Кулініч Олег Анатолійович
Спосіб формування епітаксійних шарів кремнію
Номер патенту: 93270
Опубліковано: 25.09.2014
Автори: Брусенська Галина Іванівна, Софронков Олександр Наумович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Кулініч Олег Анатолійович
МПК: H01C 17/00
Мітки: спосіб, кремнію, шарів, епітаксійних, формування
Формула / Реферат:
Спосіб формування епітаксійних шарів кремнію, що включає створення на поверхні напівпровідникової підкладки дислокації стоків радіаційних дефектів, який відрізняється тим, що на фронтальній поверхні кремнієвої підкладки перед нанесенням епітаксійного шару шляхом попереднього окислення поверхні підкладки і подальшого стравлювання шару оксиду створюється область дислокаційних сіток щільністю (109…1012) м-2.