Патенти з міткою «одношарових»

Номер патенту: 75529

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Соболь Валерій Петрович, Магунов Ігор Робертович, Мозкова Ольга Володимирівна, Чигринов Валентин Ерленович, Зінченко Віктор Федосійович, Садковська Людмила Василівна

МПК: G02B 5/28

Мітки: покриттів, тонкоплівкових, одношарових, матеріал

Формула / Реферат:

 Матеріал для тонкоплівкових одношарових покриттів, що містить германій елементний та халькогенід цинку, який відрізняється тим, що як халькогенід цинку використовують ZnSe, при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: ZnSe 70,0¸65,0 Ge 30,0¸35,0.

Номер патенту: 52991

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Данільченко Борис Васильович, Березін Олександр Миколайович

МПК: B29C 65/02

Мітки: стільниковою, зварних, спосіб, одношарових, стінкою, труб, діаметра, спіральношовних, полімерних, виготовлення, високожорстких, великого

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високожорстких одношарових спіральношовних зварних полімерних труб великого діаметра зі стільниковою стінкою, згідно з яким формують попередньо екструдований профіль (переважно трубчатого перерізу) шляхом одночасного навивання та всебічного зварювання витків спіралей, які розташовані один над іншим, який відрізняється тим, що з зовнішньої сторони стінки на неї наварюють фланці та ребра жорсткості також зі стільниковою...

Номер патенту: 83763

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Нагорна Тетяна Іванівна, Білий Яків Іванович, Кислична Раїса Іванівна

МПК: C03C 8/02, C03C 8/14

Мітки: покриттів, приготування, одержання, маса, одношарових, спосіб, склоемалевих

Формула / Реферат:

1. Маса для одержання одношарових склоемалевих покриттів, яка включає легкоплавку фриту, що містить оксиди: SiO2, ТiО2, В2О3, MnO2, Fe2O3, Na2O, CoO, NiO, вогнетривку глину, нітрит натрію та воду, яка відрізняється тим, що вона додатково містить забарвлюючу добавку, причому як забарвлюючу добавку вона містить розчин солі кобальту Co(NO3)2 ·6H2O і солі хрому Cr2(SO4)3 ·6H2O при наступному співвідношенні компонентів, мас. ч:фрита -...

Номер патенту: 30568

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Ольховий Вадим Олексійович, Бахрушин Володимир Євгенович

МПК: H01L 21/203

Мітки: одношарових, спосіб, кремнієвих, структур, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих одношарових структур, який включає осадження легованого епітаксіального шару кремнію на підкладку, виготовлену з легованого монокристалічного кремнію, та уведення в епітаксіальний шар або підкладку додаткової домішки, що компенсує різницю періодів кристалічних ґраток підкладки і шару, який відрізняється тим, що в якості підкладок використовуються кремнієві пластини з концентрацією кисню не більш 3×1017...