Косяк Володимир Володимирович
Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних (гп) структур n-sns2/p-sns методом лазерного опромінення вихідного матеріалу sns2
Номер патенту: 116965
Опубліковано: 12.06.2017
Автори: Опанасюк Анатолій Сергійович, Косяк Володимир Володимирович, Возний Андрій Андрійович
МПК: H01L 29/00
Мітки: г.п, отримання, опромінення, вихідного, гетероперехідних, структур, спосіб, методом, матеріалу, лазерного, тонкоплівкових
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних структур n-SnS2/p-SnS, що включає вирощування шару дисульфіду олова (SnS2) з n-типом провідності шляхом термічного випаровування на підкладку вихідного матеріалу SnS2 у квазізамкненому об'ємі (КЗО), який відрізняється тим, що на поверхні одержаного шару SnS2 з n-типом провідності додатково формують однорідний за площею шар сульфіду олова (SnS) з p-типом провідності шляхом лазерного опромінення...