Патенти з міткою «фотодіод»

Номер патенту: 116033

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Брус Віктор Васильович, Солован Михайло Миколайович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Мостовий Андрій Ігорович

МПК: H01L 31/07, H01L 31/072, H01L 31/073 ...

Мітки: фотодіод, гетероструктурі, основі

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі гетероструктури ΜοΟx/n-CdTe, одним з компонентів якого є поглинач оптичного випромінювання n-CdTe, а другим - нанесена на нього плівка і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що другим компонентом є плівка МоОх, нанесена методом реактивного магнетронного розпилення, а фронтальним контактом є прошарок молібдену, напилений на плівку МоОх.

Номер патенту: 111231

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Романюк Ірина Ігорівна, Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Галочкин Олександр Вікторович

МПК: H01L 29/872

Мітки: шотткі, основі, фотодіод, in2hg3te6

Формула / Реферат:

Фотодіод Шотткі, що містить поглинач оптичного випромінювання з n-In2Hg3Te6 та нанесений на нього фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що містить шар, додатково оброблений лазерним випромінюванням, причому фронтальний бар'єрний шар до підкладки n-In2Hg3Te6 виконаний з хрому.

Номер патенту: 92085

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович, Кафанов Анатолій Михайлович, Солован Михайло Миколайович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотодіод, основі, p-hg3in2te6

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі p-Hg3In2Te6, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесений на поглинач фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої монокристалічної підкладки р-Hg3In2Te6, а нанесений на підкладку фронтальний шар виконаний з плівки n-TiN.

Номер патенту: 92084

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Кафанов Анатолій Михайлович, Мостовий Андрій Ігорович, Брус Віктор Васильович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фотодіод, основі, гетероструктурі

Формула / Реферат:

Фотодіод на основі гетероструктури, який містить поглинач оптичного випромінювання та нанесену на поглинач плівку і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що поглинач оптичного випромінювання виконаний у вигляді полірованої полікристалічної підкладки p-Si, а як фронтальний шар - плівка n-ТiO2.

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Добровольський Юрій Георгійович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євген Федорович, Шабашкевич Борис Григорович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/0216, H01L 31/06 ...

Мітки: ультрафіолетовому, діапазоні, чутливий, спектра, бар'єром, фотодіод, шотткі

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Шабашкевич Борис Григорович, Воронкін Євген Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/0216, H01L 31/06 ...

Мітки: діапазоні, чутливий, шотткі, спектра, ультрафіолетовому, бар'єром, фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Номер патенту: 6475

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Фотій Василь Давидович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод у металоскляному корпусі, що включає напівпровідникову підкладку, в якій сформовано фоточутливий елемент з охоронним кільцем, захисним ізолюючим покриттям та омічними металевими контактами, який відрізняється тим, що розміри світлового діаметра вхідного вікна фотодіода D1, загального діаметра фоточутливого елемента D2, відстані від поверхні фоточутливого елемента до зовнішньої поверхні вхідного вікна фотодіода С та плоский кут зору...

Номер патенту: 5735

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Фотій Василь Васильович, Фотій Василь Давидович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод, що містить метало-скляний корпус, в напівпровідниковій підкладці якого сформований чотириелементний квадрантний фоточутливий елемент із захисним ізолюючим покриттям та омічними металевими контактами, який відрізняється тим, що площа кожного фоточутливого елемента складає не менше 48 мм2, а діаметр вхідного вікна корпусу має бути не менше 17 мм.

Номер патенту: 4877

Опубліковано: 15.02.2005

Автор: Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод, який містить підкладку одного типу провідності, фоточутливу область іншого типу провідності та омічні контакти, який відрізняється тим, що товщина напівпровідникової підкладки фотодіода - , глибина поглинання робочої довжини хвилі - , глибина поглинання довжини хвилі фонового випромінювання -

Номер патенту: 71544

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Піроженко Сергій Іванович, Малік Олександр Іванович, Шабашкевич Борис Григорович

МПК: H01L 31/06

Мітки: області, фотодіод, спектра, ультрафіолетової

Формула / Реферат:

Фотодіод для ультрафіолетової області спектра, що містить епіктаксіальний шар фосфіду галію n-типу провідності на підкладці з фосфіду галію того самого типу провідності, захисний шар діелектрика з вікном на поверхні епітаксіального шару, в якому на поверхні епітаксіального шару розташований прозорий електрод у вигляді тонкої плівки, струмознімний контакт навколо вікна, що має електричний контакт з прозорим електродом та суцільний металічний...

Номер патенту: 66666

Опубліковано: 17.05.2004

Автори: Дудницький Микола Павлович, Башкіров Сергій Юрієвич, Добровольський Юрій Георгійович, Годованюк Василь Миколайович, Рюхтін В'ячеслав Васильович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод, що містить підкладку одного типу провідності, одну або декілька фоточутливих ділянок іншого типу провідності та омічні контакти, який відрізняється тим, що повинен відповідати системі нерівностей:де  - глибина залягання р-n переходу;

Номер патенту: 58063

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Комаров Євген Васильович, Добровольський Юрій Георгійович, Біксей Михайло Петрович, Годованюк Василь Миколайович

МПК: H01L 31/00

Мітки: ультрафіолетової, випромінювання, фотодіод, оптичного, області, спектра

Формула / Реферат:

Фотодіод для ультрафіолетової області спектра оптичного випромінювання на основі фосфіду галію з активним електродом, який відрізняється тим, що як активний електрод до фосфіду галію використовується провідний шар окислу металу або суміш окислів металів, оптично прозорих в діапазоні довжин хвиль 250 – 500 нм з показником заломлення в межах