Ольховий Вадим Олексійович

Номер патенту: 30568

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Ольховий Вадим Олексійович, Бахрушин Володимир Євгенович

МПК: H01L 21/203

Мітки: спосіб, виготовлення, одношарових, структур, кремнієвих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих одношарових структур, який включає осадження легованого епітаксіального шару кремнію на підкладку, виготовлену з легованого монокристалічного кремнію, та уведення в епітаксіальний шар або підкладку додаткової домішки, що компенсує різницю періодів кристалічних ґраток підкладки і шару, який відрізняється тим, що в якості підкладок використовуються кремнієві пластини з концентрацією кисню не більш 3×1017...