Сімпсон Метью А.

Способи кристалографічної переорієнтації монокристалічного тіла

Завантаження...

Номер патенту: 98967

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Аркона Крістофер, Джіндхарт Девід І., Танікелла Брахманандам В., Сімпсон Метью А., Джонс Крістофер Д.

МПК: B28D 5/00, B24B 7/00, B24B 49/00 ...

Мітки: переорієнтації, монокристалічного, способи, кристалографічно, тіла

Формула / Реферат:

1. Спосіб зміни кристалографічної орієнтації монокристалічного тіла, який включає: вивчення кристалографічної орієнтації монокристалічного тіла;обрахування кута неузгодженої орієнтації між вибраним кристалографічним напрямком монокристалічного тіла і проекцією цього кристалографічного напрямку на площину першої зовнішньої основної поверхні монокристалічного тіла;фіксацію монокристалічного тіла в положенні, що є нахиленим...

Сапфірні основи і процеси їх виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 98314

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Чіннакаруппан Паланіаппан, Сімпсон Метью А., Танікелла Брахманандам В., Ведантхам Рамануджам, Ріццуто Роберт А.

МПК: B24B 37/005, B24B 7/00, H01L 21/20 ...

Мітки: основі, виготовлення, сапфірні, процесі

Формула / Реферат:

1. Процес створення партії сапфірових підкладок, який включає:шліфування поверхні кожної сапфірової підкладки за допомогою першого фіксованого абразиву таким чином, що перша поверхня має с-площинну орієнтацію, де зазначена партія сапфірових підкладок містить принаймні 20 сапфірових підкладок, ташліфування зазначеної поверхні сапфірової підкладки за допомогою другого фіксованого абразиву, де другий фіксований абразив є більш...

Сапфірна основа (варіанти)

Завантаження...

Номер патенту: 97969

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Танікелла Брахманандам В., Ведантхам Рамануджам, Черіан Ісаак К., Чіннакаруппан Паланіаппан, Сімпсон Метью А., Ріццуто Роберт А.

МПК: C30B 29/20

Мітки: основа, варіанти, сапфірна

Формула / Реферат:

1. Сапфірна основа, яка містить в цілому плоску поверхню з кристалографічною орієнтацією, вибраною із групи, що складається із а-площинної, r-площинної, m-площинної і с-площинної орієнтацій, і величиною nTTV не більше, ніж приблизно 0,037 мкм/см2, де nTTV є загальною варіацією товщини, нормованою до площі поверхні зазначеної в цілому плоскої поверхні, де зазначена основа має діаметр не менше, ніж приблизно 9,0 см.2. Сапфірна основа за...