Ховерко Юрій Миколайович

Чутливий елемент мікроелектронного сенсора для вимірювання магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 120820

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Яцухненко Сергій Юрійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 29/82

Мітки: поля, сенсора, вимірювання, чутливий, елемент, мікроелектронного, магнітного

Формула / Реферат:

Чутливий елемент мікроелектронного сенсора для вимірювання магнітного поля, що містить монокристал кремнію, на поверхні якого розташована напівмагнітна плівка з омічними контактами, який відрізняється тим, що монокристал кремнію виконаний ниткоподібним, а напівмагнітна плівка виконана нанопористою.

Багатофункційний датчик для кріогенних температур

Завантаження...

Номер патенту: 119016

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович, Кутраков Олексій Петрович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: G01K 7/22, H01L 43/00, G01B 7/16 ...

Мітки: температур, датчик, багатофункційний, кріогенних

Формула / Реферат:

Багатофункційний датчик для кріогенних температур, який містить два тензорезистори на основі ниткоподібних кристалів із кристалографічною орієнтацією [111], один з яких ниткоподібний кристал германію р-типу провідності, закріплені на підкладці з немагнітного матеріалу, паралельно один одному та перпендикулярно до терморезистора з кремнію р-типу провідності, який відрізняється тим, що другий тензорезистор виконаний з антимоніду індію n-типу...

Сенсор тиску та температури

Завантаження...

Номер патенту: 91062

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Вуйцик Андрій Михайлович, Кутраков Олексій Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01B 7/16

Мітки: тиску, сенсор, температури

Формула / Реферат:

Сенсор тиску та температури, що містить чотири тензорезистори, з'єднані у мостову схему зі схемою вторинної обробки сигналу, який відрізняється тим, що тензорезистори вибрані з концентрацією бору, яка становить (1-3)´1019 см-3 при кімнатній температурі.

Напівпровідниковий індуктивний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 87528

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Корецький Роман Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович

МПК: H01L 23/14

Мітки: напівпровідниковий, індуктивний, елемент

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий індуктивний елемент, що містить монокристал кремнію, на поверхні якого розташована провідна ділянка у вигляді шару з омічними контактами, який відрізняється тим, що монокристал кремнію виконаний ниткоподібним, а шар провідної ділянки виконаний нанопористим.

Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури

Завантаження...

Номер патенту: 66137

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Нічкало Степан Ігорович, Островський Ігор Петрович, Єрохов Валерій Юрійович

МПК: H01L 31/05

Мітки: функціонально, спосіб, поверхневої, одержання, нанотекстури

Формула / Реферат:

Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури, при якому пластину кремнію горизонтально поміщають у розчин ізотропного кислотного травника при кімнатній температурі, після промивки створену поверхневу текстуру заповнюють пористим органічним кремнієм, яку піддають ультразвуковій обробці, який відрізняється тим, що додатково на поверхневу текстуру газотранспортною реакцією наносять кремнієві ниткоподібні нанокристали.

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 63926

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович, Нічкало Степан Ігорович

МПК: H01L 21/00, C30B 29/00

Мітки: спосіб, нанокристалів, кремнію, масивів, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію, який включає осадження на напівпровідникову кремнієву підкладку р-типу провідності шару плівки золота, вирощування за механізмом пара-рідина-кристал нанокристалів кремнію, який відрізняється тим, що перед вирощуванням нанокристалів кремнію додатково здійснюють термічний відпал напівпровідникової кремнієвої підкладки.

Комірка базового матричного кристала

Завантаження...

Номер патенту: 62994

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Довгий Віктор Володимирович, Вуйцик Андрій Михайлович, Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01L 9/04, G01B 7/16

Мітки: кристала, матричного, базового, комірка

Формула / Реферат:

Комірка базового матричного кристала, що містить вісім нескомутованих р- і n-канальних польових транзисторів, виготовлених на смугах n- і р-областей і розташованих вздовж шин живлення, при цьому два з них р- та n-транзистори призначені для міжелектродної комутації, яка відрізняється тим, що 3р- і 3n-канальні польові транзистори та 1n- і 1р-канальний польові транзистори попарно розташовані, послідовно з'єднані та діелектрично ізольовані між...

Автоемісійний чутливий елемент акселерометра

Завантаження...

Номер патенту: 62951

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: H01L 27/00

Мітки: елемент, акселерометра, чутливий, автоемісійний

Формула / Реферат:

Автоемісійний чутливий елемент акселерометра, який складається із напівпровідникової підкладки, що являє собою перший електрод, на яку послідовно нанесені діелектрична плівка з витравленою ділянкою, електропровідна плівка, що являє собою другий електрод, який відрізняється тим, що перший електрод, другий електрод, основою якого є структура "кремній-на-ізоляторі", виготовлені у формі загострених вістер, які розмішені один навпроти...

Тривимірний мон-транзистор зі структурою “кремній-на-ізоляторі”

Завантаження...

Номер патенту: 49691

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: H01L 27/00

Мітки: тривимірний, мон-транзистор, структурою, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

Тривимірний МОН-транзистор зі структурою "кремній-на-ізоляторі", який складається із кремнієвої підкладки р-типу провідності, на якій послідовно сформовані шар ізолятора, підканальна область у вигляді монокристалічної плівки кремнію р- або n-типу провідності, шар підзатворного діелектрика, затвор і прилеглі до затвора стік-витокові області, леговані електрично активною домішкою n- або р-типу провідності відповідно, який...

Чутливий елемент мікроелектронного терморезистивного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях

Завантаження...

Номер патенту: 22368

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Мар'ямова Інна Йосифівна

МПК: G01K 7/00

Мітки: мікроелектронного, терморезистивного, кріогенних, сильних, вимірювання, магнітних, полях, сенсора, чутливий, елемент, температур

Формула / Реферат:

Чутливий елемент мікроелектронного терморезистивного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях, що містить шар полікремнію, легованого бором, який відрізняється тим, що полікремній рекристалізований лазером з концентрацією носіїв заряду (4-5)x1017 cм-3 при кімнатній температурі.

Інвертор на основі структур кремній-на-ізоляторі

Завантаження...

Номер патенту: 7677

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Павлиш Володимир Андрійович

МПК: H01L 27/12, H03K 19/0948

Мітки: основі, структур, інвертор, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

1. Інвертор на основі структур кремній-на-ізоляторі, що складається з монокристалічної кремнієвої підкладки з послідовно розміщеними на ній шарами ізолюючого окислу, рекристалізованого полікремнію з активними областями каналів навантажувального та ключового транзисторів протилежних типів провідності, що включають області стоків та витоків, підзатворного діелектрика й електродів затворів із полікремнію, які з'єднані між собою і є входом...

Спосіб виготовлення структур кремній-на-ізоляторі

Завантаження...

Номер патенту: 34721

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 27/12

Мітки: кремній-на-ізоляторі, спосіб, виготовлення, структур

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур кремній на ізоляторі, який включає послідовне нанесення на монокремнієву підкладку шару ізолюючого окису, формування контактних областей з монокремнієвою підкладкою, нанесення полікремнієвого шару, капсулюючого та просвітляючого покрить і рекристалізацію полікремнієвого шару лазерним опроміненням, який відрізняється тим, що перед нанесенням полікремнієвого шару в контактних областях з монокремнієвою підкладкою...

Спосіб виготовлення “кремній на ізоляторі”-структур

Завантаження...

Номер патенту: 32784

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 27/12

Мітки: кремній, ізоляторі"-структур, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення "кремній на ізоляторі"-структур, згідно якого на вихідній кремнієвій пластині послідовно формують шар ізолюючого окису кремнію, шар полікремнію, допоміжні капсулююче та антивідбиваюче покриття, проводять лазерну рекристалізацію шару полікремнію, методом травлення знімають допоміжні покриття, який відрізняється тим, що після зняття допоміжних покрить проводять термічне окислення рекристалізованого полікремнію і...