H01L 21/70 — виготовлення та обробка приладів, які з кількох твердотільних компонентів або інтегральних схем, сформованих на загальній підкладці або всередині неї, або їх особливих частин; виготовлення приладів на інтегральних схемах або їх особливих частин

Номер патенту: 99647

Опубліковано: 10.06.2015

Автор: Широков Ігор Борисович

МПК: H01L 31/10, H01L 21/70, F21S 8/00 ...

Мітки: керування, світлодіодів, пристрій, струмом

Формула / Реферат:

1. Пристрій керування струмом світлодіодів, що містить у собі мікросхему зворотноходового перетворювача напруги, випрямний діод, електролітичний конденсатор випрямляча зворотноходового перетворювача, керамічний блокувальний конденсатор, лінійку світлодіодів, баластний опір, оптоелектронний перетворювач, який відрізняється тим, що у схему зворотноходового перетворювача включений дросель, перший вивід якого з'єднаний з лінією високовольтного...

Номер патенту: 108773

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович, Монастирський Любомир Степанович

МПК: H01L 21/00, H01J 37/30, H01L 21/26 ...

Мітки: спосіб, мдн-транзистора, отримання, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким на поверхні кремнієвої підкладки р-типу формують пари n+ областей провідності з електродами стоку і витоку, підзатворний діелектрик на основі SiО2 і на ньому затворний електрод, проводять пасивацію транзистора, який відрізняється тим, що перед формуванням елементів МДН-транзистора кремнієву структуру Si-SiО2 попередньо опромінюють рентгенівськими променями зі сторони SiО2 з дозою...

Номер патенту: 88851

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Попов Володимир Михайлович, Поканевич Олексій Платонович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: H01L 21/70, G03B 7/00, G02F 1/13 ...

Мітки: мікросхеми, візуального, потенціалів, температури, поверхні, інтегральної, пристрій, відображення, електричних, кристала

Формула / Реферат:

1. Пристрій для візуального відображення електричних потенціалів і температури на поверхні кристала інтегральної мікросхеми, який містить поляризаційний мікроскоп, мікросхему з відкритою поверхнею кристала, прозорий електрод, шар нематичного рідкого кристала між прозорим електродом і поверхнею кристала мікросхеми з однорідно зорієнтованими молекулами в шарі, контактний пристрій, прилади для живлення і формування електричних режимів роботи...

Номер патенту: 43410

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Осадчук Володимир Степанович, Плахотнюк Максим Миколайович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/70

Мітки: пристрій, оптично, параметрів, прозорих, мікроелектронний, напівпровідників, контролю

Формула / Реферат:

Мікроелектроний пристрій для контролю параметрів оптично прозорих напівпровідників, який містить джерело світла, оптично зв'язане з фокусуючою системою, джерело живлення і систему контактів, з'єднаних із зразком, який відрізняється тим, що в нього введено мікроелектронний частотний перетворювач, що містить дільник напруги з двох резисторів, польовий та біполярний транзистори, індуктивність, ємність, резистор і два джерела постійної напруги,...

Номер патенту: 40317

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Сорокопуд Іван Олександрович, Воронко Андрій Анатолійович, Мальований Віктор Олександрович, Тимофєєв Микола Іванович

МПК: H01L 21/70, H04N 7/00

Мітки: телепрограм, екрані, зображення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб прийому телепрограм на екрані, що включає операції з підготовки, налагодження, випробування екрана, вибору програми, який відрізняється тим, що зображення приймають і реєструють на гнучкому екрані, наприклад аморфно-кремпієвому, регулюють і керують параметрами звучання, тембру, чіткості зображення, при цьому зменшують габарити екрана, стабілізують споживання (витрати) електроенергії.

Номер патенту: 27068

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Гомольський Дмитро Михайлович, Кравчина Віталій Вікторович, Костенко Валер'ян Остапович

МПК: H01L 21/70

Мітки: комбінованою, спосіб, комплементарних, інтегральних, транзисторів, виготовленя, схем, ізоляцією

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих структур з комбінованою діелектричною ізоляцією комплементарних транзисторів, який включає анізотропне травлення канавок під ізоляцію, окислення рельєфної поверхні підкладки, осадження на неї шару полікристалічного кремнію, формування підкладки полікристалічного кремнію та карманів з монокристалічним кремнієм, які ізольовані між собою діелектричною плівкою оксиду кремнію, осадження епітаксійної плівки з...

Номер патенту: 22865

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/265

Мітки: надтонкого, спосіб, отримання, пам'яті, шару, ефектом, транзисторів, оксиду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких шарів оксиду SiO2, за яким тонкий шар оксиду осаджують з газової фази, відпалюють у атмосфері сухого азоту та опромінюють іонами кремнію, який відрізняється тим, що як імплантовані іони Si використовують низькоенергійні іони Si+ з енергією 1-2 кеВ, а відпал здійснюють при температурі 1030-1070 °С протягом 25-30 хв у атмосфері з вмістом кисню з залишковим тиском кисню 45-50 мбар.

Номер патенту: 22539

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Кравчина Акім Віталійович, Гомольський Дмитро Михайлович, Ніконова Аліна Олександрівна, Кравчина Віталій Вікторович

МПК: H01L 21/70

Мітки: структур, спосіб, діелектрику, формування, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб формування структур кремнію на діелектрику, який включає окислення пластин кремнію, осадження плівок нітриду кремнію, проведення процесів фотолітографії, локальне травлення плівок нітриду, окислу кремнію та кремнію, локальне окислення кремнію, який відрізняється тим, що після окислення пластин кремнію осаджують плівки Si3N4 товщиною 0,1-2,0 мкм, проводять одночасно поверхнево-анізотропне травлення і селективне травлення кремнію в...

Номер патенту: 77961

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01J 37/30, H01L 21/70, H01L 29/00 ...

Мітки: отримання, спосіб, кремнієвого, мдн-транзистора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН - транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру протягом 10-30 хвилин одночасно опромінюють рентгенівськими променями...

Номер патенту: 12658

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Фомін Олександр Володимірович, Петряков Володимир Олексійович, Кравецький Михайло Юрійович

МПК: H01L 21/70, B26D 1/01

Мітки: різання, матеріалів, струнного, дріт

Формула / Реферат:

Дріт для струнного різання матеріалів, що використовується як різальний інструмент, виконаний із зносостійкого металу або сплаву, який відрізняється тим, що він виконаний у вигляді канатика, сплетеного з декількох одножильних дротів.

Номер патенту: 12212

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Петряков Володимир Олексійович, Фомін Олександр Володимірович

МПК: B26D 1/01, H01L 21/70

Мітки: абразивного, дротяного, матеріалів, різання, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для абразивного дротяного різання, що містить різальний інструмент у вигляді дроту, механізм з пасивним шківом і активним шківом, жорстко закріпленим безпосередньо на валу двигуна, керованого блоком керування, який відрізняється тим, що пасивний шків жорстко закріплений на своїй осі, двигун виконаний кроковим, вал двигуна і вісь пасивного шківа сполучені безлюфтовою передачею, а натягнення різального дроту здійснюється роликом,...

Номер патенту: 72234

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Гайманн Андреас, Гроссманн Райнер, Сіпрак Домагой, Зассе Торстен, Вітте Маркус, Фон Бассе Пауль-Вернер, Фішбах Райнхар, Ростекк Томас, Бірнер Юстін, Петерс Крістіан, Гьолльнер Райнхард, Ополка Хайнц, Шайтер Томас, Хаммер Клаус, Мельцль Міхаель

МПК: H01L 21/70, H01L 27/04, H01L 23/58 ...

Мітки: ньому, міститься, елемент, конструктивний, захисна, електронний, структура

Формула / Реферат:

1. Електронний конструктивний елемент, що містить основу (10), на яку нанесений діелектричний шар (2), виконані на діелектричному шарі електропровідні площадки (4; 14) і електропровідну захисну структуру (6), виконану у рівні над електропровідними площадками (4) таким чином, що електропровідні площадки (4; 14) не повністю покриті захисною структурою (6) і захисна структура (6) розміщена вздовж проміжних зон (Z) між електропровідними...

Номер патенту: 72342

Опубліковано: 15.02.2005

Автор: Гаммель Берндт

МПК: H01L 21/70, H01L 23/58, G06F 21/00, G06F 1/00 ...

Мітки: небажаного, схемний, інтегральну, втручання, виявлення, мікросхему, пристрій, спосіб

Формула / Реферат:

1. Схемний пристрій для виявлення небажаного втручання в інтегральну мікросхему (А, В), що містить сигнальний провідник (1), на який подано тактовий сигнал, щонайменше одну пару провідників (2, 3; 4, 5), призначену для кодування одного біта, причому сигнальний провідник (1) і щонайменше одна пара провідників (2, 3; 4, 5), призначена для кодування одного біта, під'єднані між першим і другим функціональними блоками (А, В) інтегральної...

Номер патенту: 2901

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Вербицький Володимир Григорович, Мержвинський Павло Анатолійович, Ходаковський Микола Іванович, Осінський Володимир Іванович, Кучеров Олександр Павлович, Шкляр Михайло Петрович, Олексенко Павло Феофанович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: H01L 21/70

Мітки: контролю, структур, напівпровідникових, багатошарових, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій контролю багатошарових напівпровідникових структур, що містить блок керування технологічними приладами, джерело світла, оптично зв'язане з оптичною фокусуючою системою, оптичний вихід якої через зразок, розміщений на блоці позиціювання зразка, з'єднаний з оптичним входом монохроматора, вихід якого з'єднаний із входом фотореєструючого блока, вихід якого з'єднаний з входом аналого-цифрового перетворювача, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 69040

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Костенко Валер'ян Остапович, Горбань Олександр Миколайович, Кравчина Віталій Вікторович

МПК: H01L 21/70

Мітки: спосіб, виготовлення, інтегральних, транзисторами, комплементарними, мікросхем

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення інтегральних схем з комплементарними транзисторами, який включає формування на монокристалічній кремнієвій пластині плівки нітриду кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, формування першої плівки двоокису кремнію, відкривання в ній локальних ділянок, травлення першої групи ізолюючих канавок, формування захованого шару, формування другої плівки двоокису кремнію, відкривання вікон у плівках нітриду кремнію за...

Номер патенту: 57154

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Седлак Хольгер, Райнер Роберт

МПК: G06F 1/00, G06F 12/14, G06F 21/00 ...

Мітки: тактовим, інтегральна, інтегральної, керованої, напівпровідникової, варіанти, напівпровідникова, схемі, схема, приведення, спосіб, сигналом, дію, керована

Формула / Реферат:

1. Напівпровідникова інтегральна схема, що містить певну кількість керованих тактовим сигналом (СІint), здатних виконувати операції як паралельно, так і послідовно, функціональних вузлів (S1, S2, S3, HS), яка відрізняється тим, що вихід схеми формування тактового сигналу (СІint) через керовані перемикальні пристрої (МР1, МР2, МР3, МР4) з'єднаний з тактовими входами функціональних вузлів (S1, S2, S3, HS), керуючі входи перемикальних пристроїв...

Номер патенту: 56177

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Покрандт Вольфганг, Решмайер Андреас, Целльнер Ангела

МПК: H01L 23/52, G06F 21/00, H01L 21/70 ...

Мітки: схема, впливів, захищена, зовнішніх, напівпровідникова

Формула / Реферат:

1. Напівпровідникова схема, зокрема для застосування в інтегральному модулі, що має такі ознаки:- щонайменше один робочий блок, що містить схему керування і запам'ятовуючий пристрій,- щонайменше один блок ініціалізації для тестування і/або для ініціалізації робочого блока або робочих блоків,- щонайменше один робочий блок з'єднаний через щонайменше одну з'єднувальну лінію з щонайменше одним блоком ініціалізації, яка...

Номер патенту: 55561

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Валльштаб Штефан, Пальм Херберт, Смола Міхаель

МПК: H01L 27/04, H01L 21/70, G01R 31/28 ...

Мітки: схемний, сканувальним, пристрій, дезактивовуваним, ланцюгом

Формула / Реферат:

1. Схемний пристрій, який містить певну кількість функціональних блоків (FB1...FBn), причому кожен із функціональних блоків з'єднаний зі щонайменше одним іншим функціональним блоком і щонайменше частина цих з'єднань реалізована блокувальними елементами (SFF1...SFFm), виконаний з можливістю перемикання за допомогою активувальної шини (Scan Enable) із нормального режиму в режим тестування, і який містить додатковий вхід даних і додатковий вихід...

Номер патенту: 46079

Опубліковано: 15.05.2002

Автор: Кербер Мартін

МПК: H01L 21/70, H01L 27/115

Мітки: пристрій, спосіб, високоінтегрований, виготовлення, запам'ятовуючий, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Високоінтегрований напівпровідниковий запам'ятовуючий пристрій, що містить n-канальні комірки постійного програмованого запам'ятовуючого пристрою з електричним стиранням (ЕСППЗП=ЕEPROM), виконані у формі колон з n+-легованою областю (6) витоку, що простягається в нижній частині колони (4), та n+-легованою областю (16) стоку, розміщеною на колоні (4), n+-легованим плаваючим затвором (14) та керуючим затвором (15), причому, горизонтальні...

Номер патенту: 16878

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Іващук Анатолій Васильович, Данилов Миколай Григорович, Кохан Валентин Петрович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/70

Мітки: польових, виготовлення, спосіб, структур, бар'єром, транзисторів, шоткі

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур полевых транзисторов с барьером Шотки, включающий формирование на полупроводниковой подложке активного и контактного слоев, вытравливание меза-структур, формирование областей истока и стока, вытравливание в области затвора контактного и части активного слоев, формирование барьерной части затворного электрода, формирование контактной части затворного электрода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента...

Номер патенту: 11382

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Матюшин Євген Васильович, Скріпов Федір Олександрович, Малайдах Володимир Якович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/70

Мітки: біполярних, схем, спосіб, структур, виготовлення, інтегральних

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур биполярных интегральных схем, включающий окисление под­ложки из р-кремния, формирование маски из ок­сида кремния с окнами для скрытых областей, формирование в подложке скрытых n+-областей, осаждение эпитаксиального n-слоя кремния, фор­мирование маски из оксида кремния с окнами для разделительных областей, формирование раздели­тельных областей, формирование маски из оксида кремния с окнами для базовой диффузии,...

Номер патенту: 3923

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 21/70

Мітки: термострумового, інтегральної, схемі, спосіб, тренування

Формула / Реферат:

1. Способ термотоковой тренировки интегральной схемы, включающий нагрев интегральной схемы и подачу на нее переменного напряжения, отличающийся тем что нагрев интегральной схемы осуществляют на пластине после формирования на неї структуры металлизации при температуре 85-2500С, а переменное напряжение выбирают синусоидальное или импульсное, которое прикладывают между металлизацией на пластине и подложкой интегральное схемы.2. Способ по...