Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Спосіб визначення елементного складу речовини, який полягає в отриманні плазми шляхом впливу сфокусованого випромінювання імпульсу оптичного квантового генератора (ОКГ), працюючого в режимі модульованої добротності, на поверхню переміщуваного зразка, розширення плазми в безпольовому просторі з наступним розподілом на межі електричного поля на іонну та електронну складові, освітлення об'єктної щілини мас-спектрографа отриманим іонним пучком, поділ іонів ізотопів елементів по відношенню маси до заряду, виміром елементного складу по аналітичних лініях однозарядних іонів, який відрізняється тим, що при взаємодії сфокусованого випромінювання імпульсу ОКГ з поверхнею зразка останній переміщують в паузах між імпульсами ОКГ з частотою переміщення, синхронізованою з частотою імпульсів випромінювання ОКГ.

2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що зразок переміщують не менше ніж на подвоєний діаметр плями, утвореної взаємодією випромінювання імпульсу ОКГ  з поверхнею зразка.

Текст

1. Спосіб визначення елементного складу речовини, який полягає в отриманні плазми шляхом впливу сфокусованого випромінювання імпульсу оптичного квантового генератора (ОКГ), працюю 3 76011 4 складові, освітленням об'єктної щілини масспектральних ліній близьких по своїм масам дозспектрографа отриманим іонним пучком, поділом волив звести до мінімуму апаратні складові іонів елементів по відношенню їхньої маси до задискримінації. При обробці результатів використоряду, та наступним виміром елементного складу вувались лінії ізотопів 64Zn і 65Сu, що по аналітичним сигналам однозарядних іонів, зареєструвалися на одній і тій же експозиції. згідно винаходу, при взаємодії сфокусованого Експозиції вибиралися з умови, щоб аналітичні випромінювання ОКГ з поверхнею зразка останній лінії 64Zn+, 64Zn2+, та 65Сu+, 65Cu2+ розташувались в переміщують в паузах між імпульсами ОКГ з часлінійній частині детектора. Такий підхід дозволив тотою переміщення, синхронізованою з частотою значно підвищити точність проведення вимірів. імпульсів випромінювання ОКГ. Зразок можуть Площі зареєстрованих мас-ліній є мірою переміщувати не менше ніж на подвоєний діаметр аналітичних сигналів. Було проведено по 4 виміри плями взаємодії випромінення ОКГ з поверхнею з різних ділянок початкової і еродованої поверхонь зразка. Таке переміщення дозволяє вибрати для іонів з різними зарядами. ділянку зразка, на поверхні якого відсутні або Оцінка дискримінаційних процесів зведені до мінімуму продукти розпилення зразка здійснювалася по різниці відношення Kj від впливу попереднього імпульсу аналітичних сигналів As 64ZnZi / As 65CuZi від випромінювання. Після зупинки столика з відношення атестованих концентрацій Сат. 64Zn / досліджуваним зразком відбувається генерація Сат. 65Сu, де Zi - заряд іона і-го елемента. В наступного імпульсу ОКГ. ідеальному випадку за відсутності дискримінацій ці На фіг.1 зображено кратер від впливу лазервідношення повинні співпадати. Результати ного випромінення на досліджуваний зразок; фіг.2 вимірів на приладі МС3101 для 4 аналізів на - еродована лазерним променем ОКГ дільниця початковій і еродованій поверхнях представлені в зразка M161 з позначенням місця проведення AsZn j Kj ~ табл.1 і табл.2. Тут: K j ; Kj ; аналізу; фіг. 3 - відношення середніх значень AsCuj 4 аналітичних сигналів міді і цинку на еродованій систематична складова відносної похибки, ~(  ) поверхні до їхніх значень на початковій поверхні, як функція кількості знятих за допомогою сфокусосередньоквадратичне відхилення випадкової ваного випромінення лазера шарів з поверхні складової відносної похибки. Аналіз даних таблиць зразка Ml 61. 1 і 2 показує, що систематична складова відносної Приклад виконання похибки ~ для початкової поверхні не перевищує Оцінка відповідності іонної складової лазерної 1% для однозарядних іонів, в той час, як для плазми, збуджуваної з початкової і еродованої еродованої поверхні А складає -15%. На фіг.3 поверхонь, вмісту міді і цинку в стандартному показані відношення середніх значень аналітичних зразку M161 проведена на мас-спектрографі з сигналів міді і цинку на еродованій поверхні до подвійним фокусуванням і лазерно-плазмовим їхніх значень на початковій поверхні, як функція джерелом іонів МС3101. На фіг.2 показана еродокількості шарів, знятих з поверхні зразка M161 вана лазерним променем ОКГ дільниця стандартсфокусованим випроміненням лазера. Попередня ного зразка M161. Попередня ерозія дільниці ерозія здійснювалася при 50% перекритті сусідніх здійснювалася при 50% накладенні кратерів від кратерів. Тут індекс і відповідає елементу, а індекс впливу сфокусованого випромінення ОКГ. Столик j - кількості знятих шляхом лазерної ерозії шарів. зі зразком при аналізі початкової і еродованої поПри знятті залежності зразок переміщався кроковерхонь переміщався на подвоєний діаметр плями вим двигуном синхронізовано з імпульсами ОКГ в взаємодії випромінення лазера з поверхнею зразпаузах між ними на 260мкм при плямі взаємодії ка кроковим двигуном синхронізовано з частотою 130мкм. Як видно, найбільш сильна зміна ОКГ в паузах між його імпульсами випромінення, концентрацій на еродованій поверхні відбувається що складало ~170мкм. при знятті перших трьох шарів. При подальшій В цьому випадку більшість продуктів розпиерозії поверхні дискримінація росте повільніше. лення від попереднього лазерного імпульсу не Таким чином, використання всіх істотних озвлучають в зону впливу наступного імпульсу нак, включаючи відокремлювальні, дозволяє випромінення (див. фіг.1). В якості аналітичних істотно підвищити точність аналізу елементного ліній використовувались спектральні лінії ізотопів складу твердих речовин. 64 65 Zn и Cu. Їхні ізотопні концентрації практично 64 65 рівні (відношення С Zn / С Cu =0.998). Вибір Таблиця 1 Параметр Аналіз 1 Аналіз 2 Аналіз 3 Аналіз 4 Kj Д,% ст(А),% As 64Zn+ / 65 As Cu+ 0,999 0,984 1,06 0,98 1,01 0,858 3,86 Початкова поверхня As 64Zn2+/ As As64Zn(сума 65 2+ (сума Zi) Сu Cu 0,976 0,996 0,999 0,987 0,947 1,04 0,966 0,976 0,972 0,998 -2,64 -0,012 2,27 2,68 Zi) / As65 65 Сат 64Zn / Сат. Cu 0,998 0,998 0,998 0,998 0,998 5 76011 6 Таблиця 2 Параметр Аналіз 1 Аналіз 2 Аналіз 3 Аналіз 4 Kj Д,% а(Л),% As 64Zn+ / 65 As Cu+ 0,819 0,871 0,816 0,897 0,848 -15,07 4,71 Комп’ютерна верстка М. Клюкін Еродована поверхня As 64Zn2+/ As As64Zn(сума 65 2+ (сума Zi) Сu Cu 0,805 0,818 0,839 0,868 0,806 0,815 0,805 0,889 0,814 0,845 -18,51 -15,35 2,05 4,4 Підписне Zi) / As65 65 Сат 64Zn / Сат. Cu 0,998 0,998 0,998 0,998 0,998 Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for determining the elemental composition of substance

Автори англійською

Boryskin Oleksandr Ivanovych, Yeremenko Viktor Mytrofanovych, Mykhailichenko Anatolii Ihnatovych

Назва патенту російською

Способ определения элементного состава вещества

Автори російською

Борискин Александр Иванович, Еременко Виктор Митрофанович, Михайличенко Анатолий Игнатьевич

МПК / Мітки

МПК: H01J 49/00, H01J 49/26

Мітки: речовини, спосіб, елементного, складу, визначення

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/3-76011-sposib-viznachennya-elementnogo-skladu-rechovini.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб визначення елементного складу речовини</a>

Подібні патенти