Мордик Сергій Миколайович

Номер патенту: 76011

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Борискін Олександр Іванович, Скрипченко Олександр Миколайович, Варакін Олег Вікторович, Михайліченко Анатолій Ігнатович, Єременко Віктор Митрофанович, Мордик Сергій Миколайович, Хоменко Сергій Миколайович, Лифар Іван Миколайович, Павленко Павло Олексійович

МПК: H01J 49/00, H01J 49/26

Мітки: визначення, елементного, складу, речовини, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення елементного складу речовини, який полягає в отриманні плазми шляхом впливу сфокусованого випромінювання імпульсу оптичного квантового генератора (ОКГ), працюючого в режимі модульованої добротності, на поверхню переміщуваного зразка, розширення плазми в безпольовому просторі з наступним розподілом на межі електричного поля на іонну та електронну складові, освітлення об'єктної щілини мас-спектрографа отриманим іонним...

Номер патенту: 67392

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Возний Віталій Іванович, Мирошниченко Валентин Іванович, Сторижко Володимир Юхимович, Мордик Сергій Миколайович

МПК: H01J 27/16

Мітки: джерело, іонів, високочастотне

Формула / Реферат:

1. Високочастотне джерело іонів, що містить газорозрядну камеру, зв'язану із системою газонапуску, індуктор, іонно-оптичну систему, систему постійних магнітів, що охоплює газорозрядну камеру, яке відрізняється тим, що система магнітів виконана у вигляді рівнобіжних магнітних кілець, прилеглих одне до одного, і розташована між індуктором і іонно-оптичною системою з можливістю переміщення уздовж осі по поверхні газорозрядної камери.2....

Номер патенту: 64018

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Скрипченко Олександр Миколайович, Мордик Сергій Миколайович, Варакін Олег Вікторович, Лифар Іван Миколайович, Борискін Олександр Іванович, Хоменко Сергій Миколайович, Єременко Віктор Митрофанович

МПК: H01J 49/00, H01J 49/26

Мітки: складу, спосіб, визначення, речовини, елементного

Формула / Реферат:

Спосіб визначення елементного складу речовини мас-спектрографом з лазерно-плазмовим джерелом іонів (ЛПДІ), який полягає в отриманні плазми шляхом взаємодії сфокусованого випромінювання ОКГ в режимі модульованої добротності з поверхнею досліджуваного зразка, її розширенні в безпольовому просторі з наступним поділом на межі електричного поля на іонну та електронну складові, освітленні об'єктної щілини мас-спектрографа отриманим іонним пучком,...

Номер патенту: 32420

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Мордик Сергій Миколайович, Лебідь Сергій Олексійович

МПК: H01J 27/16

Мітки: високочастотне, іонів, джерело

Текст:

...размещено ферритовое кольцо 7, предназначенной для создания конфигурации магнитного поля магнитной ловушки типа пробкотрон. Источник работает следующим образом. После откачки газоразрядной камеры 1 и напуска газа системой газонапуска 5, индуктор 2 запитывается ВЧ-системой питания 3 высокочастотным напряжением. При подаче высокого давления на вытягивающие электроды ионно-оптической системы 4, через апертуру вытягивающего электрода из...