Резинкін Олег Лук’янович
Радіопрозорий керамічний матеріал
Номер патенту: 100087
Опубліковано: 10.07.2015
Автори: Захаров Артем Вячеславович, Ревуцький Віталій Ігорович, Лісачук Георгій Вікторович, Іванченко Дмитро Дмитрович, Лісачук Лідія Миколаївна, Колчигін Микола Миколайович, Резинкін Олег Лук'янович, Кривобок Руслан Вікторович
МПК: C04B 35/44
Мітки: радіопрозорий, керамічний, матеріал
Формула / Реферат:
Радіопрозорий керамічний матеріал, що містить кварц Вишневецький, глинозем, вуглекислий стронцій, який відрізняється тим, що містить компоненти при такому співвідношенні, мас. %: кварц Вишневецький - 30-50; глинозем - 25; вуглекислий стронцій - 25-45.
Спосіб створення магнітоелектричних покриттів шаруватої структури
Номер патенту: 66123
Опубліковано: 26.12.2011
Автори: Проскурін Микола Миколайович, Баніна Марина Володимирівна, Богоявленська Олена Володимирівна, Сахненко Микола Дмитрович, Резинкін Олег Лук'янович, Ведь Марина Віталіївна, Лісачук Георгій Вікторович
МПК: C25D 11/00
Мітки: спосіб, структури, шаруватої, покриттів, створення, магнітоелектричних
Формула / Реферат:
Спосіб створення магнітоелектричних покриттів шаруватої структури, що включає допування оксидної матриці, який відрізняється тим, що шаруваті активні діелектрики формуються у дві послідовні стадії: перший шар покриття формують з використанням мікродугового способу при напрузі 600-650 В, температурі 20-25 °С при охолоджуванні та перемішуванні з електроліту, який містить ультрадисперсні частки фериту, густина струму становить 1,5-2,0 А/дм2,...
Спосіб одержання покриттів активними діелектриками на сплавах алюмінію та титану
Номер патенту: 52663
Опубліковано: 10.09.2010
Автори: Ведь Марина Віталіївна, Ярошок Тамара Петрівна, Резинкін Олег Лук'янович, Богоявленська Олена Володимирівна, Сахненко Микола Дмитрович, Баніна Марина Володимирівна
МПК: C25D 11/00
Мітки: одержання, сплавах, алюмінію, титану, активними, спосіб, покриттів, діелектриками
Формула / Реферат:
Спосіб одержання покриттів активними діелектриками на сплавах алюмінію та титану шляхом заповнення пор оксиду-матриці прекурсором, який відрізняється тим, що формування матриці та її заповнення прекурсором проводять в одну стадію методом мікродугового оксидування в гальваностатичному режимі при напрузі 100-200 В, температурі 20-25 °С при постійному перемішуванні та охолодженні електроліту; тривалість процесу складає 30-150 хвилин; початкова...