H01L 21/223 — дифузія з твердої фази в газову або з газової фази в тверду

Номер патенту: 95155

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Горбанюк Теятна Іванівна, Солнцев В'ячеслав Сергійович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 29/43, H01L 21/223, B82Y 30/00, H01L 21/203 ...

Мітки: сенсорів, спосіб, вольфраму, наноструктурованої, плівки, оксиду, отримання, газових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованої плівки оксиду вольфраму (WO3) для газових сенсорів шляхом термічного окислення вольфраму (W) в атмосфері кисню (O2), який відрізняється тим, що вольфрамову плівку товщиною 20-100 нм наносять на кремнієву підкладку (Si) р-типу методом магнетронного розпилення вольфрамової (W) мішені, після чого проводять процес термічного окислення при температурі 400-600 °C, швидкості потоку О2 10-20 см3/с та часу...

Номер патенту: 54007

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Матюшин Володимир Михайлович, Мартинюк Роман Валентинович

МПК: H01L 21/223, H01L 21/00

Мітки: виготовлення, структур, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникових структур, що полягає в нанесенні плівок дифузанту на монокристалічні напівпровідникові пластини і проведенні твердофазного дифузійного легування, який відрізняється тим, що дифузію легуючої домішки проводять під впливом атомарного водню при температурі 27-57°С.

Номер патенту: 28793

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Горбань Олександр Миколайович, Швець Юлій Олександрович, Горбенко Віталій Іванович

МПК: H01L 21/223

Мітки: фосфіду, електричного, типу, отримання, спосіб, індію, контакту, метал-напівпровідник

Формула / Реферат:

Спосіб отримання електричного контакту типу "метал-напівпровідник" до фосфіду індію, що включає його ва­куумування та нагрівання до температури дисоціації, який відрізняється тим, що нагрівання проводять в умовах низького вакууму в середовищі, яке вміщує атомарний водень з концентрацією від 1·1018 до 1·1021 атомів/м3.

Номер патенту: 28793

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Горбань Олександр Миколайович, Горбенко Віталій Іванович, Швець Юлій Олександрович

МПК: H01L 21/223

Мітки: отримання, спосіб, контакту, типу, індію, металнапівпровідник, електричного, фосфіду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання електричного контакту типу "метал-напівпровідник" до фосфіду індію, що включає його ва­куумування та нагрівання до температури дисоціації, який відрізняється тим, що нагрівання проводять в умовах низького вакууму в середовищі, яке вміщує атомарний водень з концентрацією від 1·1018 до 1·1021 атомів/м3.

Номер патенту: 29316

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Янус Олександр Володимірович, П'ятигорець Роман Олександрович, Бахрушин Володимир Євгенович, Крітська Тетяна Володимірівна

МПК: H01L 21/223

Мітки: кремнієвих, отримання, композицій, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвих N+-P-N композицій, що включає вирощування кристалу кремнію, який містить 1*1016-1*1020см-3 легувалСпосіб отримання кремнієвих N+-P-N композицій, що включає вирощування кристалу кремнію, який містить 1*1016-1*1020см-3 легувальної донорної домішки, виготовлення із нього кремнієвої підкладки п+- типу та формування високоомних шарів кремнію р- та n-типів шляхом епітаксійного осадження з газової фази, який відрізняється...