Кутраков Олексій Петрович

Номер патенту: 119016

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Островський Ігор Петрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Кутраков Олексій Петрович

МПК: G01B 7/16, H01L 43/00, G01K 7/22 ...

Мітки: кріогенних, датчик, температур, багатофункційний

Формула / Реферат:

Багатофункційний датчик для кріогенних температур, який містить два тензорезистори на основі ниткоподібних кристалів із кристалографічною орієнтацією [111], один з яких ниткоподібний кристал германію р-типу провідності, закріплені на підкладці з немагнітного матеріалу, паралельно один одному та перпендикулярно до терморезистора з кремнію р-типу провідності, який відрізняється тим, що другий тензорезистор виконаний з антимоніду індію n-типу...

Номер патенту: 111724

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Кутраков Олексій Петрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Корецький Роман Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01V 1/52, G01V 1/16

Мітки: датчик, сейсмічний, вібрацій

Формула / Реферат:

Сейсмічний датчик вібрацій, який складається з корпусу, в якому інерційна маса закріплена на пружині та з'єднана з пружним елементом, на якому розміщені тензорезистори, сполучені у вимірювальну схему, який відрізняється тим, що тензорезистори виконані на основі ниткоподібних кристалів кремнію з кристалографічною орієнтацією.

Номер патенту: 107892

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Кутраков Олексій Петрович

МПК: G01K 7/02, H01L 35/34

Мітки: теплового, випромінювання, датчик

Формула / Реферат:

Датчик теплового випромінювання, який містить термопари, з'єднані послідовно, гарячі кінці яких розташовані на шарі пористого кремнію, а холодні - на монокристалічній кремнієвій підкладці, що розділені шарами діелектриків SiO2 та Si3N4, який відрізняється тим, що термопари виконані на основі контакту епітаксійного шару кремнію р-типу провідності з шаром платини.

Номер патенту: 106175

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Кутраков Олексій Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01K 7/22, H01L 43/00

Мітки: багатофункційний, датчик

Формула / Реферат:

Багатофункційний датчик, який містить терморезистор на основі ниткоподібного кристала з кристалографічною орієнтацією [111], який відрізняється тим, що додатково містить два тензорезистори з германію n-типу і р-типу провідності, закріплені на підкладці з немагнітного матеріалу паралельно один одному та перпендикулярно до терморезистора з кремнію р-типу провідності.

Номер патенту: 95398

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Кутраков Олексій Петрович

МПК: G01K 7/22

Мітки: спосіб, температурної, тензочутливості, залежності, компенсації

Формула / Реферат:

Спосіб компенсації температурної залежності тензочутливості шляхом використання тензорезисторів і компенсатора у вимірювальній схемі, який відрізняється тим, що як компенсатор використовують два компенсуючі тензорезистори, які попередньо деформують, вмикають у відокремлене від тензорезисторів вимірювальне коло, з подальшим розділенням вихідних сигналів і нормуванням вихідної величини.

Номер патенту: 91062

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Вуйцик Андрій Михайлович, Дружинін Анатолій Олександрович, Кутраков Олексій Петрович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: G01B 7/16

Мітки: температури, тиску, сенсор

Формула / Реферат:

Сенсор тиску та температури, що містить чотири тензорезистори, з'єднані у мостову схему зі схемою вторинної обробки сигналу, який відрізняється тим, що тензорезистори вибрані з концентрацією бору, яка становить (1-3)´1019 см-3 при кімнатній температурі.

Номер патенту: 86792

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Кутраков Олексій Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01K 7/22, G01L 9/06

Мітки: газовий, кріогенних, термометр, температур

Формула / Реферат:

Газовий термометр для кріогенних температур, що містить тензорезистор на основі НК кремнію р-типу, легованого бором, який закріплений на мембрані, якою оснащений заповнений газоподібним гелієм резервуар, що електрично з'єднаний з блоком обробки і виводу сигналу, який відрізняється тим, що додатково встановлено тензорезистори, один на мембрані та два на внутрішній стороні корпусу резервуара, причому тензорезистори на мембрані та внутрішній...

Номер патенту: 79101

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Кутраков Олексій Петрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна

МПК: G01B 7/16, G01K 7/22, G01L 9/04 ...

Мітки: термометр, газовий

Формула / Реферат:

Газовий термометр, що містить вимірювальний елемент, з'єднаний із резервуаром, заповненим газоподібним гелієм, який відрізняється тим, що вимірювальний елемент, виконаний у вигляді чутливого елемента сенсора механічних величин на основі HК кремнію, легованого бором, з питомим опором 0,01-0,013 Ом×см, який закріплений на мембрані, якою оснащений резервуар, що електрично з'єднаний з блоком обробки і виводу сигналу.

Номер патенту: 10360

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Кутраков Олексій Петрович, Матвієнко Сергій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01B 7/16

Мітки: сенсор, температури, тиску

Формула / Реферат:

Сенсор тиску та температури, що міститьперший і другий тензорезистори, перше і друге джерела струму, чотири масштабуючі підсилювачі, перший і другий суматори, перший диференційний підсилювач, який відрізняється тим, що додатково містить третій і четвертий тензорезистори, другий диференційний підсилювач, причому перший вивід першого тензорезистора з'єднаний з землею і першим виводом другого тензорезистора, другий вивід першого тензорезистора...

Номер патенту: 5217

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Мар'ямова Інна Йосифівна, Павловський Ігор Володимирович, Кутраков Олексій Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01B 7/16, G01L 9/04

Мітки: рідкого, температури, механічних, чутливий, гелію, величин, елемент, сенсора

Формула / Реферат:

Чутливий елемент сенсора механічних величин для температури рідкого гелію, який містить ниткоподібний кристал кремнію р-типу з орієнтацією [111], легований бором, який відрізняється тим, що концентрація бору в ниткоподібному кристалі кремнію р-типу відповідає фазовому переходу метал-діелектрик в кремнії р-типу як з металевої, так і з діелектричної сторони з питомим опором при кімнатній температурі 0,010-0,013 Омхсм.