Дружинін Анатолій Олександрович

Номер патенту: 120820

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Яцухненко Сергій Юрійович

МПК: H01L 29/82

Мітки: чутливий, поля, вимірювання, сенсора, магнітного, елемент, мікроелектронного

Формула / Реферат:

Чутливий елемент мікроелектронного сенсора для вимірювання магнітного поля, що містить монокристал кремнію, на поверхні якого розташована напівмагнітна плівка з омічними контактами, який відрізняється тим, що монокристал кремнію виконаний ниткоподібним, а напівмагнітна плівка виконана нанопористою.

Номер патенту: 119016

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Островський Ігор Петрович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Кутраков Олексій Петрович

МПК: H01L 43/00, G01B 7/16, G01K 7/22 ...

Мітки: датчик, багатофункційний, кріогенних, температур

Формула / Реферат:

Багатофункційний датчик для кріогенних температур, який містить два тензорезистори на основі ниткоподібних кристалів із кристалографічною орієнтацією [111], один з яких ниткоподібний кристал германію р-типу провідності, закріплені на підкладці з немагнітного матеріалу, паралельно один одному та перпендикулярно до терморезистора з кремнію р-типу провідності, який відрізняється тим, що другий тензорезистор виконаний з антимоніду індію n-типу...

Номер патенту: 111724

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Кутраков Олексій Петрович, Корецький Роман Миколайович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01V 1/52, G01V 1/16

Мітки: вібрацій, сейсмічний, датчик

Формула / Реферат:

Сейсмічний датчик вібрацій, який складається з корпусу, в якому інерційна маса закріплена на пружині та з'єднана з пружним елементом, на якому розміщені тензорезистори, сполучені у вимірювальну схему, який відрізняється тим, що тензорезистори виконані на основі ниткоподібних кристалів кремнію з кристалографічною орієнтацією.

Номер патенту: 107892

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Кутраков Олексій Петрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна

МПК: H01L 35/34, G01K 7/02

Мітки: випромінювання, теплового, датчик

Формула / Реферат:

Датчик теплового випромінювання, який містить термопари, з'єднані послідовно, гарячі кінці яких розташовані на шарі пористого кремнію, а холодні - на монокристалічній кремнієвій підкладці, що розділені шарами діелектриків SiO2 та Si3N4, який відрізняється тим, що термопари виконані на основі контакту епітаксійного шару кремнію р-типу провідності з шаром платини.

Номер патенту: 106175

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Кутраков Олексій Петрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна

МПК: H01L 43/00, G01K 7/22

Мітки: датчик, багатофункційний

Формула / Реферат:

Багатофункційний датчик, який містить терморезистор на основі ниткоподібного кристала з кристалографічною орієнтацією [111], який відрізняється тим, що додатково містить два тензорезистори з германію n-типу і р-типу провідності, закріплені на підкладці з немагнітного матеріалу паралельно один одному та перпендикулярно до терморезистора з кремнію р-типу провідності.

Номер патенту: 95398

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Кутраков Олексій Петрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01K 7/22

Мітки: спосіб, компенсації, тензочутливості, залежності, температурної

Формула / Реферат:

Спосіб компенсації температурної залежності тензочутливості шляхом використання тензорезисторів і компенсатора у вимірювальній схемі, який відрізняється тим, що як компенсатор використовують два компенсуючі тензорезистори, які попередньо деформують, вмикають у відокремлене від тензорезисторів вимірювальне коло, з подальшим розділенням вихідних сигналів і нормуванням вихідної величини.

Номер патенту: 91062

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Кутраков Олексій Петрович, Ховерко Юрій Миколайович, Вуйцик Андрій Михайлович

МПК: G01B 7/16

Мітки: сенсор, температури, тиску

Формула / Реферат:

Сенсор тиску та температури, що містить чотири тензорезистори, з'єднані у мостову схему зі схемою вторинної обробки сигналу, який відрізняється тим, що тензорезистори вибрані з концентрацією бору, яка становить (1-3)´1019 см-3 при кімнатній температурі.

Номер патенту: 87528

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Корецький Роман Миколайович, Островський Ігор Петрович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: H01L 23/14

Мітки: елемент, індуктивний, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий індуктивний елемент, що містить монокристал кремнію, на поверхні якого розташована провідна ділянка у вигляді шару з омічними контактами, який відрізняється тим, що монокристал кремнію виконаний ниткоподібним, а шар провідної ділянки виконаний нанопористим.

Номер патенту: 86792

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Кутраков Олексій Петрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна

МПК: G01K 7/22, G01L 9/06

Мітки: газовий, кріогенних, термометр, температур

Формула / Реферат:

Газовий термометр для кріогенних температур, що містить тензорезистор на основі НК кремнію р-типу, легованого бором, який закріплений на мембрані, якою оснащений заповнений газоподібним гелієм резервуар, що електрично з'єднаний з блоком обробки і виводу сигналу, який відрізняється тим, що додатково встановлено тензорезистори, один на мембрані та два на внутрішній стороні корпусу резервуара, причому тензорезистори на мембрані та внутрішній...

Номер патенту: 79101

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Кутраков Олексій Петрович, Лях-Кагуй Наталія Степанівна

МПК: G01L 9/04, G01K 7/22, G01B 7/16 ...

Мітки: термометр, газовий

Формула / Реферат:

Газовий термометр, що містить вимірювальний елемент, з'єднаний із резервуаром, заповненим газоподібним гелієм, який відрізняється тим, що вимірювальний елемент, виконаний у вигляді чутливого елемента сенсора механічних величин на основі HК кремнію, легованого бором, з питомим опором 0,01-0,013 Ом×см, який закріплений на мембрані, якою оснащений резервуар, що електрично з'єднаний з блоком обробки і виводу сигналу.

Номер патенту: 66137

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Островський Ігор Петрович, Нічкало Степан Ігорович, Дружинін Анатолій Олександрович, Єрохов Валерій Юрійович

МПК: H01L 31/05

Мітки: одержання, спосіб, нанотекстури, поверхневої, функціонально

Формула / Реферат:

Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури, при якому пластину кремнію горизонтально поміщають у розчин ізотропного кислотного травника при кімнатній температурі, після промивки створену поверхневу текстуру заповнюють пористим органічним кремнієм, яку піддають ультразвуковій обробці, який відрізняється тим, що додатково на поверхневу текстуру газотранспортною реакцією наносять кремнієві ниткоподібні нанокристали.

Номер патенту: 65226

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Довгий Віктор Володимирович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, виготовлення, нестандартних, кремній-на-ізоляторі"-структур

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення нестандартних "кремній-на-ізоляторі"-структур, що включає маскування поверхні кремнієвої пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, витравлення в пластині в незамаскованих місцях вертикальних щілин заданої глибини, їх покриття нітридом кремнію та його селективне витравлювання на дні щілин, поглиблення щілин та формування бокових порожнин-тунелів витравлюванням кремнію під поверхнею...

Номер патенту: 63926

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Островський Ігор Петрович, Нічкало Степан Ігорович

МПК: C30B 29/00, H01L 21/00

Мітки: спосіб, одержання, нанокристалів, масивів, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію, який включає осадження на напівпровідникову кремнієву підкладку р-типу провідності шару плівки золота, вирощування за механізмом пара-рідина-кристал нанокристалів кремнію, який відрізняється тим, що перед вирощуванням нанокристалів кремнію додатково здійснюють термічний відпал напівпровідникової кремнієвої підкладки.

Номер патенту: 62994

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Довгий Віктор Володимирович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Вуйцик Андрій Михайлович

МПК: G01B 7/16, G01L 9/04

Мітки: базового, комірка, матричного, кристала

Формула / Реферат:

Комірка базового матричного кристала, що містить вісім нескомутованих р- і n-канальних польових транзисторів, виготовлених на смугах n- і р-областей і розташованих вздовж шин живлення, при цьому два з них р- та n-транзистори призначені для міжелектродної комутації, яка відрізняється тим, що 3р- і 3n-канальні польові транзистори та 1n- і 1р-канальний польові транзистори попарно розташовані, послідовно з'єднані та діелектрично ізольовані між...

Номер патенту: 62951

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович

МПК: H01L 27/00

Мітки: елемент, автоемісійний, чутливий, акселерометра

Формула / Реферат:

Автоемісійний чутливий елемент акселерометра, який складається із напівпровідникової підкладки, що являє собою перший електрод, на яку послідовно нанесені діелектрична плівка з витравленою ділянкою, електропровідна плівка, що являє собою другий електрод, який відрізняється тим, що перший електрод, другий електрод, основою якого є структура "кремній-на-ізоляторі", виготовлені у формі загострених вістер, які розмішені один навпроти...

Номер патенту: 92962

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Єрохов Валерій Юрійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 31/05

Мітки: поверхневої, одержання, нанотекстури, функціонально, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання поверхневої функціональної нанотекстури, який полягає в тому, що пластину кремнію горизонтально поміщають у розчин ізотропного кислотного травника при кімнатній температурі, після промивки створену поверхневу текстуру заповнюють пористим органічним кремнієм, який відрізняється тим, що додатково поверхневу текстуру із пористим органічним кремнієм піддають ультразвуковій обробці.

Номер патенту: 49691

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 27/00

Мітки: мон-транзистор, тривимірний, структурою, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

Тривимірний МОН-транзистор зі структурою "кремній-на-ізоляторі", який складається із кремнієвої підкладки р-типу провідності, на якій послідовно сформовані шар ізолятора, підканальна область у вигляді монокристалічної плівки кремнію р- або n-типу провідності, шар підзатворного діелектрика, затвор і прилеглі до затвора стік-витокові області, леговані електрично активною домішкою n- або р-типу провідності відповідно, який...

Номер патенту: 36463

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Сапон Сергій Васильович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: структур, локальних, виготовлення, кремній-на-ізоляторі, тривимірних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур "кремній-на-ізоляторі", який включає маскування поверхні пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, створення в пластині проміжків, як між ділянками маскуючого покриття, так і на заданій глибині під поверхнею пластини для формування в цих місцях анодуванням пористого кремнію та його проокислення з формуванням ізолюючого окислу кремнію, який відрізняється тим, в...

Номер патенту: 34277

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Сапон Сергій Васильович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: C04B 41/00

Мітки: типу, кремній-на-ізоляторі, спосіб, формування, локальних, мікроструктур

Формула / Реферат:

Спосіб формування локальних мікроструктур типу "кремній-на-ізоляторі", який включає послідовне формування на кремнієвій пластині шару ізолятора, відкриття в ньому вікон для контактів-зародків полікремнію із пластиною, нанесення шару полікремнію, який відрізняється тим, що на поверхні кремнієвої пластини формують локально розташовані ділянки ізолятора із окислу або оксинітриду кремнію товщиною 0,3-1,0 мікрометра, топологія яких є...

Номер патенту: 34271

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H05K 3/00

Мітки: катодів, субмікронних, розмірів, автоемісійних, двоелектродних, виготовлення, спосіб, кремнієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення двоелектродних автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів, який включає формування вістер катодів шляхом термічного окислення поверхні кремнію, фотолітографії, ізотропного сухого травлення, загострення вістер окисленням та мокрим травленням, селективного покриття катодів захисною плівкою, який відрізняється тим, що по одній технології отримують одношпильові, багатошпильові або лезоподібні катоди з...

Номер патенту: 29701

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 29/66

Мітки: інтегральних, структурами, пристроях, кремній-на-ізоляторі, контакт

Формула / Реферат:

1. Контакт в інтегральних пристроях зі структурами "кремній-на-ізоляторі" між шаром металу через контактне вікно у міжшаровому діелектрику до полікремнієвого затвора або стокової чи витокової області МОН-транзистора, сформованого на основі структур "кремній-на-ізоляторі", який відрізняється тим, що розміри контактного вікна в зоні контактування металу і шини із кремнієвої "плівки-на-ізоляторі" є більшими, ніж...

Номер патенту: 29698

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 29/66

Мітки: ключовий, діодах, кремній-на-ізоляторі, структурами, елемент, шотткі

Формула / Реферат:

Ключовий елемент на діодах Шотткі зі структурами "кремній-на-ізоляторі", який складається із підкладки р-типу провідності, на якій послідовно розміщують шари ізолятора та смужку із монокристалічної плівки кремнію n-типу провідності, який відрізняється тим, що в смужці із плівки кремнію витравлюють 5 вузьких канавок на всю товщину рекристалізованої плівки кремнію, причому 3 сусідні канавки заповнюють алюмінієм для утворення бар'єрів...

Номер патенту: 27570

Опубліковано: 12.11.2007

Автори: Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Юрій Романович

МПК: G01K 7/16

Мітки: сенсор, температури

Формула / Реферат:

Сенсор температури, який містить чутливий елемент у вигляді напівпровідникового ниткоподібного кристала Si-Ge з чотирма точковими контактами, одна пара контактів розташована на кінцях кристала біля основи та вістря, інша пара контактів - в середній частині кристала, зміщена до вістря, причому частина кристала між контактом зі сторони вістря та одним контактом з середньої частини кристала утворюють терморезистор, а частина кристала між...

Номер патенту: 22368

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Мар'ямова Інна Йосифівна, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: G01K 7/00

Мітки: сенсора, кріогенних, температур, магнітних, мікроелектронного, полях, терморезистивного, елемент, чутливий, вимірювання, сильних

Формула / Реферат:

Чутливий елемент мікроелектронного терморезистивного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях, що містить шар полікремнію, легованого бором, який відрізняється тим, що полікремній рекристалізований лазером з концентрацією носіїв заряду (4-5)x1017 cм-3 при кімнатній температурі.

Номер патенту: 18536

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович

МПК: H05K 3/02

Мітки: топологічних, формування, зображень, мікроелектронних, спосіб, пристроїв

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування топологічних зображень мікроелектронних пристроїв методом подвійної фотолітографії, який включає нанесення на напівпровідникову пластину плівки матеріалу, в якій формуватимуть топологію елементів IC або МСТ, нанесення фоторезисту, експозицію і операції травлення фоторезисту та плівки у немаскованих фоторезистом місцях з наступним зняттям фоторезисту, що складають першу фотолітографію, який відрізняється тим, що введено...

Номер патенту: 11353

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Мар'ямова Інна Йосифівна, Дружинін Анатолій Олександрович, Павловський Ігор Володимирович

МПК: G01B 7/16, B64G 9/00, G01L 9/04 ...

Мітки: температури, елемент, магнітних, механічних, гелію, сенсора, полях, величин, чутливий, сильних, рідкого, роботи

Формула / Реферат:

Чутливий елемент сенсора механічних величин для роботи при температурі рідкого гелію в сильних магнітних полях, який містить ниткоподібний кристал кремнію р-типу з кристалографічною орієнтацією <111>, легований бором, який відрізняється тим, що концентрація бору становить (1-3) х 1019 см-3 при кімнатній температурі.

Номер патенту: 10360

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Матвієнко Сергій Миколайович, Кутраков Олексій Петрович

МПК: G01B 7/16

Мітки: сенсор, тиску, температури

Формула / Реферат:

Сенсор тиску та температури, що міститьперший і другий тензорезистори, перше і друге джерела струму, чотири масштабуючі підсилювачі, перший і другий суматори, перший диференційний підсилювач, який відрізняється тим, що додатково містить третій і четвертий тензорезистори, другий диференційний підсилювач, причому перший вивід першого тензорезистора з'єднаний з землею і першим виводом другого тензорезистора, другий вивід першого тензорезистора...

Номер патенту: 7677

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Павлиш Володимир Андрійович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: H03K 19/0948, H01L 27/12

Мітки: основі, структур, кремній-на-ізоляторі, інвертор

Формула / Реферат:

1. Інвертор на основі структур кремній-на-ізоляторі, що складається з монокристалічної кремнієвої підкладки з послідовно розміщеними на ній шарами ізолюючого окислу, рекристалізованого полікремнію з активними областями каналів навантажувального та ключового транзисторів протилежних типів провідності, що включають області стоків та витоків, підзатворного діелектрика й електродів затворів із полікремнію, які з'єднані між собою і є входом...

Номер патенту: 5217

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Кутраков Олексій Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Мар'ямова Інна Йосифівна, Павловський Ігор Володимирович

МПК: G01B 7/16, G01L 9/04

Мітки: чутливий, рідкого, сенсора, величин, елемент, температури, механічних, гелію

Формула / Реферат:

Чутливий елемент сенсора механічних величин для температури рідкого гелію, який містить ниткоподібний кристал кремнію р-типу з орієнтацією [111], легований бором, який відрізняється тим, що концентрація бору в ниткоподібному кристалі кремнію р-типу відповідає фазовому переходу метал-діелектрик в кремнії р-типу як з металевої, так і з діелектричної сторони з питомим опором при кімнатній температурі 0,010-0,013 Омхсм.

Номер патенту: 4531

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Островський Ігор Петрович, Лях Наталія Степанівна, Дружинін Анатолій Олександрович, Матвієнко Сергій Миколайович

МПК: G01K 7/01

Мітки: температури, сенсор

Формула / Реферат:

Сенсор температури, що містить чутливий елемент у вигляді напівпровідникового ниткоподібного кристала з чотирма точковими контактами, прикріпленого на підкладці, одна пара контактів розташована на кінцях кристала біля основи та вістря, інша пара контактів - в середній частині кристала, причому частина кристала між контактом зі сторони вістря та одним контактом з середньої частини кристала утворюють терморезистор, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 3531

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Матвієнко Сергій Миколайович, Лях Наталія Степанівна, Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович

МПК: G01N 25/00

Мітки: термо-е.р.с, коефіцієнта, кристалів, спосіб, ниткоподібних, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення коефіцієнта термо-е.р.с. ниткоподібних кристалів, що включає виготовлення чотирьох точкових контактів до ниткоподібного кристала, створення градієнта температури між двома контактами пропусканням стабілізованого струму розігріву, вимірювання термо-е.р.с., визначення температури гарячого і холодного кінців ниткоподібного кристала та визначення коефіцієнта термо-е.р.с. як відношення термо-е.р.с. до градієнта температури, який...

Номер патенту: 42999

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович

МПК: H02M 7/00

Мітки: перетворювач, змінного, струму

Формула / Реферат:

Перетворювач змінного струму, який містить структуру, що включає резистивну область, ізоляційний шар, термоелектричну область, який відрізняється тим, що вся структура виконана з одного напівпровідникового ниткоподібного елемента p-Si у формі хрестоподібного зростка з двох кристалів - поздовжнього і поперечного, причому поздовжній кристал є резистивною областю, поперечний - термоелектричною, а вузол зростка - ізоляційним шаром.

Номер патенту: 42998

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H03B 7/00

Мітки: низькочастотний, генератор

Формула / Реферат:

Низькочастотний генератор, що містить з'єднані між собою резистори, джерело струму, який відрізняється тим, що резистори виконані у формі «Х»- подібного зростка двох ниткоподібних кристалів Si n-типу з питомим пором » 1,0 Ом×см, а джерело під'єднане до одного з резисторів.

Номер патенту: 43094

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Панков Юрій Михайлович, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01B 7/16, G01B 5/30, G01B 7/00 ...

Мітки: деформації, динамічної, тензодатчик

Формула / Реферат:

Тензодатчик динамічної деформації, що містить чутливий елемент з ниткоподібного напівпровідникового монокристала з точковими контактами на кінцях монокристала і струмовиводами, а також із проміжним точковим контактом, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використано напівпровідник кремній р - типу провідності, легований В та Аu, із питомим опором 0,02 Ом см, а проміжний точковий контакт встановлений зі зміщенням до одного з кінців...

Номер патенту: 40269

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Буджак Ярослав Степанович, Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01N 25/18

Мітки: кристалів, визначення, термоелектричних, ниткоподібних, спосіб, параметрів

Формула / Реферат:

 Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів, що включає створення точкових контактів до ниткоподібного кристала, пропускання стабілізованого струму розігріву, вимірювання різниці потенціалів між контактами і визначення коефіцієнта термо-е.р.с., який відрізняється тим, що ниткоподібному кристалу надають форму хрестоподібного зростка з двох кристалів, до кінців якого і до середини зростка створюють контакти, а струм...

Номер патенту: 40268

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01R 31/00

Мітки: спосіб, типу, ниткоподібних, визначення, напівпровідникових, кристалів, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований...

Номер патенту: 35208

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дружинін Анатолій Олександрович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, термоелектричних, pb1-xinxte:i, сплавів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів Pb1-xlnxTe:l, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцевій вакуумованій ампулі і поміщають в двозонну піч, температура першої зони є вищою температури точки плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижча від температури точки плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до...

Номер патенту: 34721

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 27/12

Мітки: кремній-на-ізоляторі, структур, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур кремній на ізоляторі, який включає послідовне нанесення на монокремнієву підкладку шару ізолюючого окису, формування контактних областей з монокремнієвою підкладкою, нанесення полікремнієвого шару, капсулюючого та просвітляючого покрить і рекристалізацію полікремнієвого шару лазерним опроміненням, який відрізняється тим, що перед нанесенням полікремнієвого шару в контактних областях з монокремнієвою підкладкою...

Номер патенту: 32784

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 27/12

Мітки: виготовлення, ізоляторі"-структур, кремній, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення "кремній на ізоляторі"-структур, згідно якого на вихідній кремнієвій пластині послідовно формують шар ізолюючого окису кремнію, шар полікремнію, допоміжні капсулююче та антивідбиваюче покриття, проводять лазерну рекристалізацію шару полікремнію, методом травлення знімають допоміжні покриття, який відрізняється тим, що після зняття допоміжних покрить проводять термічне окислення рекристалізованого полікремнію і...

Номер патенту: 23103

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Мар'ямова Інна Йосипівна, Дружинін Анатолій Олександрович, Панков Юрій Михайлович

МПК: G01L 9/06, H01L 21/28

Мітки: датчик, п'єзорезистивний

Формула / Реферат:

П’єзорезистивнии датчик, який містить кремнієву підкладку з шаром діелектрика, здатним відбивати лазерне випромінювання, поверх якого розташовані рекристалізовані лазерним випромінюванням полікремнієві тензорезистори, покриті діелектричним капсулюючим шаром, здатним поглинати лазерне випромінювання, який відрізняється тим, що на капсулюючому шарі розміщений поглинаючий шар у вигляді паралельних смужок, довжина яких не менша довжини...