Патенти з міткою «кремнієвих»

Номер патенту: 115688

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Тіщенко Ігор Юрійович

МПК: C30B 29/00, C30B 33/04

Мітки: спосіб, кремнієвих, виготовлення, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин, що включає розрізання з припуском квадратованого чи псевдоквадратованого зливка монокристалічного чи мультикристалічного кремнію на пластини з припуском та видалення припуску з торцевих поверхонь пластини шляхом обробки за допомогою високоенергетичного вузьконаправленого газового потоку, який відрізняється тим, що при видаленні припуску одночасно на торцевій поверхні формують фаску, при цьому...

Номер патенту: 114285

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Чебишев Костянтин Олександрович, Пасічник Людмила Валентинівна, Радіо Сергій Вікторович, Борисова Катерина Володимирівна, Гетьман Євген Іванович

МПК: C01B 33/00, C01B 33/20, C01D 7/00 ...

Мітки: одержання, кремнієвих, натрію, оксіапатитів, спосіб, рідкісноземельних, металів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кремнієвих оксіапатитів натрію та рідкісноземельних металів, що включає сумісне розчинення карбонату натрію й оксидів рідкісноземельних металів у концентрованій нітратній кислоті з утворенням суміші нітратів, перетворення їх тартратною кислотою в тартрати натрію й рідкісноземельних металів, змішування тартратів із розчином тетраетоксисилану в етанолі, гідроліз одержаного розчину аміаком, сушіння одержаного гелю за 80-120...

Номер патенту: 105248

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Соколовський Богдан Степанович

МПК: H01L 31/00, H01L 29/861, H01L 21/04 ...

Мітки: кремнієвих, спосіб, структур, отримання, фотовольтаїчних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур, за яким електрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію, створюють р-n перехід та виготовляють електричні контакти, який відрізняється тим, що як зразок використовують монокристалічний кремній орієнтації (100), n - типу провідності, товщиною 400 мкм, з питомим опором 4.5 Ом*см, на тильну поверхню якого термовакуумно напилюють плівку срібла товщиною 1 мкм, анодують у розчині...

Номер патенту: 103798

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Рукавишников Євген Миколайович, Рукавишников Микола Васильович

МПК: C22C 19/03, C22C 33/04, C22B 9/20 ...

Мітки: спосіб, печі, переведення, кремнієвих, роботи, методу, карборундового, феросплавів, виплавці, безкарборундовий

Формула / Реферат:

Спосіб переведення роботи печі по виплавці кремнієвих феросплавів з карборундового методу на безкарборундовий, що включає регулювання шихтового, електричного і електродного режимів її роботи, а також зміни кількості вуглецю в шихті, який відрізняється тим, що здійснюють одночасно наступні операції: випалювання подового гарнісажу шляхом занурення у ванну печі електродів з робочими тиглями до навколоподового простору, при зменшенні подачі...

Номер патенту: 100089

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Стубхан Франк, Вольмар Вілфрід

МПК: C01B 33/035, G01B 11/08, G01B 11/06 ...

Мітки: вимірювання, кремнієосаджувальному, показника, стрижнів, кремнієвих, зростання, товщини, пристрій, спосіб, реакторі

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вимірювання показника зростання товщини кремнієвих стрижнів в кремнієосаджувальному реакторі на підставі показників пристрою для вимірювання температури, який відрізняється тим, що як пристрій для вимірювання температури використано безконтактний пристрій для вимірювання температури (4), який виконаний з можливістю обертання вздовж осі обертання (5) за допомогою обертаючого приводу (9), при цьому вісь обертання (5) розташована...

Номер патенту: 99570

Опубліковано: 27.08.2012

Автор: Корнмайер Торстен

МПК: C01B 33/035, C30B 25/00

Мітки: кремнієвих, кріпильний, осаджувальних, конус, стержнів

Формула / Реферат:

1. Кріпильний конус для кремнієвих осаджувальних стержнів в реакторах для осаджування полікремнію, виготовлений з графіту, який відрізняється тим, що кріпильний конус включає вісесиметричну основну частину корпусу (2), в центрі верхньої поверхні якої містить цільний кріпильний елемент (3), виконаний з можливістю кріплення кремнієвих осаджувальних стержнів (1), при цьому основна частина корпусу (2) має отвір у формі кришки горщика, виконаний...

Номер патенту: 72174

Опубліковано: 10.08.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02, C30B 29/06, C30B 35/00 ...

Мітки: кремнієвих, спосіб, мультикристалічних, злитків, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який відрізняється тим, що додаткову кремнієву сировину переміщують за допомогою пристрою для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків з його бункера до камери печі вирощування на тверду кремнієву пробку, що утворюється на поверхні розплаву.

Номер патенту: 68203

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/20

Мітки: шарів, спосіб, формування, монокристалічних, епітаксійних, кремнієвих, підкладках, арсенід-галієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, який полягає в тому, що епітаксійні шари наносять на наперед підготовлених монокремнієвих підкладках, розорієнтованих на кут <4°, який відрізняється тим, що нанесення вихідних епішарів арсеніду галію здійснюється шляхом використання надвисокочастотного збудження плазми з розподіленим електронно-циклотронним резонансом на основі...

Номер патенту: 67692

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 29/06

Мітки: мультикристалічних, вирощування, печі, пристрій, кремнієвих, завантаження, злитків

Формула / Реферат:

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який характеризується тим, що складається з накопичувального бункера, вібратора, подавальної труби та пристрою, контролюючого введення додаткової маси кремнієвої сировини.

Номер патенту: 62085

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: B81C 1/00, B82B 3/00

Мітки: спосіб, пластинах, багаторівневих, порожнин, кремнієвих, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування багаторівневих порожнин в кремнієвих пластинах, що включає маскування за заданою топологією поверхні пластини, витравлювання в немаскованих місцях на задану глибину вертикальних щілин, покриття поверхні щілин нітридом кремнію і його селективне витравлення на дні щілини, поглиблення щілин витравлюванням кремнію та формування горизонтальних порожнин-тунелів і звисаючих в них зі стінок щілин ділянок із нітриду кремнію,...

Номер патенту: 60700

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Сєліверстов Ігор Анатолійович, Сєліверстова Світлана Ростиславівна, Фролов Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/329, H01L 21/04, H01L 21/31 ...

Мітки: виготовлення, спосіб, діодів, охоронним, шотткі, кільцем, кремнієвих

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію...

Номер патенту: 93186

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Фролов Олександр Олександрович, Фролов Костянтин Олександрович

МПК: H01L 21/316, H01L 21/04, H01L 21/31 ...

Мітки: кремнієвих, виготовлення, спосіб, меза-діодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих меза-діодів в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеного на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за допомогою дифузії домішки другого типу провідності та...

Номер патенту: 44908

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: C30B 29/06, C30B 33/00

Мітки: пластин, виготовлення, спосіб, кремнієвих, мультикристалічного, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію, що включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини, який відрізняється тим, що додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані 0,1-10 мм.

Номер патенту: 43896

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C30B 33/00

Мітки: спосіб, пластин, монокристалічних, кремнієвих, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин, що включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, при цьому розмір горизонтального перерізу псевдоквадратованого зливка відповідає заданому розміру пластини з припуском, видалення припуску, різання псевдоквадратованого зливка на пластини, який відрізняється тим, що при обробці на квадратері припуск...

Номер патенту: 43198

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: B82B 3/00, B81C 1/00

Мітки: герметизованих, пластинах, кремнієвих, спосіб, порожнин, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування герметизованих порожнин в кремнієвих пластинах, що включає маскування за заданою топологією поверхні пластини, витравлювання в немаскованих місцях на задану глибину вертикальних щілин, покриття поверхні щілин нітридом кремнію і його селективне витравлення на дні щілини, поглиблення щілин витравлюванням кремнію та формування порожнин-тунелів і звисаючих в них зі стінок щілин ділянок із нітриду кремнію та окислення...

Номер патенту: 86137

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Коман Богдан Петрович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/203

Мітки: спосіб, кремнієвих, металізації, підкладок

Формула / Реферат:

Спосіб металізації кремнієвих підкладок, що включає розміщення підкладки у відкачаній вакуумній камері, нагрівання підкладки та напилення на її поверхню металу із отриманням тонкої плівки, який відрізняється тим, що здійснюють термічне напилення міді із отриманням металевої плівки із товщиною від 10 до 400 нм, яке проводять зі швидкістю 0,2-2 нм/с, при цьому забезпечують у металевій плівці мінімальну величину механічних напруг термічної...

Номер патенту: 34271

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H05K 3/00

Мітки: катодів, двоелектродних, виготовлення, автоемісійних, кремнієвих, розмірів, субмікронних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення двоелектродних автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів, який включає формування вістер катодів шляхом термічного окислення поверхні кремнію, фотолітографії, ізотропного сухого травлення, загострення вістер окисленням та мокрим травленням, селективного покриття катодів захисною плівкою, який відрізняється тим, що по одній технології отримують одношпильові, багатошпильові або лезоподібні катоди з...

Номер патенту: 53903

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович, Зуєва Тетяна Костянтинівна

МПК: H01L 21/22

Мітки: кристалів, відокремлюючими, виготовлення, кремнієвих, приладів, областями, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кристалів кремнієвих напівпровідникових приладів з відокремлюючими p+ областями, що включає створення в кремнієвій підкладці n-типу випрямних плоских р-n переходів дифузією, формування відокремлюючих p+ областей термоміграцією линійних зон на основі алюмінію, яка супроводжується дифузією алюмінію з пари в поверхню підкладки, створення інжектуючих р-n переходів, наступну однобічну пасивацію випрямних р-n переходів,...

Номер патенту: 41209

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Семенов Олег Сергійович, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 21/208

Мітки: структур, відокремлюючими, виготовлення, кремнієвих, периферійними, спосіб, областями, матричних, епітаксіальних

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних матричних структур і периферійними відокремлюючими областями, який включає підготовку пластини-джерела і підкладки, утворення відокремлюючих р+областей, формування зони капілярним втягуванням металу-розчинника на основі алюмінію в щілину між пластиною-джерелом і підкладкою, перекристалізацію пластини-джерела зоною, що просувається в полі градієнта температури під час термоміграції, і...

Номер патенту: 30568

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Бахрушин Володимир Євгенович, Ольховий Вадим Олексійович

МПК: H01L 21/203

Мітки: кремнієвих, одношарових, спосіб, виготовлення, структур

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих одношарових структур, який включає осадження легованого епітаксіального шару кремнію на підкладку, виготовлену з легованого монокристалічного кремнію, та уведення в епітаксіальний шар або підкладку додаткової домішки, що компенсує різницю періодів кристалічних ґраток підкладки і шару, який відрізняється тим, що в якості підкладок використовуються кремнієві пластини з концентрацією кисню не більш 3×1017...

Номер патенту: 29316

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Крітська Тетяна Володимірівна, Бахрушин Володимир Євгенович, П'ятигорець Роман Олександрович, Янус Олександр Володимірович

МПК: H01L 21/223

Мітки: кремнієвих, композицій, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвих N+-P-N композицій, що включає вирощування кристалу кремнію, який містить 1*1016-1*1020см-3 легувалСпосіб отримання кремнієвих N+-P-N композицій, що включає вирощування кристалу кремнію, який містить 1*1016-1*1020см-3 легувальної донорної домішки, виготовлення із нього кремнієвої підкладки п+- типу та формування високоомних шарів кремнію р- та n-типів шляхом епітаксійного осадження з газової фази, який відрізняється...

Номер патенту: 25348

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: кремнієвих, епітаксійних, одержання, арсеніду, шарів, рідкофазною, епітаксією, основах, галію, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...

Номер патенту: 16283

Опубліковано: 29.08.1997

Автор: Удовицький Віктор Григорович

МПК: G01N 27/00

Мітки: елементів, кремнієвих, виготовлення, спосіб, газочутливих

Формула / Реферат:

Способ изготовления кремниевых газочувст­вительных элементов, заключающийся в обработ­ке поверхности элементов смесью веществ для легировання поверхности примесями, повышаю­щими чувствительность элементов к анализируе­мому компоненту, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности элементов к диэтиловому эфиру, газочувствительные элемен­ты обрабатывают хлорметилтрихлорсиланом в ин­тервале температур от 115 до 120°С в течение...

Номер патенту: 11378

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович

МПК: H01L 21/205

Мітки: кремнієвих, виготовлення, структур, спосіб, епітаксіальних

Формула / Реферат:

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур, включающий формирование скрытых областей n+ -типа на кремниевой подлож­ке р-типа с последующим нанесением слоя поли­кремния, термическую обработку структуры в окислительной среде с образованием на поверхно­сти поликремния слоя оксида, газового травления в среде хлористого водорода и эпитаксиальное на­ращивание слоя n-типа, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и...