Матюшин Володимир Михайлович

Номер патенту: 40096

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Матюшин Володимир Михайлович, Антонченко Ніна Анатоліївна, Жавжаров Євген Леонідович

МПК: C23C 14/58, C23C 14/06

Мітки: виготовлення, тонкоплівкових, тензоелементів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення тонкоплівкових тензоелементів, який включає етап нанесення тонких металевих плівок на діелектричну підкладинку методом напилення у вакуумі та наступний етап обробки, який відрізняється тим, що обробка гетероструктури з плівкою відбувається за кімнатних температур одностадійно в атмосфері електрично-нейтрального атомарного водню в вакуумній установці.

Номер патенту: 8622

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Матюшин Володимир Михайлович, Жавжаров Євген Леонідович, Полєха Дмитро Олександрович

МПК: C23C 14/58, C23C 14/18

Мітки: плівок, діелектричних, прошарків, адгезії, спосіб, напівпровідникових, металевих, поліпшення

Формула / Реферат:

Спосіб поліпшення адгезії металевих плівок до напівпровідникових та діелектричних прошарків, який включає нанесення металевої плівки на прошарок і подальше оброблення плівки, який відрізняється тим, що оброблення пластин з плівкою виконують одностадійно в атмосфері електрично нейтрального атомарного водню у вакуумній установці при температурі прошарку 20-70°С.

Номер патенту: 54007

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Матюшин Володимир Михайлович, Мартинюк Роман Валентинович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/223

Мітки: напівпровідникових, спосіб, виготовлення, структур

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникових структур, що полягає в нанесенні плівок дифузанту на монокристалічні напівпровідникові пластини і проведенні твердофазного дифузійного легування, який відрізняється тим, що дифузію легуючої домішки проводять під впливом атомарного водню при температурі 27-57°С.

Номер патенту: 35139

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Матюшин Володимир Михайлович, Татаринов В'ячеслав Ігорович

МПК: H01L 21/20

Мітки: монокристалевих, плівок, тонких, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалевих тонких плівок шляхом кристалізації, що відрізняється тим, що полікристалеву тонку плівку напівпровідника піддають обробці в атомарному водні