Патенти з міткою «фотодіодa»

Номер патенту: 113671

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Бодюл Георгій Ілліч, Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович, Герман Іванна Іванівна

МПК: H01L 31/00

Мітки: спосіб, основі, виготовлення, контакту, метал-gap, фотодіодa

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-GaP, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічного та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що підкладинки n-GaP травлять у розплаві KOH:NaNO3=1:50 при температурі 500±50 °C протягом 20±10 хв., далі на них термічним напиленням у вакуумі наносять напівпрозору плівку Ni, що є випрямляючим контактом.

Номер патенту: 87410

Опубліковано: 10.02.2014

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: виготовлення, спосіб, фотодіодa

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода GaAs/GaP, що включає створення гетерошару на напівпровідниковій підкладинці шляхом відпалу у вакуумованій ампулі в присутності шихти, який відрізняється тим, що відпал підкладинок n-GaP проводять в ізотермічних умовах у присутності шихти GaAs при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 40056

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Махній Віктор Петрович, Скрипник Микола Володимирович, Демич Микола Васильович

МПК: H01L 31/00

Мітки: виготовлення, метал-n-cdte, контакту, основі, фотодіодa, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-n-CdTe, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічних та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямляючого контакту підкладинки з омічними контактами відпалюють на повітрі при температурі 520±5 °С протягом 10±2 хв.

Номер патенту: 27887

Опубліковано: 26.11.2007

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Рюхтін В'ячеслав Васильович, Юр'єв Василь Григорович, Бутенко Василь Кирилович, Годованюк Василь Миколайович, Докторович Ірина Василівна

МПК: H01L 31/18

Мітки: фоточутливого, ефективно, вимірювання, площі, спосіб, елемента, фотодіодa

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання ефективної площі фоточутливого елемента фотодіода, що здійснюється фотоелектричним методом шляхом засвічення фоточутливого елемента світловим потоком, який відрізняється тим, що в площині фоточутливого елемента фотоприймача формують рівномірне світлове поле в 2-3 рази більше більшого з розмірів фоточутливого елемента, вимірюють фотосигнал фотоприймача ІФП, потім перед вхідним вікном фотоприймача встановлюють діафрагму...

Номер патенту: 7145

Опубліковано: 15.06.2005

Автори: Піроженко Сергій Іванович, Шабашкевич Борис Григорович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/18

Мітки: спосіб, фотодіодa, виготовлення, поверхнево-бар'єрного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення поверхнево-бар'єрного фотодіода, який включає нанесення на нагріту поверхню епітаксійного шару фосфіду галію шару окису металу (двоокису олова або триокису індію (Іn2О3), або їх суміші ІТО, або двоокис олова, легований фтором) та окису або двоокису кремнію, та створення омічних контактів, який відрізняється тим, що спочатку на поверхню фосфіду галію наноситься шар окису або двоокису кремнію, в якому створюється отвір,...

Номер патенту: 4946

Опубліковано: 15.02.2005

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Раренко Ілларій Михайлович

МПК: H01L 31/18

Мітки: виготовлення, фотодіодa, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів, що включає формування кристала фотодіода, одночасний вплив на нього постійних електричного та магнітного полів через поверхню конічної форми, який відрізняється тим, що постійне електричне поле модулюють.