных интегральных показателей желудочно-кишечного тракта, содержащее зонд с полым корпусом и размещенными на нем тремя датчиками давления, и электродами, подключенными к регистрирующей аппаратуре, отличающееся тем, что зонд дополнительно снабжен двумя парами электродов и пьезоэлектрическим преобразователем, к которому через капилляры подключены датчики давления, электроды подключены к регистрирующей...

Номер патенту: 21729

Опубліковано: 20.01.1998

Автори: Подобєдов Ігор Вікторович, Пампуха Ігор Володимирович, Мазанкін Сергій Дмитрович, Креденцер Борис Петрович, Рєзніков Михайло Ігорович

МПК: G06F 9/22, G06F 11/30

Мітки: пристрій, інтегральних, схем, контролю, справного, стану, великих, мікропроцесорних

Формула / Реферат:

Устройство контроля исправного состояния микропроцессорных больших интегральных схем, содержащее последовательно соединенные между собой генератор формирования тестовых воздейст­вий, объект контроля и схему сравнения, отлича­ющееся тем, что оно дополнительно содержит N-1, параллельно соединенных между собой, объектов контроля с возможностью в качестве эталонной выходной реакции для і-го (і = 1,N) объекта конт­роля использовать выходные...

Номер патенту: 18621

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Плахотка Лариса Степанівна, Воронін Валєрій Олександрович, Губа Сергій Констянтинович

МПК: H01L 21/18

Мітки: польових, схем, структур, інтегральних, арсеніду, одержання, спосіб, транзисторів, основі, шотткі, галію

Формула / Реферат:

Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов Шоттки, включающий последовательное выращивание в едином технологическом цикле на полуизолирующей подложке арсенида галлия высокоомного буферного слоя методом газофазного осаждения из смеси, содержащей трихлорид мышьяка с водородом, с использованием источника галлия, активного слоя  -типа проводимости и контактного слоя  -типа проводимости,...

Номер патенту: 18960

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Гриценко Микола Іванович, Клименко Анатолій Семенович, Мошель Микола Васильович

МПК: G01R 31/28

Мітки: елементів, схем, визначення, електричних, інтегральних, потенціалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення електричних потенціалів елементів інтегральних схем (IС), що включає формування поверхні кристалу 1С орієнтованого шару нематичного рідкого кристалу (НРК), розміщення на шарі НРК прозорої пластини з прозорим електропровідним шаром, подачу на прозорий електропровідний шар змінного потенціалу, який відрізняється тим, що фіксують момент переорієнтації НРК над елементом при різних значеннях потенціалів прозорого...

Номер патенту: 15581

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Каплунов Сергій Геннадійович, Сазонець Володимир Іванович

МПК: H05K 3/32

Мітки: інтегральних, схем, спосіб, гібридних, виготовлення

Формула / Реферат:

(57) Способ изготовления гибридных интег­ральных схем, включающий формирование проводящего рисунка с контактными пло­щадками на диэлектрической подложке и нанесение гальванического покрытия на элементы рисунка с последующей пайкой или сваркой навесных радиоэлементов к контактным площадкам, отличающийся тем, что после нанесения гальванического покрытия проводящий рисунок подвергают обработке ионами газов с энергией 0,1-5,0 кэВ в течение 3-12...

Номер патенту: 18039

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Пампуха Ігор Володимирович, Подобєдов Ігор Вікторович, Добровольський Юзеф Броніславович, Кошовий Геннадій Анатолійович, Рєзніков Михайло Ігорович

МПК: G06F 11/30, G06F 9/22

Мітки: контролю, мікропроцесорних, справного, схем, великих, стану, спосіб, інтегральних

Формула / Реферат:

Номер патенту: 11101

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Пенцак Іван Борисович, Ілюк Ігор Євгенович, Молчанов Костянтин Вікторович, Бідник Дмитро Ілліч, Чекмезов Олександр Миколайович

МПК: G01R 31/28

Мітки: схем, вивідних, дефектів, спосіб, інтегральних, виявлення, колах

Формула / Реферат:

(57) Способ обнаружения дефектов в выводных цепях интегральных схем, включающий разделение выводов на группы, подачу на объект контроля испытательного напряжения, регистрацию величины тока на выводах объекта контроля, сравнение полученного результата со значением тока утечки и отбраковку, отличающийся тем, что величину испытательного напряжения выбирают из соотношения0.1 UH =>Uи=>(1+0,02K)Ukгде Uн - номинальное напряжение,...

Номер патенту: 12278

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Безрук Борис Васильович, Благий Богдан Степанович

МПК: H01L 23/28

Мітки: великих, інтегральних, схем, пластмасовий, корпус

Формула / Реферат:

1. Пластмассовый корпус для больших интег­ральных схем, содержащий выводную рамку, скле­енную тыльной стороной с ободком, выполненным из железоникелевого сплава с зоной монтажа кри­сталла, отличающийся тем, что, с целью повыше­ния технологичности и надежности, ободок выполнен с теплокомпенсирующими угловыми прорезями, расположенными по периметру зоны монтажа кристалла, в форме шестиугольника, большая ось которого ориентирована вдоль...

Номер патенту: 11382

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Матюшин Євген Васильович, Малайдах Володимир Якович, Новосядлий Степан Петрович, Скріпов Федір Олександрович

МПК: H01L 21/70

Мітки: інтегральних, біполярних, спосіб, структур, виготовлення, схем

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур биполярных интегральных схем, включающий окисление под­ложки из р-кремния, формирование маски из ок­сида кремния с окнами для скрытых областей, формирование в подложке скрытых n+-областей, осаждение эпитаксиального n-слоя кремния, фор­мирование маски из оксида кремния с окнами для разделительных областей, формирование раздели­тельных областей, формирование маски из оксида кремния с окнами для базовой диффузии,...

Номер патенту: 11379

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович, Насипайко Олександр Васильович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 21/18

Мітки: спосіб, схем, інтегральних, великих, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления больших интеграль­ных схем, включающий формирование кремние­вой структуры с активными и пассивными элементами, формирование на ее нерабочей сторо­не соединительного слоя, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью клея, формирова­ние контактов и герметизирующего слоя, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения качества схем за счет снижения уровня механических...

Номер патенту: 11375

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Атаманчук Ярослав Дмитрович, Плескач Олександр Петрович, Бідник Дмитро Ілліч

МПК: B23K 11/06

Мітки: інтегральних, автомат, приладів, напівпровідникових, схем, герметизації

Формула / Реферат:

1. Автомат для герметизации полупроводни­ковых приборов и интегральных схем контактной шовной сваркой, включающий смонтированные на основании питатель крышек, автооператор подачи крышек, устройство ориентации крышек, свароч­ные головки поперечных и продольных швов, сва­рочный трансформатор, устройство наблюдения за качеством сварки и транспортное устройство для передачи заготовок и приборов с одной позиции на другую, отличающийся тем, что, с...

Номер патенту: 11373

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бідник Дмитро Ілліч, Лабунов Володимир Архипович, Казінов Володимир Олександрович, Ілюк Ігор Євгенович, Лазарук Сергій Костянтинович, Баранов Ігор Ліверійович, Гуменюк Степан Дмитрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: приладів, напівпровідникових, мікросхем, інтегральних, виготовлення, спосіб, металізації

Формула / Реферат:

Способ изготовления металлизации полу­проводниковых приборов и интегральных микро­схем, включающий осаждение на полупро­водниковую пластину пленки алюминия, нанесе­ние слоя фоторезиста и формирование в нем кон­фигурации дорожек межсоединений шириной до 4·10-5 м и контактных площадок, создание разде­лительного окисла пористым анодным окислением слоя алюминия, формирование пассивирующего окисла, удаление фоторезиста с контактных пло­щадок,...

Номер патенту: 10794

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Портнов Михайло Львович, Лавров Генадій Миколайович, Дороніна Ольга Михайлівна

МПК: H03M 1/06

Мітки: інтегральних, аналого-цифровий, характеристик, величин, електричних, перетворювач

Формула / Реферат:

1. Аналого-цифровой преобразователь интегральных характеристик электрических величин, содержащий согласующее устройство, первый и второй аналоговые коммутаторы, источник опорного напряжения, постоянное запоминающее устройство масштабного коэффициента и устройство управления, содержащее нуль-орган, первый и второй счетчики, первый и второй регистры, постоянное запоминающее устройство и элемент ИЛИ, причем вход нуль-органа является первым...

Номер патенту: 9783

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Пенцак Іван Борисович, Ілюк Ігор Євгенович, Молчанов Костянтин Вікторович, Остапчук Анатолій Іванович, Чекмезов Олександр Миколайович

МПК: G01R 31/01, G01R 31/28, G01R 31/26 ...

Мітки: спосіб, відбраковки, кмон, схем, інтегральних, ненадійних

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ отбраковки ненадежных КМОП интегральных схем, включающий пропускание стабильного тока между одним из питающих выводов, объединенным с входными выводами интегральной схемы, и другим питающим выводом интегральной схемы, измерение напряжения между питающими выводами интегральной схемы, отбраковку интегральной схемы по результатам измерений, отличающийся тем, что измеряют напряжение между питающими выводами интегральной схемы при...

Номер патенту: 8485

Опубліковано: 30.09.1996

Автор: Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: елементів, формування, інтегральних, системі, тонкоплівкових, схем, контактно-металізованої, спосіб

Формула / Реферат:

Способ формирования контактно-металлизированной системы тонкоплсночных элементов интегральных схем, включающий очистку под­ложки, нанесение методом напыления резистивной пленки из сплавов керметных материалов, пленки никеля или алюминия для контактных площадок и металлизации, создание топологии ре­зисторов, токоведущих шин и контактных площа­док методом фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины и повы­шения...

Номер патенту: 9158

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Букевич Юрій Дмитрович, Желєзняков Борис Григорович, Молчанов Костянтин Вікторович

МПК: H01L 21/60

Мітки: спосіб, монтажу, схем, інтегральних

Формула / Реферат:

1. Способ монтажа интегральных схем, включающий формирование контактных .площа­док кристалла и основания, нанесение на контакт­ные площадки соединительного токопроводящего материала, взаимное их ориентирование и присое­динение, отличающийся тем, что, с целью упро­щения процесса монтажа, контактные площадки формируют из ферромагнитного металла, соеди­нительным токопроводящим материалом является полимерная пленка с ферромагнитным наполните­лем,...

Номер патенту: 8765

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Петько Іван Прохорович, Шологон Іван Михайлович, Харахаш Ольга Григорівна, Волошкін Анатолій Федорович, Воронін Олександр Олексійович, Савенко Тетяна Володимирівна, Батог Анатолій Єгорович

МПК: C08K 3/20, C08L 63/00, C08K 13/02 ...

Мітки: композиція, інтегральних, мікросхем, герметизації

Формула / Реферат:

Композиция для герметизации интеграль­ных микросхем, включающая эпоксиноволачную смолу, диглицидиловый эфир фенола, отверди­тель, кремни йорганический модификатор, уско­ритель, антиадгезионную добавку и наполнитель, отличающаяся тем, что, с целью повышения фи­зико-механических и диэлектрических показате­лей и технологических свойств, она в качестве диглицидилового эфира фенола содержит дигли­цидиловый эфир тетрабромдифенилолпропана, в...

Номер патенту: 7351

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Марченко Анатолій Володимирович, Брухаль Богдан Семенович, Голеус Віктор Іванович, Козирєва Тетяна Іванівна, Різун Василь Іванович, Білий Яків Іванович, Шевченко Тамара Олександрівна, Максимович Світлана Іллівна, Прокопишин Іван Юрійович

МПК: C03C 8/08

Мітки: склофріта, інтегральних, мікросхем, гібридних, міжшарової, ізоляції

Формула / Реферат:

Стеклофритта для межслойной изоляции гибридных интегральных микросхем, включаю­щая SiO2, В2О3, BaO, MgO, отличающаяся тем, что, с целью снижения ТКЛР до (70-85):10-7•град-1 при сохранении температуры начала раз­мягчения, она дополнительно содержит ZnO и ZrO2 при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiO2 17,2-20,7; В2О3 20,0-30,5; BaO 15,6-28,2; MgO 20,5-29,2; ZnO 1,3-5,7; ZrO2 1,8-5,6.