Мартинюк Роман Валентинович
Спосіб виготовлення напівпровідникових структур
Номер патенту: 54007
Опубліковано: 17.02.2003
Автори: Мартинюк Роман Валентинович, Матюшин Володимир Михайлович
МПК: H01L 21/223, H01L 21/00
Мітки: напівпровідникових, структур, виготовлення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення напівпровідникових структур, що полягає в нанесенні плівок дифузанту на монокристалічні напівпровідникові пластини і проведенні твердофазного дифузійного легування, який відрізняється тим, що дифузію легуючої домішки проводять під впливом атомарного водню при температурі 27-57°С.