H01C 17/00 — Способи і пристрої, спеціально призначені для виготовлення резисторів

Номер патенту: 93270

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Кулініч Олег Анатолійович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Софронков Олександр Наумович, Брусенська Галина Іванівна

МПК: H01C 17/00

Мітки: кремнію, епітаксійних, шарів, спосіб, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування епітаксійних шарів кремнію, що включає створення на поверхні напівпровідникової підкладки дислокації стоків радіаційних дефектів, який відрізняється тим, що на фронтальній поверхні кремнієвої підкладки перед нанесенням епітаксійного шару шляхом попереднього окислення поверхні підкладки і подальшого стравлювання шару оксиду створюється область дислокаційних сіток щільністю (109…1012) м-2.

Номер патенту: 90549

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Бугайова Тетяна Миколаївна, Лавренова Тетяна Іванівна, Лепіх Ярослав Ілліч

МПК: H01C 17/00

Мітки: низькоомний, елементів, товстоплівкових, резистивний, матеріал

Формула / Реферат:

Низькоомний резистивний матеріал для товстоплівкових елементів, що містить струмопровідну фазу на основі оксидних з'єднань рутенію, срібла та паладію, стеклозв'язуюче, органічне сполучне, який відрізняється тим, що як стеклозв'язуюче використовують легкоплавке скло наступного складу, (мас, %): Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 5,0-8,5 ...

Номер патенту: 80418

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Софронков Олександр Наумович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01C 17/00

Мітки: спосіб, карбіду, порошків, отримання, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання порошків карбіду кремнію, в якому проводиться нагрів газів-реагентів силану та етилену, який відрізняється тим, що нагрів газів проводиться випромінюванням СО2-лазера.

Номер патенту: 68124

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Лавренова Тетяна Іванівна, Лепіх Ярослав Ілліч, Бугайова Тетяна Миколаївна, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01C 17/00, C03C 14/00

Мітки: легкоплавке, резисторів, скло, товстоплівкових

Формула / Реферат:

Легкоплавке скло для товстоплівкових резисторів, що включає SiO2, Ві2О3, СdO, яке відрізняється тим, що додатково містить ZnO, MgO, В2О3, а інгредієнти узяті в наступному співвідношенні (%, мас): Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 5,0-8,5 В2О, 7,5-10,0 CdO 3,0-8,5 ...

Номер патенту: 38932

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Тельніков Євгеній Якович, Гончар Артур Григорович, Рудь Борис Михайлович, Захарченко Ігор Віталійович, Шелудько Володимир Євгенійович, Паустовський Олександр Васильович

МПК: H01C 17/00

Мітки: підвищення, коефіцієнта, плівки, резистивної, товстої, спосіб, тензочутливості

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення коефіцієнта тензочутливості резистивної товстої плівки на основі твердого розчину діоксиду олова, легованого сурмою, який відрізняється тим, що поверхню плівки оброблюють лазером, який працює в режимі модульованої добротності резонатора при таких параметрах випромінювання: довжина хвилі l=1,06 мкм, енергія імпульсу Е=160×10-3 Дж, тривалість імпульсу t=15×10-9с.

Номер патенту: 19573

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Саріков Андрій Вікторович, Баганов Євген Олександрович, Чернов Андрій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01C 17/00

Мітки: підкладці, аiii, полікристалічних, шарів, аморфний, неорієнтуючій, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких полікристалічних шарів сполук АIII BV на неорієнтуючій аморфній підкладці, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III і V групи, нагрівання структури у градієнті температури до температури розплавлення розчину-розплаву, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що застосовується аморфна підкладка з...

Номер патенту: 10404

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Чернов Андрій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Саріков Андрій Вікторович

МПК: H01C 17/00

Мітки: спосіб, шарів, тонких, ііі, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких шарів сполук АІІІВV, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III групи, нагріву структури у градієнті температури до температури початку епітаксії, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що насичення розчину-розплаву здійснюють із шару термічно напиленого елемента V групи в градієнті температури,...

Номер патенту: 3859

Опубліковано: 15.12.2004

Автор: Бергал Михайло Юхимович

МПК: H01C 3/00, H01C 17/00

Мітки: спосіб, номіналу, припасовування, резистора, опору

Формула / Реферат:

Спосіб припасовування номіналу опору резистора, що включає операції включення токових виводів резистора в розрив ланцюга навантаження, а потенційних виводів резистора у вимірювальний ланцюг, закріплення одного з потенційних виводів на резисторі на початку шляху проходження струму по ньому і зміни величини опору резистора у вимірювальному ланцюзі, який відрізняється тим, що попередньо вимірюють поточне значення струму через резистор, для цього...

Номер патенту: 67527

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Нікітін Вадим Едуардович, Ротнер Сергій Михайлович

МПК: H01C 17/00

Мітки: покриття, спосіб, отримання, резистивного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання резистивного покриття, який здійснюється шляхом плазмохімічного синтезу алмазоподібної плівки з вуглецевмісного матеріалу на підігрітій підкладці з одночасним легуванням її металом, який відрізняється тим, що синтез здійснюють при температурі підкладки 550-900°С, а отриману алмазоподібну плівку піддають двостадійному відпалюванню, причому на першій стадії відпалювання проводять при температурі синтезу, а на другій стадії...

Номер патенту: 31815

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Шкумбатюк Петро Степанович, Венгер Евген Федорович, Возний Орест Зеновійович, Варшава Славомир Степанович, Прохорович Анатолій Вікторович

МПК: G01N 27/12, G01K 7/00, G01N 19/00 ...

Мітки: датчика, виготовлення, спосіб, напівпровідникового, терморезистивного

Текст:

...аморфного сплаву QeTe , відокремлюють підкладку І на сплав наносять з про тилежних сторін [п -контакти. Використання лазерної технологїі сплавлення пластинки Тв підкладкою Н-Оє з при певних режимах дозволяє порівняно просто одержати аморфний ибТє , який є основою для створення напівпровідникового тернорезистивного датчика; нові властивості аморфного сплаву забезпечують те, що датчик, крім температури, може вимірювати І другий...