Патенти з міткою «епітаксійних»

Номер патенту: 99230

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Мілєнін Віктор Володимирович, Редько Роман Анатолійович, Конакова Раїса Василівна, Редько Світлана Миколаївна, Швалагін Віталій Васильович

МПК: G01R 13/00

Мітки: дефектів, оцінки, дифузії, спосіб, оптичний, коефіцієнтів, точкових, основі, структурах, метастабільних, епітаксійних

Формула / Реферат:

Оптичний спосіб оцінки коефіцієнтів дифузії метастабільних точкових дефектів в епітаксійних структурах на основі GaN, що базується на вимірюванні оптичних спектрів, який відрізняється тим, що вимірюють спектри оптичного пропускання в інтервалі довжин хвиль 330-1100 нм і додатково вимірюють спектри фотолюмінесценції в інтервалі 350-600 нм, після чого контрольовані структури піддають впливу імпульсного магнітного поля з індукцією 40-80 мТл,...

Номер патенту: 93270

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Брусенська Галина Іванівна, Кулініч Олег Анатолійович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Софронков Олександр Наумович

МПК: H01C 17/00

Мітки: кремнію, спосіб, епітаксійних, шарів, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування епітаксійних шарів кремнію, що включає створення на поверхні напівпровідникової підкладки дислокації стоків радіаційних дефектів, який відрізняється тим, що на фронтальній поверхні кремнієвої підкладки перед нанесенням епітаксійного шару шляхом попереднього окислення поверхні підкладки і подальшого стравлювання шару оксиду створюється область дислокаційних сіток щільністю (109…1012) м-2.

Номер патенту: 93097

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Цибуленко Вадим Володимирович, Боскін Олег Осипович, Євдокимов Олексій В'ячеславович

МПК: C30B 19/00

Мітки: шарів, спосіб, рідинної, фазі, отримання, епітаксійних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних шарів з рідинної фази, що полягає у процесі гомогенізації, виходу на задану температуру, підведенні розчину-розплаву до поверхні робочої підкладки і їх контакті та зниженні температури на задану величину, який відрізняється тим, що контакт робочої підкладки з розчином-розплавом проводять сегментарно по поверхні робочої підкладки за допомогою пристрою сканування.

Номер патенту: 73670

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович, Тимчишин Вікторія Романівна

МПК: H01L 21/208

Мітки: епітаксійних, структур, отримання, касета, графітова, двосторонніх

Формула / Реферат:

Графітова касета для отримання двосторонніх епітаксійних структур, що складається з корпусу з отвором для зливу розчинів-розплавів у поршневу камеру, контейнера для розчинів-розплавів з кришкою, тримача підкладки, поршня, двох допоміжних пластин, яка відрізняється тим, що у корпусі виконана нижня поршнева камера і отвір, який суміщається з отворами, виконаними в поршні та допоміжній пластині, призначеними для зливу розчинів-розплавів із...

Номер патенту: 73666

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Круковський Семен Іванович, Сиворотка Наталія Ярославівна, Ваків Микола Михайлович, Круковський Ростислав Семенович

МПК: H01L 27/14

Мітки: реакцій, епітаксійних, виготовлення, газотранспортних, спосіб, методом, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення епітаксійних шарів InP методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - індію, а як джерела елемента п'ятої групи - трихлорид фосфору з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (750-820 °С) до фосфору та утворення тут хлориду індію, які транспортують у низькотемпературну зону (690-710 °С), кристалізують на підкладці у вигляді InP, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 68203

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/20

Мітки: монокристалічних, підкладках, кремнієвих, арсенід-галієвих, формування, спосіб, епітаксійних, шарів

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, який полягає в тому, що епітаксійні шари наносять на наперед підготовлених монокремнієвих підкладках, розорієнтованих на кут <4°, який відрізняється тим, що нанесення вихідних епішарів арсеніду галію здійснюється шляхом використання надвисокочастотного збудження плазми з розподіленим електронно-циклотронним резонансом на основі...

Номер патенту: 96837

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Кавич Володимир Йосипович, Морозов Леонід Михайлович, Писаревський Володимир Костянтинович

МПК: C23C 14/24, B23K 26/06, C23C 16/00 ...

Мітки: шарів, спосіб, одержання, епітаксійних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання епітаксійних шарів, в якому підігрівають підкладку та мішень, випаровують матеріал мішені, транспортують пару та конденсують на підкладку у вакуумній камері, який відрізняється тим, що попередньо підготовлені підкладку та мішень розміщують на відстані 50±5 мм у вакуумній камері з тиском 10-5-10-7 Па, після чого підкладку підігрівають до температури 180-250 °С зовнішнім нагрівачем, а мішень нагрівають імпульсним лазерним...

Номер патенту: 94699

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Ігорович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/00, H01L 21/20 ...

Мітки: спосіб, епітаксійних, масивами, точок, наногетероструктур, квантових, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, що включає нагрів до температури  монокристалічної підкладки і насичених розчинів заданого складу, приведення лицевої поверхні підкладки в контакт з розчином для вирощування квантових точок, а тильної поверхні підкладки - в контакт з теплопоглиначем, що має температуру

Номер патенту: 92377

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Кондратенко Максим Максимович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Маниліч Михайло Іванович

МПК: C30B 23/02, H01L 21/203

Мітки: свинцю, індієм, розчинів, спосіб, телуридів, легованих, фоточутлівих, твердих, олова, епітаксійних, одержання, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання фоточутливих епітаксійних шарів твердих розчинів телуридів свинцю і олова, легованих індієм, який включає випаровування матеріалу джерела пари у вакуумі і вирощування методом гарячої стінки епітаксійних шарів на сколотій в кристалографічній площині (111) підкладці з фториду барію, який відрізняється тим, що для випаровування беруть матеріал хімічного складу (Рb1-xSnх)1-уІnуТе1+d, де 0,34 £ х £ 0,35, 0,015 £...

Номер патенту: 50362

Опубліковано: 10.06.2010

Автори: Круковський Ростислав Семенович, Круковський Семен Іванович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 27/14

Мітки: епітаксійних, шарів, спосіб, виготовлення, чистих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення чистих епітаксійних шарів InAs методом рідиннофазної епітаксії, що включає використання індію як розчинника, введення в нього ітербію або гадолінію в кількості 0,002-0,003 мол. % та кристалізацію шару InAs в інтервалі температур 650-600 °С на підкладці InAs, який відрізняється тим, що в розчин-розплав індію додається алюміній в кількості 0,001-0,003 мол. %.

Номер патенту: 43134

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Михащук Юрій Сергійович, Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович

МПК: H01L 27/14

Мітки: епітаксійних, реакцій, газотранспортних, шарів, виготовлення, методом, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення епітаксійних шарів GaAs методом газотранспортних реакцій, що включає використання як джерела елемента третьої групи - галію, а  як джерела арсену - трихлорид арсену з наступним відновленням його у високотемпературній зоні (780-850 °С) до арсену, та утворення тут хлориду галію, які, транспортуючись у низькотемпературну зону (730-750 °С), кристалізуються на підкладці у вигляді GaAs, який відрізняється тим, що галієве джерело...

Номер патенту: 42200

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Дьяк Віталій Пилипович

МПК: H01L 31/18

Мітки: діодних, n-p+-типу, високотемпературних, спосіб, температури, епітаксійних, структур, сенсорів, галію, отримання, фосфіду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що включає послідовні операції епітаксійного нарощування з рідкої фази на леговану телуром підкладку n+-GaP епітаксійних шарів бази n-GaP й емітера p+-GaP, який відрізняється тим, що шар бази n-GaP формують зонною перекристалізацією в градієнті температур 0,5÷1,5 К/мм при температурі підкладки 80÷850 °С, а в...

Номер патенту: 39071

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: випромінювання, фотовольтаїчних, спосіб, діапазону, галію, детекторів, структур, епітаксійних, арсеніду, отримання, рентгенівського

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого...

Номер патенту: 34736

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/02

Мітки: галію, спосіб, арсеніду, інфрачервоного, отримання, епітаксійних, структур, випромінювання, світлодіодів, діапазону

Формула / Реферат:

Спосіб отримання р-n структур арсеніду галію для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання з рідкої фази, при якому епітаксійне вирощування проводять на підкладці арсеніду галію шляхом примусового охолодження з обмеженого об'єму насиченого розчину арсеніду галію, легованого амфотерною домішкою кремнію, який відрізняється тим, що до розплаву галію добавляють ізовалентний компонент вісмуту в кількості 5-15 ат. %, а вміст кремнію в...

Номер патенту: 80624

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Кондратенко Максим Максимович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: C30B 23/02

Мітки: pb1-xsnxte, епітаксійних, одержання, шарів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання епітаксійних шарів , який включає випаровування матеріалу джерела пари у вакуумі і вирощування методом гарячої стінки епітаксійних шарів на сколоту в кристалографічній площині (111) підкладку з фториду барію, який відрізняється тим, що для випаровування беруть матеріал хімічного складу де...

Номер патенту: 14281

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Баганов Євген Олександрович

МПК: C30B 29/40, C30B 19/00, H01L 21/208 ...

Мітки: епітаксійних, шарів, фазі, рідкої, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання епітаксійних шарів із рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт із робочою поверхнею підкладки, нагрітої до такої ж температури, охолодження підкладки за допомогою приведення поверхні підкладки, що протилежна робочій, у контакт із теплопоглиначем, проведення кристалізації та переривання контакту підкладки з розчином-розплавом, який відрізняється тим, що охолодження...

Номер патенту: 40766

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Савчук Віктор Костянтинович, Попович Дмитро Іванович, Котлярчук Богдан Костянтинович

МПК: H01B 12/00

Мітки: надпровідних, спосіб, одержання, епітаксійних, металооксидів, високотемпературних, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання епітаксійних плівок високотемпературних надпровідних металооксидів шляхом імпульсної лазерної кристалізації квазіаморфних плівок Y-Ba-Cu-0 який відрізняється тим, що кристалізацію, попередньо напилених при температурі Ts=500-550°С на монокристалічну підкладку в кисневій атмосфері квазіаморфних плівок Y-Ba-Cu-0 товщиною 0,1-1,0 мкм, здійснюють в атмосфері кисню імпульсами лазерного випромінювання (λ=1,06 мкм)...

Номер патенту: 33040

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Юрчишин Петро Іванович, Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович, Юр'ев Сергій Олексійович

МПК: H01F 10/10, C30B 19/00

Мітки: доменами, плівок, магнітними, епітаксійних, ферит-гранатів, вирощування, спосіб, циліндричними

Номер патенту: 25599

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Варшава Славомир Степанович, Костюк Петро Степанович, Ющук Степан Іванович

МПК: H01F 41/14, H01F 10/08

Мітки: плівок, вирощування, гранату, заміщеного, епітаксійних, залізо-ітрієвого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних плівок заміщеного залізо-ітрієвого гранату методом рідкофазної епітаксії, що включає занурення підкладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворюючих окислів Fe2O3, Y2O3, La2O3 і розчинника PbO, B2O3 і осадження плівок при заданих режимах, який відрізняється тим, що в склад суміші додають Sc2O3 і вміст окислів в суміші беруть, моль. %: PbO - 81,021; В2O3 - 5,184; Fe2O3 - 13,265;...

Номер патенту: 25786

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Белей Мирон Іванович, Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович, Шепетюк Володимир Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 29/46

Мітки: епітаксійних, спосіб, плівок, отримання, snте)х

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних плівок (SnTe)x(PbSe)1-x шляхом нагріву підкладки до температури Tп, випаровування вихідної речовини при Tв, нагріву стінок реактора до Tс, додаткового джерела халькогену до Tд, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а як вихідну речовину - суміш компонентів SnTe i PbSe при х = 0,7, причому підкладку нагрівають до Tп = 570 - 630К, суміш компонентів випаровують при Tв = 820К, стінки...

Номер патенту: 25785

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Шепетюк Володимир Андрійович, Буджак Ярослав Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 29/46

Мітки: епітаксійних, вирощування, спосіб, шарів, snте)х

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (SnTe)x(PbSe)1-x, що включає нагрів вихідної речовини до температури Tв, стінок реактора до Tс, підкладки до Tп, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а вихідною речовиною служить синтезований полікристалічний твердий розчин (SnTe)x(PbSe)1-x, для одержання шарів n-типу провідності його склад вибирають при x до 0,2, для одержання шарів p-типу провідності x = 0,2 - 1,0,...

Номер патенту: 25348

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: епітаксією, одержання, арсеніду, основах, епітаксійних, шарів, рідкофазною, кремнієвих, галію, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...