Бахрушин Володимир Євгенович

Номер патенту: 30568

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Бахрушин Володимир Євгенович, Ольховий Вадим Олексійович

МПК: H01L 21/203

Мітки: виготовлення, кремнієвих, одношарових, структур, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих одношарових структур, який включає осадження легованого епітаксіального шару кремнію на підкладку, виготовлену з легованого монокристалічного кремнію, та уведення в епітаксіальний шар або підкладку додаткової домішки, що компенсує різницю періодів кристалічних ґраток підкладки і шару, який відрізняється тим, що в якості підкладок використовуються кремнієві пластини з концентрацією кисню не більш 3×1017...

Номер патенту: 29316

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Крітська Тетяна Володимірівна, П'ятигорець Роман Олександрович, Бахрушин Володимир Євгенович, Янус Олександр Володимірович

МПК: H01L 21/223

Мітки: спосіб, отримання, кремнієвих, композицій

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвих N+-P-N композицій, що включає вирощування кристалу кремнію, який містить 1*1016-1*1020см-3 легувалСпосіб отримання кремнієвих N+-P-N композицій, що включає вирощування кристалу кремнію, який містить 1*1016-1*1020см-3 легувальної донорної домішки, виготовлення із нього кремнієвої підкладки п+- типу та формування високоомних шарів кремнію р- та n-типів шляхом епітаксійного осадження з газової фази, який відрізняється...