Патенти з міткою «монокристалічного»

Номер патенту: 109236

Опубліковано: 25.08.2016

Автор: Варцаба Ігор Володимирович

МПК: G02C 7/00

Мітки: монокристалічного, оптичного, лейкосапфіру, лінзи, окулярні

Формула / Реферат:

Окулярні лінзи із оптичного (монокристалічного) лейкосапфіру (a-А12О3), які відрізняються тим, що за своїми оптичними (втрати на відбивання складають лише 14 %, показник заломлення - 1,75, число Аббе - 74, у стандартних стекол, що використовують для виготовлення лінз, 70-75 Гпа) та механічними (твердість по шкалі Мооса 9, модуль Юнга 335 - ГПа) характеристиками переважають традицій неорганічні та органічні матеріали, що використовують...

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10, C23C 4/04 ...

Мітки: спосіб, чохральського, монокристалічного, методом, вирощування, діаметра, підготовки, тигля, великого, злитка

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Номер патенту: 98967

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Джіндхарт Девід І., Аркона Крістофер, Танікелла Брахманандам В., Сімпсон Метью А., Джонс Крістофер Д.

МПК: B24B 49/00, B28D 5/00, B24B 7/00 ...

Мітки: переорієнтації, монокристалічного, тіла, способи, кристалографічно

Формула / Реферат:

1. Спосіб зміни кристалографічної орієнтації монокристалічного тіла, який включає: вивчення кристалографічної орієнтації монокристалічного тіла;обрахування кута неузгодженої орієнтації між вибраним кристалографічним напрямком монокристалічного тіла і проекцією цього кристалографічного напрямку на площину першої зовнішньої основної поверхні монокристалічного тіла;фіксацію монокристалічного тіла в положенні, що є нахиленим...

Номер патенту: 60406

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Копач Володимир Романович, Зайцев Роман Валентинович, Кіріченко Михайло Валерійович, Хрипунов Геннадій Семенович, Лісачук Георгій Вікторович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: спосіб, ккд, кремнієвого, перетворювача, монокристалічного, підвищення, фотоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача, який включає обробку фотоелектричного перетворювача у стаціонарному магнітному полі індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що після обробки у стаціонарному магнітному полі на тильну поверхню монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача наносять магнітний вініл.

Номер патенту: 94343

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Севастьянов Володимир Валентинович, Крапивко Микола Олександрович, Осауленко Микола Федорович, Богомаз Валерій Ігоревич, Бакай Едуард Аполінарійович, Ракитянський Віктор Сергійович

МПК: H05B 6/00, C30B 13/00, C01B 33/00 ...

Мітки: зонного, монокристалічного, спосіб, кремнію, установка, безтигельного, плавлення, високочистого, методом, здійснення, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого монокристалічного кремнію методом безтигельного зонного плавлення, який відрізняється тим, що технологічний процес рафінування металургійного кремнію здійснюють, використовуючи для цього щонайменше два аналогічних пристрої, при цьому після закінчення підготовки першого пристрою до процесу рафінування та початку технологічного процесу рафінування металургійного кремнію, автоматично включають другий...

Номер патенту: 49798

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Копиловський Максим Андрійович, Косінова Анна Володимирівна, Колибаєва Марія Іванівна, Притула Ігор Михайлович, Гайворонський Володимир Ярославович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G02F 1/35, C30B 7/00

Мітки: матеріал, основі, монокристалічного, нелінійно-оптичний

Формула / Реферат:

Нелінійно-оптичний матеріал на основі монокристалічного KDP, що містить домішку, який відрізняється тим, що як домішки матеріал містить нанокристали ТіO2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм у концентрації 10-4-10-5 мас. %.

Номер патенту: 38483

Опубліковано: 12.01.2009

Автор: Волосянко Валентин Дмитрович

МПК: C03B 29/00, C30B 33/00

Мітки: терморозколювання, розділення, монокристалічного, пластини, методом, бруса, лазерного, спосіб, зливка

Формула / Реферат:

Спосіб розділення бруса монокристалічного зливка на пластини методом лазерного терморозколювання, який відрізняється тим, що включає вирізання з монокристалічного зливка бруса довжиною, кратною товщині пластин, попередньо перед розділенням проведення термічних процесів, нагрівання та швидкого охолодження бруса монокристалічного зливка (режим нагрівання та охолодження підбираються в залежності від матеріалу та розміру бруса), застосування...

Номер патенту: 30404

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Свєчніков Сергій Васильович, Манойлов Едуард Геннадійович, Болгов Сергій Семенович, Бєгун Євгенія Валеріївна, Каганович Елла Борисівна

МПК: H01L 21/02

Мітки: пасивації, поверхні, спосіб, германію, монокристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного германію, що включає вилучення природного оксиду германію з його поверхні та формування пасивуючого шару, який відрізняється тим, що наносять пасивуючий шар у вигляді легованої золотом плівки оксиду германію, що містить напівпровідникові наночастинки германію товщиною 50-500 нм методом імпульсного лазерного осадження із зворотного потоку частинок ерозійного факела шляхом розташування Ge підкладки в...

Номер патенту: 25457

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Манойлов Едуард Геннадійович, Кізяк Ірина Миронівна, Чирчик Сергій Васильович, Коганович Елла Борисівна, Бєгун Євгенія Валеріївна, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: H01L 21/02

Мітки: поверхні, кремнію, пасивації, монокристалічного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного кремнію, що включає вилучення природного оксиду кремнію з його поверхні, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм, який відрізняється тим, що природний оксид кремнію видаляють травленням поверхні кремнію в 25-50 % HF розчині протягом 3-10 хвилин при кімнатній температурі, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм проводять одностадійно...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Коломоєць Сергій Дмитрович, Куликовський Едуард Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шифрук Олександр Сергійович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10

Мітки: спосіб, методом, чохральського, злитка, вирощування, тигля, монокристалічного, підготовки

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Номер патенту: 68069

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович

МПК: G03C 7/04, C30B 33/00, C01F 7/02 ...

Мітки: спосіб, виготовлення, монокристалічного, підкладок, корунду

Формула / Реферат:

The invention relates to a method for collecting and evacuating run-off water from the inner arc of the strand guide (8) of a beam blank casting machine, according to which the cast strand (2) is solidified and the required dissipation of heat is achieved, among other things, by sprayed water, whereby run-off water can also collect on the inner arc of-the strand (2). The run-off water is collected using a suction head (1). The run-off water...

Номер патенту: 39567

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Немчин Олександр Федорович, Мокеєв Юрій Генадійович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/20

Мітки: виготовлення, монокристалічного, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію, що включає розплавлення вихідного матеріалу, обертання розплаву i витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що визначають відстань від початкового рівня розплаву до верхнього краю тигля, процес ведуть із зміною зазначеної відстані при початковій частоті обертання тигля, меншій за таку для кристала, з поступовим збільшенням частоти обертання тигля відносно кристала i відповідною...

Номер патенту: 68069

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович

МПК: G03C 7/04, C01F 7/02, C30B 33/00 ...

Мітки: виготовлення, a-al2o3, підкладок, корунду, монокристалічного, спосіб

Формула / Реферат:

The invention relates to a method for collecting and evacuating run-off water from the inner arc of the strand guide (8) of a beam blank casting machine, according to which the cast strand (2) is solidified and the required dissipation of heat is achieved, among other things, by sprayed water, whereby run-off water can also collect on the inner arc of-the strand (2). The run-off water is collected using a suction head (1). The run-off water...

Номер патенту: 46429

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: C30B 11/08, C30B 11/00

Мітки: основі, оптичний, zn1-xmgxse, розчину, монокристалічного, твердого, матеріал

Формула / Реферат:

Оптичний матеріал на основі монокристалічного твердого розчину Zn1-XMgХSe, який відрізняється тим, що концентрація Mg у кристалі становить 0,10х0,13.

Номер патенту: 44675

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович, Машков Андрій Іванович, Краус Володимир Антонович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C01F 7/00, G03C 7/04

Мітки: підкладок, виготовлення, спосіб, корунда, a-al2o3, монокристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунду (), що включає розкрій монокристалічного злитка, калібрування циліндричної поверхні, підготовки торцевих поверхонь заданої кристалографічної орієнтації, шліфування базового зрізу та розділення злитка, на пластини, який відрізняється тим, що з монокристалічного злитка, вирізають пряму призму, основа якої є площиною...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кремнію, монокристалічного, спосіб, одержання, порушенні, монокристалів, росту

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.