H01L 29/00 — Напівпровідникові прилади, спеціально призначені для випрямлення, посилення, генерування або перемикання і мають щонайменше один потенційний бар’єр, на якому має місце стрибкоподібне зміна потенціалу, або поверхневий бар’єр; конденсатори або резистори, що містять щонайменше один потенційний бар’єр, на якому має місце стрибкоподібне зміна потенціалу, або поверхневий бар’єр, наприклад мають збіднений шар з електронно-дірковий переходом або шар з підвищеною концентрацією носіїв; конструктивні елементи напівпровідникових підкладок або електродів для них

Номер патенту: 116965

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Возний Андрій Андрійович, Косяк Володимир Володимирович, Опанасюк Анатолій Сергійович

МПК: H01L 29/00

Мітки: отримання, опромінення, методом, г.п, гетероперехідних, тонкоплівкових, матеріалу, спосіб, структур, вихідного, лазерного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонкоплівкових гетероперехідних структур n-SnS2/p-SnS, що включає вирощування шару дисульфіду олова (SnS2) з n-типом провідності шляхом термічного випаровування на підкладку вихідного матеріалу SnS2 у квазізамкненому об'ємі (КЗО), який відрізняється тим, що на поверхні одержаного шару SnS2 з n-типом провідності додатково формують однорідний за площею шар сульфіду олова (SnS) з p-типом провідності шляхом лазерного опромінення...

Номер патенту: 113378

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Ярослав Олександрович

МПК: H01L 29/00, H04R 19/00

Мітки: вимірювання, тиску, пристрій, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску, який містить джерело постійної напруги, вісім резисторів, загальну шину, два конденсатори та дві вихідні клеми, введені двостоковий тензочутливий МОН-транзистор, двозатворний МОН-транзистор, біполярний транзистор, індуктивність, причому перший та другий стоки двостокового тензочутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка...

Номер патенту: 113268

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Буров Олексій Миколайович, Шитов Олександр Леонідович

МПК: H02M 1/08, H01L 29/00

Мітки: управління, тиристором, сигналу, контролю, формування, спосіб, імпульсів

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування і контролю імпульсів сигналу управління тиристором, який полягає в тому, що від вхідного сигналу почергово формують задавальні імпульси, які підсилюють в більш потужні імпульси, останні підсумовують і перетворюють в імпульси сигналу управління тиристором; крім того, більш потужні імпульси, отримані до або після підсумовування, перетворюють в імпульси контрольного сигналу; формують заборонний сигнал, який відрізняється...

Номер патенту: 106825

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/268

Мітки: спосіб, контактних, термостійких, виготовлення, метал-si, систем

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...

Номер патенту: 105284

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Замота Тарас Миколайович, Голуб Дмитро Вадимович, Гриньків Андрій Вікторович, Лисенко Сергій Володимирович, Аулін Віктор Васильович, Слонь Віктор Вікторович, Бичовий Ігор Володимирович

МПК: H01L 29/00

Мітки: режимом, електронна, система, внутрішнього, стандартизованими, керування, згорання, двигуном, кодами, помилок, самодіагностики

Формула / Реферат:

Електронна система керування двигуном внутрішнього згорання з режимом самодіагностики та стандартизованими кодами помилок, що містить електронний блок керування двигуном, систему датчиків, виконавчі пристрої та роз'єм для діагностики, яка відрізняється тим, що в роз'єм встановлюють універсальний адаптер, що містить постійний запам'ятовуючий пристрій з адаптивним набором режимів роботи датчиків двигуна та блок аналізу і передачі параметрів до...

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Семенов Олександр Володимирович, Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Сай Павло Олегович, Слєпова Олександра Станіславівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Бєляєв Олександр Євгенович, Голинна Тетяна Іванівна

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: основі, діод, ганна

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 104430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Бахтінов Анатолій Петрович, Нетяга Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01L 27/00, H01G 4/00, H01G 11/00 ...

Мітки: високочастотний, конденсатор, спіновий

Формула / Реферат:

Високочастотний спіновий конденсатор, що містить послідовно розташовані шар феромагнітного металу, шар напівпровідника n-типу провідності з нанорозмірною сильнолегованою областю на границі розділу між цим напівпровідником і феромагнітним металом, а також напівпровідниковий матеріал p-типу провідності, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал p-типу провідності беруть нанокомпозитний матеріал, який...

Номер патенту: 102617

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Піскун Сергій Жанович

МПК: H01L 31/105, H01L 29/00, H01L 31/04 ...

Мітки: напівпровідниковий, світлоструму, характеристикою, регульованою, спектральною, фотоприймач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач з регульованою спектральною характеристикою світлоструму, що містить вироджену область n-типу провідності, вироджену р-область і вироджений компенсований шар, розміщений між ними в градієнтному електричному полі, направленому від n-області до р-області, який відрізняється тим, що перпендикулярно до площини компенсованого шару створені бокові плоскопаралельні дзеркальні грані, з можливістю вводу вхідного...

Номер патенту: 71701

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Крицька Тетяна Володимирівна, Веремійченко Георгій Микитович, Маруненко Юрій Володимирович, Зоренко Олександр Вольтович, Рижков Микола Ігорович

МПК: H01L 29/00, H01L 29/864

Мітки: імпульсний, лавинно-пролітний, діод

Формула / Реферат:

1. Імпульсний лавинно-пролітний діод, який складається з кремнієвої мезаструктури типу р+ - р - n - n+, до протилежних сторін якої сформовані низькоомні контактні системи, до сторони р+ створений інтегральний тепловід визначеної товщини і форми, проміжні і контактуючі шари до сторін р+ та n+, які забезпечують приєднання до зовнішніх електричних виводів, корпуса з діелектричного матеріалу у вигляді циліндричної порожнистої втулки з...

Номер патенту: 67792

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Савчук Андрій Йосипович, Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: C30B 31/20, C30B 9/00, C30B 29/26 ...

Мітки: fesexte1-x, процес, твердих, розчинів, отримання, монокристалічних, fese, злитків

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, синтезу та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку кристалу, який вирощується.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у...

Номер патенту: 66914

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/00

Мітки: контактною, діод, основі, системою, металів, платинової, лавинно-пролітний, групи

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод, виконаний у вигляді кремнієвої мезаструктури р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані багатошарові низькоомні контактні системи, що складаються послідовно з шарів паладію, контактуючих з поверхнями кремнію р+ та n+, з'єднувальних шарів платини, сполучних шарів з плівок золота та інтегрального тепловідводу з міді до сторони р+, який відрізняється тим, що шари паладію мають оптимальну товщину L, яка находиться в...

Номер патенту: 66045

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Стовбчата Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/00, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: магнітного, сенсор, поля

Формула / Реферат:

Сенсор магнітного поля, який містить перший магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу першого магніточутливого діода, який відрізняється тим, що введені польовий та біполярний транзистори, другий магніточутливий діод, два резистори,...

Номер патенту: 57163

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 31/20, C30B 29/46, C30B 9/00 ...

Мітки: fese, злитків, fesexte1-x, отримання, розчинів, процес, твердих, полікристалічних

Формула / Реферат:

Процес створення полікристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, розміщення її у технологічній печі і проведення синтезу, який відрізняється тим, що на етапі синтезу розплав піддають дії зовнішнього магнітного поля, яке обертається навколо осі наважки.

Номер патенту: 51542

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Раєвська Нелля Сергіївна, Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: індію, фосфіду, ганна, діод

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Веремійченко Георгій Микитович, Кудрик Ярослав Ярославович, Іванов Володимир Миколайович, Конакова Раїса Васильйовна, Міленін Віктор Володимирович, Бєляєв Олександр Євгенійович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Арсєнтьєв Іван Нікітіч

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: діод, фосфіду, індія, ганна

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...

Номер патенту: 49867

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Веремійченко Георгій Микитович, Коростинська Тамара Васильовна, Личман Кирило Олексійович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/00

Мітки: діод, термостійкою, лавинно-пролітний, системою, контактною

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою, який виконано у вигляді кремнієвої мезаструктури типу р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані контактні системи, які складаються з дисиліциду паладію, послідовно нанесених тонких адгезійних шарів титану та контактуючих шарів платини або паладію, сполучних шарів з плівок золота, який відрізняється тим, що між шарами р+ i n+ і шарами силіциду паладію сформовані низькоомні шари...

Номер патенту: 42025

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Бобрицький Віталій Миколайович, Лисенко Сергій Володимирович, Лівіцький Олександр Миколайович, Панарін Дмитро Євгенійович, Аулін Віктор Васильович, Жулай Олександр Юрійович, Голуб Дмитро Вадимович, Барановський Денис Миколайович, Кузик Олександр Володимирович

МПК: F02D 43/04, H01L 29/00

Мітки: електронна, керування, система, автомобільним, внутрішнього, згоряння, двигуном

Формула / Реферат:

Електронна система керування автомобільним двигуном внутрішнього згоряння, що складається з блока взаємодії з периферичними системами автомобіля, системи виконавчих пристроїв, системи датчиків, електронного блока керування двигуном та його складових: оперативно-запам'ятовуючого пристрою, постійного запам'ятовуючого пристрою, електронно-програмованого запам'ятовуючого пристрою, інтегрованого блока керування режимами роботи двигуна, блока...

Номер патенту: 39868

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Мельник Павло Вікентієвич, Попов Валентин Георгійович, Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович, Хацевич Ігор Мирославович

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: виготовлення, кремнієвої, структури, спосіб, фотолюмінесцентної, нанокластерної

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері Аr та низькотемпературний відпал в атмосфері, що містить азот, який відрізняється тим, що спочатку проводять формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері аргону при температурі 1050-1200 °С впродовж...

Номер патенту: 85477

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Романюк Борис Миколайович, Мельник Віктор Павлович, Попов Валентин Георгійович, Гамов Дмитро Вікторович, Оберемок Олександр Степанович, Хацевич Ігор Мирославович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/00

Мітки: структури, виготовлення, спосіб, фотолюмінесцентної, кремнієвої, нанокластерної

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...

Номер патенту: 38013

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Панько Василь Васильович, Пріц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Бучук Роман Юрійович, Коперльос Богдан Михайлович

МПК: H01L 29/00

Мітки: композита, джерела, твердоелектролітичного, матеріалу, енергії, полікристалічного, застосування, міді, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 36772

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Коломоєць Володимир Васильович, Горін Андрій Євгенович, Громова Галина Володимирівна

МПК: H01L 29/00

Мітки: р-мон-транзистор

Формула / Реферат:

1. р-МОН-транзистор, що складається з монокристалічної напівпровідникової підкладинки n-типу, каналу у вигляді епітаксійної монокристалічної напівпровідникової плівки р-типу, деформуючої монокристалічної епитаксійної плівки, плівки діелектрика і металічного затвора, який відрізняється тим, що підкладинка, плівка для каналу і деформуюча епітаксійна плівка виконані в кристалографічному напрямку {100}.2. р-МОН-транзистор за п. 1, який...

Номер патенту: 30430

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Макаренко Валентин Миколайович, Ткаченко Віктор Михайлович, Бандура Іван Миколайович, Ткаченко Михайло Вікторович

МПК: H01L 29/00

Мітки: підсилювач, узгоджуючий

Формула / Реферат:

Узгоджуючий підсилювач, що містить nрn-транзистор, включений за схемою із загальним колектором, вхід бази транзистора підключений до виходу перетворювача модульованих по тривалості імпульсів у постійну напругу, що змінюється, колектор транзистора з'єднаний з позитивним виводом блока живлення, навантажувальний резистор з'єднаний з виходом підсилювача й катодом діода прив'язки пристрою керування керованого випрямляча, анод цього діода з'єднаний...

Номер патенту: 81185

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Басанець Володимир Васильович, Слєпова Олександра Станіславівна, Миколаєнко Валентина Іванівна

МПК: H01L 29/00, H01L 29/864

Мітки: діод, лавино-пролітний

Формула / Реферат:

Лавино-пролітний діод, що містить багатошарову напівпровідникову структуру із p+- р - n - n+ областями з визначеним  розподілом за площиною легуючих елементів, у якій області р-типу  і n-типу зазначеної структури створюють асиметричний перехід зі збідненим шаром, а до областей р+ і n+ сформовані омічні контакти, що не випрямляють, з антидифузійними шарами, причому з боку p+ області сформований інтегральний тепловідвід, проміжні та контактні...

Номер патенту: 26123

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Аулін Віктор Васильович, Жулай Олександр Юрійович, Панарін Дмитро Євгенійович, Бісюк Віктор Анатолійович, Лисенко Сергій Володимирович, Бобрицький Віталій Миколайович

МПК: H01L 29/00

Мітки: внутрішнього, система, автомобільним, електронна, двигуном, керування, згоряння

Формула / Реферат:

Електронна система керування автомобільним двигуном внутрішнього згоряння, що складається з електронного блока керування двигуном, системи датчиків та системи виконавчих пристроїв, яка відрізняється тим, що в електронний блок керування двигуном встановлюють блок керування режимами, що містить постійний запам’ятовуючий пристрій з набором режимів роботи двигуна та блок системи аналізу і збереження параметрів стилю керування водія, а контроль і...

Номер патенту: 77961

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/70, H01J 37/30, H01L 29/00 ...

Мітки: мдн-транзистора, отримання, спосіб, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН - транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру протягом 10-30 хвилин одночасно опромінюють рентгенівськими променями...

Номер патенту: 19977

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Никифоров Станислав Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Мінгальов Володимир Олександрович

МПК: H01L 29/00

Мітки: одноперехідний, тензотранзистор

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні та другим контактом на протилежній стороні і розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що другий контакт до бази виконано у вигляді переходу метал-напівпровідник.

Номер патенту: 8493

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: надвисокочастотний, галію, ганна, діод, арсеніду, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...

Номер патенту: 41770

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Олішевський Олександр Степанович, Рибак Роман Йосипович, Макашов Валерій Федорович, Павлинів Ярослав Ілліч

МПК: H01L 29/00

Мітки: напівпровідниковий, силовий, термодинамічною, прилад, стійкістю, високою

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий прилад з високою термодинамічною стійкістю, що містить корпус, утворений з керамічного кільця і тонких металевих манжет, що з'єднують його з двома струмопровідними електродами, між якими знаходяться випрямний елемент, який складається з напівпровідникової структури та одного або двох термокомпенсаторів, і контактні прокладки, а також центруюче ізоляційне кільце, який відрізнясться тим, що центруюче ізоляційне...

Номер патенту: 38140

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Миронов Дмитро Вікторович, Чайка Василь Євгенович, Жовнір Микола Федорович

МПК: H01L 29/00, H01J 19/00

Мітки: емітер, польовий

Текст:

...падку роль поверхні, що емітує електрони, відіграє межа поділу між матеріалом внутрішнього вістря і матеріалом зовнішнього покриття; q=1 і t2=1,1 параметри, пов'язані зі структурою катода і його матеріалу; jb - висота потенційного бар'єру між внутрішнім вістрям і зовнішнім покриттям. Очевидно, що найбільша щільність струму тунелювання має місце на вершині внутрішнього вістря внаслідок того, що на вершині внутрішнього вістря напруженість...

Номер патенту: 22218

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Назаренко Володимир Миколайович, Базилєва Ірина Валентинівна, Переверзев Анатолій Васильович, Пантюк Володимир Олександрович

МПК: H01L 27/06, H01L 29/00

Мітки: транзистор, біполярний, високовольтний

Формула / Реферат:

Высоковольтный биполярный транзистор, содержащий высоколегированную подложку n+-типа, на которой выращен эпитаксиальный высокоомный слой n-типа, в нем на расстоянии друг от друга созданы глубокие высоколегированные области р+-типа, а в промежутках между ними неглубокие высокоомные базовые р-области, в которых образованы высоколегированные n+-эмиттерные области, отличающийся тем, что между двумя р+-областями, прилегающими к базовым областям,...

Номер патенту: 22193

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Переверзев Анатолій Васильович, Гаращенко Микола Павлович, Назаренко Володимир Миколайович, Пантюк Володимир Олександрович

МПК: H01L 29/00

Мітки: індукційний, діод, статичний

Формула / Реферат:

Статический индукционный диод, содержащий базовую область n-типа, в которой на одинаковом расстоянии друг от друга сформированы глубокие области р+-типа, соединенные между собой нанесенной на поверхность структуры металлической пленкой, отличающийся тем, что в приповерхностном слое базы между р+-областями выполнен тонкий слой n+-типа, электрически соединенный с р+-областями металлической пленкой.

Номер патенту: 22192

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Антошин Сергій Володимирович, Переверзев Анатолій Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: стабілітрон, високовольтний

Формула / Реферат:

Высоковольтный стабилитрон, содержащий низковольтный стабилитрон, соединенный с источником напряжения, отличающийся тем, что он содержит статический индукционный транзистор, сток которого соединен с полюсом источника напряжения, а затвор, через низковольтный стабилитрон, соединен с истоком и с другим полюсом источника напряжения.

Номер патенту: 4739

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Коваленко Леонід Євгенійович, Іванов Володимир Миколайович, Скакун Василь Захарович

МПК: H01L 29/00

Мітки: бар'єра, шотткі, напівпровіників, спосіб, формування

Формула / Реферат:

Способ формирования барьера Шоттки к полупроводникам AIIIBV, включающий нанесение на поверхность полупроводника путем магнетронного распыления пленки из соединений типа фаз внедрения: нитридов, боридов, карбидов или силицидов переходных металлов III-V групп при подаче на полупроводниковую подложку отрицательного смещения, отличающийся тем, что проводят магнетронное распыление фазы внедрения из мишени стехиометрического состава в инертной...