Мар’ямова Інна Йосифівна
Чутливий елемент мікроелектронного терморезистивного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях
Номер патенту: 22368
Опубліковано: 25.04.2007
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Мар'ямова Інна Йосифівна, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: G01K 7/00
Мітки: елемент, полях, магнітних, кріогенних, сильних, мікроелектронного, температур, вимірювання, сенсора, терморезистивного, чутливий
Формула / Реферат:
Чутливий елемент мікроелектронного терморезистивного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях, що містить шар полікремнію, легованого бором, який відрізняється тим, що полікремній рекристалізований лазером з концентрацією носіїв заряду (4-5)x1017 cм-3 при кімнатній температурі.
Чутливий елемент сенсора механічних величин для роботи при температурі рідкого гелію в сильних магнітних полях
Номер патенту: 11353
Опубліковано: 15.12.2005
Автори: Мар'ямова Інна Йосифівна, Павловський Ігор Володимирович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: G01L 9/04, B64G 9/00, G01B 7/16 ...
Мітки: гелію, чутливий, механічних, елемент, величин, рідкого, температури, сенсора, сильних, роботи, магнітних, полях
Формула / Реферат:
Чутливий елемент сенсора механічних величин для роботи при температурі рідкого гелію в сильних магнітних полях, який містить ниткоподібний кристал кремнію р-типу з кристалографічною орієнтацією <111>, легований бором, який відрізняється тим, що концентрація бору становить (1-3) х 1019 см-3 при кімнатній температурі.
Чутливий елемент сенсора механічних величин для температури рідкого гелію
Номер патенту: 5217
Опубліковано: 15.02.2005
Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Павловський Ігор Володимирович, Мар'ямова Інна Йосифівна, Кутраков Олексій Петрович
Мітки: сенсора, чутливий, величин, механічних, гелію, температури, рідкого, елемент
Формула / Реферат:
Чутливий елемент сенсора механічних величин для температури рідкого гелію, який містить ниткоподібний кристал кремнію р-типу з орієнтацією [111], легований бором, який відрізняється тим, що концентрація бору в ниткоподібному кристалі кремнію р-типу відповідає фазовому переходу метал-діелектрик в кремнії р-типу як з металевої, так і з діелектричної сторони з питомим опором при кімнатній температурі 0,010-0,013 Омхсм.