Спосіб створення магнітоелектричних покриттів шаруватої структури

Спосіб створення магнітоелектричних покриттів шаруватої структури, що включає допування оксидної матриці, який відрізняється тим, що ша 3 ремішуванні з електроліту, який містить ультрадисперсні частки фериту. Густина струму становить 2 1,5-2,0 А/дм . Тривалість процесу складає 10-15 хв.; другий шар покриття формують при напрузі 50-60 В, температурі 20-25 °C в електроліті з ультрадисперсними частками барію-стронцію титанату. 2 Густина струму становить 5,0-7,0 А/дм . Тривалість процесу складає 30-60 с Перший шар покриття феритом має товщину 100-150 мкм, другий шар покриття сегнетоелектриком - 100-250 мкм в залежності від часу електролізу. Спосіб створення магнітоелектричних покриттів шаруватої структури на сплавах алюмінію дозволяє отримувати штучні шаруваті композитні середовища з магнітоелектричними властивостями. Електрохімічний спосіб синтезу сприяє чіткому розділенню шарів, що виключає можливість утворення каналів провідності в нормальному поверхні напрямку і різкому погіршенню діелектричних властивостей матеріалу та дозволяє створювати покриття з контрольованими хімічним складом, товщиною шарів і, відповідно, властивостями. Підбираючи певним чином вихідні компоненти, в Комп’ютерна верстка І. Скворцова 66123 4 таких системах можливо отримувати значну магнітоелектричну взаємодію, достатню для практичного використання, наприклад, при створенні елементів функціональної електроніки, у пристроях, які працюють у надвисокочастотному або оптичному діапазонах, датчиків магнітного поля з можливістю безконтактного перетворення механічних пересувань в електричні сигнали, у безконтактних комутаторах електричних кіл, а також у формувачах генераторів потужних швидкозростаючих та високочастотних імпульсів напруги і струму тощо. Джерела інформації: 1. Устинов А. Б. Быстродействие планарного феррит-сегнетоэлектрического сверхвысокочастотного резонатора / Устинов А. Б., G.Srinivasan // Журнал технической физики.-2010. - Т.80. - Вып. 6.- С. 147-150. 2. Патент на корисну модель № 52663 Україна. МПК C25D11/00 Спосіб одержання покриттів активними діелектриками на сплавах алюмінію та титану / Сахненко М. Д., Ведь М. В.; Богоявленська О.В., Баніна М. В., Ярошок Т. П., Резинкін О. Л. заявник та власник патенту НТУ'ХГП".-201000064; заявл. 11.01.2010; Опубл. 10.09.2010, Бюл.№ 17. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601