Рюхтін В’ячеслав Васильович
Спосіб виготовлення фотоперетворювача ультрафіолетового випромінювання
Номер патенту: 91300
Опубліковано: 12.07.2010
Автори: Шимановський Олександр Бенедиктович, Бобренко Юрій Миколайович, Павелець Сергій Юрійович, Рюхтін В'ячеслав Васильович, Коржинський Федір Йосипович
МПК: H01L 31/00
Мітки: випромінювання, виготовлення, ультрафіолетового, фотоперетворювача, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотоперетворювачів ультрафіолетового випромінювання, який включає нанесення полікристалічного шару напівпровідника групи А2В6 n-типу провідності на електропровідну підкладку, формування р-n-гетеропереходу шляхом термічного осадження у вакуумі прозорого шару сульфіду міді Cu1,8S p-типу провідності, який відрізняється тим, що на шар напівпровідника n-типу провідності додатково наносять при температурі 150-300 °С суцільний...
Спосіб вимірювання ефективної площі фоточутливого елемента фотодіода
Номер патенту: 27887
Опубліковано: 26.11.2007
Автори: Годованюк Василь Миколайович, Рюхтін В'ячеслав Васильович, Добровольський Юрій Георгійович, Бутенко Василь Кирилович, Юр'єв Василь Григорович, Докторович Ірина Василівна
МПК: H01L 31/18
Мітки: вимірювання, фотодіодa, фоточутливого, елемента, спосіб, ефективно, площі
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання ефективної площі фоточутливого елемента фотодіода, що здійснюється фотоелектричним методом шляхом засвічення фоточутливого елемента світловим потоком, який відрізняється тим, що в площині фоточутливого елемента фотоприймача формують рівномірне світлове поле в 2-3 рази більше більшого з розмірів фоточутливого елемента, вимірюють фотосигнал фотоприймача ІФП, потім перед вхідним вікном фотоприймача встановлюють діафрагму...
Фотодіод
Номер патенту: 66666
Опубліковано: 17.05.2004
Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Башкіров Сергій Юрієвич, Годованюк Василь Миколайович, Рюхтін В'ячеслав Васильович, Дудницький Микола Павлович
МПК: H01L 31/00
Мітки: фотодіод
Формула / Реферат:
Фотодіод, що містить підкладку одного типу провідності, одну або декілька фоточутливих ділянок іншого типу провідності та омічні контакти, який відрізняється тим, що повинен відповідати системі нерівностей:де - глибина залягання р-n переходу;