H01L 27/115 — електрично програмовані постійні запам’ятовувальні пристрої

Номер патенту: 57034

Опубліковано: 16.06.2003

Автор: Темпель Георг

МПК: H01L 27/115, H01L 29/788

Мітки: комірка, самосуміщувана, енергонезалежна, запам'ятовуюча, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Самосуміщувана енергонезалежна запам'ятовуюча комірка, в якій зони витоку і стоку МОН-транзистора розміщені в поверхневій області напівпровідникової підкладки (1), причому плаваючий затвор (12) і керуючий затвор (16) МОН-транзистора, взаємно перекриваючись, розміщені в заглибленні (8), а канал (17) транзистора виконано у поверхневій зоні заглиблення (8), яка відрізняється тим, що напівкруглий канал (17) транзистора розміщений на краї...

Номер патенту: 46079

Опубліковано: 15.05.2002

Автор: Кербер Мартін

МПК: H01L 27/115, H01L 21/70

Мітки: пристрій, високоінтегрований, спосіб, виготовлення, запам'ятовуючий, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Високоінтегрований напівпровідниковий запам'ятовуючий пристрій, що містить n-канальні комірки постійного програмованого запам'ятовуючого пристрою з електричним стиранням (ЕСППЗП=ЕEPROM), виконані у формі колон з n+-легованою областю (6) витоку, що простягається в нижній частині колони (4), та n+-легованою областю (16) стоку, розміщеною на колоні (4), n+-легованим плаваючим затвором (14) та керуючим затвором (15), причому, горизонтальні...

Номер патенту: 44823

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Лаутербах Крістл, Вебер Вернер

МПК: H01L 27/115, G11C 16/06, H02M 3/04 ...

Мітки: пристрій, напруги, помноження

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вироблення негативної високої напруги, який містить щонайменше чотири з'єднаних послідовно транзистори (Х1...Х4) накачки, причому перший транзистор (Х1) накачки безпосередньо з'єднаний із входом (IN), а останній транзистор (Х4) накачки безпосередньо або опосередковано з'єднаний з виходом (OUT) пристрою, в якому затвори непарних транзисторів (Х1, Х3) накачки через перші конденсатори (11, 31) зв'язані з першим тактовим входом...