Кербер Мартін
Високоінтегрований напівпровідниковий запам’ятовуючий пристрій та спосіб його виготовлення
Номер патенту: 46079
Опубліковано: 15.05.2002
Автор: Кербер Мартін
МПК: H01L 21/70, H01L 27/115
Мітки: пристрій, високоінтегрований, запам'ятовуючий, виготовлення, напівпровідниковий, спосіб
Формула / Реферат:
1. Високоінтегрований напівпровідниковий запам'ятовуючий пристрій, що містить n-канальні комірки постійного програмованого запам'ятовуючого пристрою з електричним стиранням (ЕСППЗП=ЕEPROM), виконані у формі колон з n+-легованою областю (6) витоку, що простягається в нижній частині колони (4), та n+-легованою областю (16) стоку, розміщеною на колоні (4), n+-легованим плаваючим затвором (14) та керуючим затвором (15), причому, горизонтальні...