Курмашев Шаміль Джамашевич

Номер патенту: 99523

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Поляков Сергій Миколайович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Веремйова Ганна Вікторівна

МПК: H01L 31/10

Мітки: пристрій, фотоприймальний

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій на базі одноперехідного фототранзистора, який ввімкнено в схему генератора релаксаційних коливань з струмозадаючим елементом в ланцюжку бази і конденсатором С в ланцюжку емітер-база, який заряджений через біполярний фототранзистор, який відрізняється тим, що як струмозадаючий елемент бази одноперехідного фототранзистора використовується МДН-фототранзистор, в якому між металевим шаром затвору і діелектриком...

Номер патенту: 99283

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Поляков Сергій Миколайович, Веремйова Ганна Вікторівна

МПК: G02F 1/00, H01L 31/10

Мітки: оптичний, модулятор

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, виготовлений з напівпровідникової структури, що містить p- і n-області, а також омічні контакти до них, який відрізняється тим, що проміж p- і n-областями розміщено напівпровідник з забороненою зоною, меншою, ніж заборонені зони p- і n-областей.

Номер патенту: 93270

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Кулініч Олег Анатолійович, Брусенська Галина Іванівна, Курмашев Шаміль Джамашевич, Софронков Олександр Наумович

МПК: H01C 17/00

Мітки: формування, спосіб, епітаксійних, шарів, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб формування епітаксійних шарів кремнію, що включає створення на поверхні напівпровідникової підкладки дислокації стоків радіаційних дефектів, який відрізняється тим, що на фронтальній поверхні кремнієвої підкладки перед нанесенням епітаксійного шару шляхом попереднього окислення поверхні підкладки і подальшого стравлювання шару оксиду створюється область дислокаційних сіток щільністю (109…1012) м-2.

Номер патенту: 92282

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Веремйова Ганна Вікторівна, Поляков Сергій Миколайович

МПК: H01L 31/10

Мітки: основі, генератор, одноперехідного, транзистора

Формула / Реферат:

Генератор на основі одноперехідного транзистора, що містить одноперехідний транзистор на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що базовий контакт до модульованої частини основи одноперехідного транзистора являє собою другий р-n-перехід.

Номер патенту: 89074

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Софронков Олександр Наумович

МПК: H01L 31/10, G02F 1/00

Мітки: модулятор, оптичний

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, виготовлений з напівпровідникової структури, що містить р-n-перехід, а також омічні контакти до р- і n-областей, який відрізняється тим, що р-n-перехід виготовлено з напівпровідників з різною шириною забороненої зони.

Номер патенту: 82586

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Веремйова Ганна Вікторівна, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: пристрій, фотоприймальний

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій, що містить вимірювальний міст з чотирьох елементів в плечах та фотоприймачі, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи використано польові фототранзистори, причому як два фототранзистори з позитивним знаком фоточутливості, розташованих в протилежних плечах мосту, використовуються МДН-фототранзистори, а як два інших, з негативним знаком фоточутливості, використовуються МДН-фототранзистори з прошарком...

Номер патенту: 80418

Опубліковано: 27.05.2013

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Софронков Олександр Наумович

МПК: H01C 17/00

Мітки: отримання, спосіб, порошків, карбіду, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання порошків карбіду кремнію, в якому проводиться нагрів газів-реагентів силану та етилену, який відрізняється тим, що нагрів газів проводиться випромінюванням СО2-лазера.

Номер патенту: 79408

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Веремйова Ганна Вікторівна, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймальний, пристрій

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій, що містить вимірювальний міст з чотирьох елементів в плечах, включно фотоприймачі, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи використано фоторезистори, причому як два фоторезистори з позитивним знаком фоточутливості, розташовані у протилежних плечах мосту, використано сірчано-кадмієві фоторезистори, а як два інші, з негативним знаком фоточутливості, використано фоторезистори, які виготовлено із...

Номер патенту: 76593

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Годованюк Василь Миколайович, Веремйова Ганна Вікторівна

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить генератор на одноперехідному фототранзисторі, в електричний контур емітера якого ввімкнутий конденсатор, який відрізняється тим, що як конденсатор використовується МДН-структура, електрична ємність якої зменшується із зменшенням напруги.

Номер патенту: 70407

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Бугайова Тетяна Миколаївна, Лавренова Тетяна Іванівна, Курмашев Шаміль Джамашевич, Лепіх Ярослав Ілліч

МПК: B23K 35/24, B23K 35/36, B23K 1/00 ...

Мітки: пастоподібний, припій

Формула / Реферат:

Пастоподібний припій, що містить суміш каніфолі, дибутилфталату, порошку припою ПОС-61, касторового масла, який відрізняється тим, що склад додатково містить янтарну кислоту, гліцерин, спирт етиловий, а інгредієнти узяті у наступному співвідношенні (% по масі): каніфоль 4-8 дибутилфталат 2-4 касторове масло 1-3 янтарна...

Номер патенту: 68148

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Горбачов Віктор Едуардович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Марколенко Павло Юрійович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, на базі генератора релаксаційних коливань, що вміщує кремнієвий одноперехідний фототранзистор, в електричний контур емітера якого ввімкнуто конденсатор і кремнієвий біполярний фототранзистор, який відрізняється тим, що біполярний фототранзистор виконано з германію.

Номер патенту: 68124

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Лавренова Тетяна Іванівна, Курмашев Шаміль Джамашевич, Бугайова Тетяна Миколаївна, Лепіх Ярослав Ілліч

МПК: C03C 14/00, H01C 17/00

Мітки: резисторів, легкоплавке, товстоплівкових, скло

Формула / Реферат:

Легкоплавке скло для товстоплівкових резисторів, що включає SiO2, Ві2О3, СdO, яке відрізняється тим, що додатково містить ZnO, MgO, В2О3, а інгредієнти узяті в наступному співвідношенні (%, мас): Ві2О3 66,0-73,5 ZnO 7,0-12,0 SiO2 5,0-8,5 В2О, 7,5-10,0 CdO 3,0-8,5 ...

Номер патенту: 62665

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Лавренова Тетяна Іванівна, Бугайова Тетяна Миколаївна, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: B23K 35/22

Мітки: припоями, лудіння, флюс, паяння, легкоплавкими

Формула / Реферат:

Флюс для лудіння і паяння легкоплавкими припоями, що містить суміш амонію малеїновокислого, янтарної кислоти, інгібіторів корозії, розчинника, який відрізняється тим, що склад додатково містить карбамід, а інгредієнти узяті в наступному співвідношенні (%, мас.): янтарна кислота 3,0-5,0 карбамід 2,0-4,0 амоній малеїновокислий 0,1-0,2 ...

Номер патенту: 62371

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Бугайова Тетяна Миколаївна, Лавренова Тетяна Іванівна

МПК: B23K 35/24, B23K 35/22

Мітки: розплаву, склад, низькотемпературного, припою, захисту

Формула / Реферат:

Склад для захисту розплаву низькотемпературного припою, що містить суміш гліцерину, сечовини і інгредієнта, який відрізняється тим, що як інгредієнт, який захищає розплав припою від окислення, склад додатково містить олеїнову кислоту, порошок карбіду кремнію з дисперсністю 1-20 мкм, а інгредієнти взяті в наступному співвідношенні (в % мас.): гліцерин, сечовина (у співвідношенні 2:1) 10-25 ...

Номер патенту: 58429

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Німцович Андрій Іванович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Вікуліна Лідія Федорівна

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить одноперехідний фототранзистор на базі напівпровідника n-типу провідності з двома омічними контактами, емітерним p-n-переходом між ними та областю n-типу в емітерній р-області, який відрізняється тим, що в емітерній p-області сформовано додаткову область n-типу.

Номер патенту: 57636

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Корецький Валерій Миколайович, Сидорець Ростислав Григорович, Вікулін Іван Михайлович, Смирнов Анатолій Миколайович

МПК: B23K 35/36, B23K 35/24, B23K 1/00 ...

Мітки: паста, лудіння, паяння

Формула / Реферат:

Паста для лудіння і паяння, що містить суміш каніфолі, дибутилфталату, порошку припою ПОС-61, яка відрізняється тим, що склад пасти додатково містить касторове масло, діетиламін солянокислий, малеїнову кислоту або малеїновий ангідрид, а інгредієнти узяті у наступному співвідношенні (в % по масі): каніфоль 1-11 дибутилфталат 2-4 касторове масло ...

Номер патенту: 56300

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Лавренова Тетяна Іванівна, Курмашев Шаміль Джамашевич, Бугайова Тетяна Миколаївна, Садова Ніна Миколаївна

МПК: B23K 1/00

Мітки: паяння, паста, лудіння

Формула / Реферат:

Паста для лудіння і паяння, що містить суміш каніфолі (або кедрового бальзаму), бутилкарбітолацетату, порошку припою ПОС-61, яка відрізняється тим, що склад пасти додатково містить янтарну кислоту, діазоамінобензол, етиловий спирт, а інгредієнти узяті в наступному співвідношенні (в % по масі): каніфоль 2-8 бутилкарбітолацетат 10,5-3,5 янтарна кислота ...

Номер патенту: 55255

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Лавренова Тетяна Іванівна, Бугайова Тетяна Миколаївна

МПК: B23K 35/34, B23K 35/24

Мітки: розплаву, припою, захисту, склад, окислення

Формула / Реферат:

Склад для захисту розплаву припою від окислення, що містить суміш гліцерину, сечовини і порошки оксидів металів з дисперсністю 5-15 мкм, який відрізняється тим, що як інгредієнт, який захищає розплав припою від окислення, склад додатково містить порошок графіту з дисперсністю 1-15 мкм, а інгредієнти узяті в наступному співвідношенні (в % по масі): гліцерин, сечовина (у співвідношенні 2:1) 10-25 ...

Номер патенту: 53618

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Сидорець Ростислав Григорович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: G01L 9/04

Мітки: тензотранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні і другим омічним контактом на протилежній стороні та розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що поруч з другим омічним контактом на базі розташовано перехід метал-напівпровідник, який електрично поєднано з цим омічним контактом.

Номер патенту: 49256

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікуліна Лідія Федорівна, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 29/82

Мітки: сенсор, магніточутливий

Формула / Реферат:

Магніточутливий сенсор, що містить генератор релаксаційних коливань на базі одноперехідного транзистора, який доповнено конденсатором С, який відрізняється тим, що до схеми генератора включений біполярний магнітотранзистор в двополюсному включенні (тобто з відключеною базою).

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Лавренова Тетяна Іванівна, Бугайова Тетяна Миколаївна

МПК: B23K 35/24, B23K 35/34

Мітки: склад, окислення, розплаву, припою, захисту

Формула / Реферат:

Склад для захисту розплаву припою від окислення, що містить суміш гліцерину і інгредієнта, який відрізняється тим, що як інгредієнти, які захищають розплав припою від окислення, склад додатково містить сечовину, порошок оксидів металів з дисперсністю 5-15 мкм, а інгредієнти узяті в наступному співвідношенні, мас. %: гліцерин, сечовина (у співвідношенні 2:1) 10-25 порошки оксидів металів...

Номер патенту: 28502

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Міронченко Тетяна Іванівна, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: G02F 1/01

Мітки: модулятор, оптичний

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, виготовлений з напівпровідникового кристала, що містить р-n-перехід, а також омічний контакт, який відрізняється тим, що на напівпровідниковому кристалі поблизу р-n-переходу розміщено додатковий омічний контакт, який електрично сполучено з р-n-преходом, що здатний забезпечити порогове змінення оптичної прозорості напівпровідникового кристала.

Номер патенту: 19850

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Лавренова Тетяна Іванівна, Бугайова Тетяна Миколаївна, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: B23K 35/00

Мітки: паяння, низькотемпературного, флюс

Формула / Реферат:

Флюс для низькотемпературного паяння, що містить як флюсуючий компонент малеїнову кислоту, який відрізняється тим, що додатково містить формамід, етиленгліколь та воду при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %: малеїнова кислота 0,3-10 формамід 5-20 етиленгліколь 5-10 вода решта.

Номер патенту: 19849

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Бугайова Тетяна Миколаївна, Лавенова Тетяна Іванівна

МПК: B23K 35/00

Мітки: паяння, флюс, низькотемпературного

Формула / Реферат:

Флюс для низькотемпературного паяння, що містить як флюсуючий компонент янтарну кислоту, а також спирт, який відрізняється тим, що додатково містить амоній малеїновокислий, діазоамінобензол та бензотриазол при наступному співвідношенні інгредієнтів: амоній малеїновокислий 0,5-1,5 янтарна кислота 3,0-5,0 діазоамінобензол 0,2-0,4 ...

Номер патенту: 20016

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Панфілов Максим Іванович, Никифоров Станислав Миколайович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фототранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний фототранзистор, що містить напівпровідник n-типу з двома омічними базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що в p-області р-n-переходу сформовано додаткову область n-типу.

Номер патенту: 19977

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Никифоров Станислав Миколайович, Мінгальов Володимир Олександрович

МПК: H01L 29/00

Мітки: одноперехідний, тензотранзистор

Формула / Реферат:

Одноперехідний тензотранзистор, що містить базовий напівпровідник з першим омічним контактом до нього на одній стороні та другим контактом на протилежній стороні і розташованим поруч з ним емітерним p-n-переходом, який відрізняється тим, що другий контакт до бази виконано у вигляді переходу метал-напівпровідник.

Номер патенту: 19922

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Мінгальов Володимир Олександрович, Никифоров Станислав Миколайович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить чотиришарову p-n-p-n структуру, який відрізняється тим, що містить чотири чотирьохшарові p-n-p-n структури, при цьому аноди та примикаючи до них бази суміщені та є спільними до всіх фототиристорів, а колектори і катоди усередині них розташовані навкруги анода на рівній відстані від нього.