H01L 21/20 — нанесення напівпровідникових матеріалів на підкладку, наприклад епітаксіальне нарощування

Номер патенту: 115873

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Боскін Олег Осипович, Єрохін Сергій Юрійович, Цибуленко Вадим Володимирович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208, H01L 21/20 ...

Мітки: рідинної, спосіб, фазі, змочування, підкладки, епітаксії, очищення, розчину-розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази, що полягає у змочуванні підкладки розчином-розплавом, на який діє сила тяжіння, способом зміщення слайдера касети, який утримує підкладку, між комірками, що заповнені розчинами-розплавами, і очищенні підкладки від розчину-розплаву, який відрізняється тим, що при змочуванні на розчин-розплав додатково діють силою Ампера, яку викликають тим, що по...

Номер патенту: 112999

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Удовицька Руслана Сергіївна, Смірнов Олексій Борисович, Савкіна Рада Костянтинівна, Сизов Федір Федорович

МПК: C23C 14/48, H01L 21/20, B82B 3/00 ...

Мітки: p-cdhgte, наноструктур, гетероепітаксійної, отримання, плівки, спосіб, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями (50 ч 150) кеВ і дозами імплантації (3 ч 7)*1013 см-2 відповідно та відрізня Спосіб отримання наноструктур Ag2O на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком Ag поверхні плівки з енергіями...

Номер патенту: 109647

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Монастирський Любомир Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Оленич Ігор Богданович

МПК: H01L 21/20, H01L 21/04, H01L 31/00 ...

Мітки: основі, фоточутлівих, структур, спосіб, поруватого, отримання, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять монокристалічний кремній у водно-етанольному розчині фтористоводневої кислоти при густині струму 40-180 мА/см2 упродовж 6-10 хвилин і на поверхні утвореного поруватого шару синтезують наноструктури ZnO, який відрізняється тим, що на поруватий кремній електрохімічно осаджують оксид цинку з водного розчину 0,05 М Zn(NO3)2 і 0,1 М NaNO3 при...

Номер патенту: 110188

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Варварук Василь Миколайович, Мельник Любомир Васильович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/20, H01L 29/862

Мітки: часом, переключення, точкових, малим, нвч-діодів, відновлення, спосіб, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування точкових НВЧ-діодів, що полягає у виготовленні кристала, тримачів кристала, контактної пружини і корпусних деталей, який відрізняється тим, що кристал виготовляють за гетероепітаксійною плазмовою технологією формування ізотипних n-n+переходів із германію чи арсеніду галію на монокремнієвих підкладках n+типу, а контактну пружину формують із вольфрамово-молібденового дроту і, після приварювання до нікелевого тримача...

Номер патенту: 95509

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Наталіч Вікторія Вадимівна, Перекрестов В'ячеслав Іванович, Корнющенко Ганна Сергіївна

МПК: H01L 21/20

Мітки: отримання, конденсатів, алюмінію, нанопор, спосіб, анодно-окисленого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання конденсатів всередині нанопор анодно-окисленого алюмінію (Аl2О3) шляхом випаровування речовини у вакуумі з подальшою конденсацією сформованих при цьому парових потоків всередині упорядкованої системи пор Аl2О3, який відрізняється тим, що формування парових потоків здійснюють за допомогою магнетронного розпилення речовини, при цьому утворений паровий потік пропускають через тісно прилягаючі одна до одної трубки, діаметр яких...

Номер патенту: 103530

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Юрчишин Ігор Костянтинович, Чобанюк Володимир Михайлович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Володимирович, Никируй Любомир Іванович

МПК: H01L 21/20, H01L 35/34, C30B 11/02, C30B 11/00 ...

Мітки: отримання, матеріалу, термоелектричного, квантово-розмірного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання квантово-розмірного термоелектричного матеріалу, який полягає у тому, що вихідну речовину випаровують у вакуумі із наперед синтезованої напівпровідникової сполуки при температурі випаровування наважки (ТВ), осадження здійснюють на наперед підготовлені підкладки (наприклад, слюда мусковіт, поліамід, ситал, КСl, BaF2, тощо) при температурі підкладки (ТП) протягом заданого часу експозиції (t), що визначає товщину конденсату,...

Номер патенту: 73012

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Токарєва Ірина Анатоліївна, Ляшок Лариса Василівна, Байрачний Борис Іванович, Сьомкіна Олена Володимирівна

МПК: B82B 3/00, H01L 21/20

Мітки: вольфраму, спосіб, триоксид, алюмінію, плівок, тонких, отримання, наноструктурований, містять, оксиду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок оксиду алюмінію, які містять наноструктурований триоксид вольфраму, що включає одержання поруватих оксидних плівок шляхом двостадійного анодування алюмінію з подальшим заповненням пор матриці, який відрізняється тим, що заповнення пор проводять просоченням у розчині вольфрамату амонію з подальшим сушінням зразків та термічним розкладом солі до триоксиду вольфраму при температурі 450-500 °C протягом 30-40...

Номер патенту: 98314

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Сімпсон Метью А., Танікелла Брахманандам В., Чіннакаруппан Паланіаппан, Ріццуто Роберт А., Ведантхам Рамануджам

МПК: B24B 7/00, B24B 37/005, H01L 21/20, H01L 21/304 ...

Мітки: сапфірні, виготовлення, основі, процесі

Формула / Реферат:

1. Процес створення партії сапфірових підкладок, який включає:шліфування поверхні кожної сапфірової підкладки за допомогою першого фіксованого абразиву таким чином, що перша поверхня має с-площинну орієнтацію, де зазначена партія сапфірових підкладок містить принаймні 20 сапфірових підкладок, ташліфування зазначеної поверхні сапфірової підкладки за допомогою другого фіксованого абразиву, де другий фіксований абразив є більш...

Номер патенту: 68203

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Вівчарук Володимир Михайлович, Кіндрат Тарас Петрович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: арсенід-галієвих, кремнієвих, епітаксійних, спосіб, шарів, монокристалічних, підкладках, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, який полягає в тому, що епітаксійні шари наносять на наперед підготовлених монокремнієвих підкладках, розорієнтованих на кут <4°, який відрізняється тим, що нанесення вихідних епішарів арсеніду галію здійснюється шляхом використання надвисокочастотного збудження плазми з розподіленим електронно-циклотронним резонансом на основі...

Номер патенту: 96837

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Писаревський Володимир Костянтинович, Кавич Володимир Йосипович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: B23K 26/06, C23C 14/24, C23C 16/00 ...

Мітки: спосіб, одержання, шарів, епітаксійних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання епітаксійних шарів, в якому підігрівають підкладку та мішень, випаровують матеріал мішені, транспортують пару та конденсують на підкладку у вакуумній камері, який відрізняється тим, що попередньо підготовлені підкладку та мішень розміщують на відстані 50±5 мм у вакуумній камері з тиском 10-5-10-7 Па, після чого підкладку підігрівають до температури 180-250 °С зовнішнім нагрівачем, а мішень нагрівають імпульсним лазерним...

Номер патенту: 94699

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович, Марончук Ігор Ігорович

МПК: C30B 29/00, H01L 21/20, C30B 19/00 ...

Мітки: масивами, квантових, вирощування, епітаксійних, наногетероструктур, спосіб, точок

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, що включає нагрів до температури  монокристалічної підкладки і насичених розчинів заданого складу, приведення лицевої поверхні підкладки в контакт з розчином для вирощування квантових точок, а тильної поверхні підкладки - в контакт з теплопоглиначем, що має температуру

Номер патенту: 94561

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Сингаївський Олександр Федорович, Осипьонок Микола Михайлович, Пекар Григорій Соломонович

МПК: B41F 15/00, H01L 27/142, H01L 21/20 ...

Мітки: нанесення, суцільних, методом, шарів, спосіб, трафаретного, друку

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення суцільних шарів для створення сонячних елементів на основі напівпровідникових сполук шляхом трафаретного друку з пасти, яка містить напівпровідниковий матеріал та зв'язувальну речовину (біндер), який відрізняється тим, що пасту наносять безпосередньо на поверхню підкладки, трафарет виконують у вигляді односпрямованих дротів або волокнин, або стрічок у кількості не менше двох, які кріплять або притискають до підкладки...

Номер патенту: 39071

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: детекторів, галію, отримання, епітаксійних, структур, фотовольтаїчних, випромінювання, рентгенівського, діапазону, арсеніду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого...

Номер патенту: 85311

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна

МПК: H01L 21/20, H01L 21/40

Мітки: ktaxnb1-xo3, складу, сегнетоелектричних, спосіб, одержання, плівок, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сегнетоелектричних тонких плівок складу KTaxNb1-xO3, що включає одержання плівок при підвищеній температурі у вакуумі, який відрізняється тим, що одержують плівки шляхом послідовного нанесення на підкладку шарів двошарової системи Ta та Nb, у визначеному співвідношенні товщин, із наступним утворенням шару оксиду (TaxNb1-x)2O5, після чого наносять термічним випаровуванням шар їдкого калію та здійснюють відпал при температурі...

Номер патенту: 28402

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: товстих, арсеніду, шарів, галію, гомоепітаксійних, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий...

Номер патенту: 71495

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Журба Олександр Михайлович

МПК: H01L 21/20, H01L 27/18, C30B 19/00 ...

Мітки: надпровідників, рідкофазної, високотемпературних, епітаксії, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для рідкофазної епітаксії високотемпературних надпровідників, що містить вертикальний реактор, розміщений усередині вертикальної резистивної печі, підставку для печі з отвором для термопари і термопару, верхню та нижню горизонтальну підкладки, які розміщені в робочій зоні вертикального реактора з зазором між ними, підставку для нижньої горизонтальної підкладки, який відрізняється тим, що нижня горизонтальна підкладка має паз, верхня...

Номер патенту: 67198

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Золкіна Людмила Вікторівна

МПК: H01L 21/20

Мітки: епітаксією, шарів, вирощування, напівпровідникових, спосіб, рідкофазною

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією, у якому вирощування проводять з розчину, поміщеного в графітовий тигель, на монокристалічну пластину в циліндричній кварцовій ампулі шляхом лінійного охолодження зі швидкістю 0,5 К/хв, який відрізняється тим, що в розчин вводять ультразвукові хвилі з частотою від 0,3 до 5 МГц у напрямку, перпендикулярному поверхні пластини, а процес кристалізації здійснюють зі швидкістю від...

Номер патенту: 35139

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Матюшин Володимир Михайлович, Татаринов В'ячеслав Ігорович

МПК: H01L 21/20

Мітки: тонких, спосіб, одержання, плівок, монокристалевих

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалевих тонких плівок шляхом кристалізації, що відрізняється тим, що полікристалеву тонку плівку напівпровідника піддають обробці в атомарному водні

Номер патенту: 25348

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: одержання, кремнієвих, рідкофазною, епітаксійних, спосіб, епітаксією, арсеніду, основах, шарів, галію

Формула / Реферат:

Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...

Номер патенту: 8064

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Войтович Віктор Євгенович, Нагорний Ростислав Леонтійович, Поліщук Сергій Михайлович

МПК: H01L 21/20

Мітки: структур, фазі, арсенід-галієвих, спосіб, епітаксіальних, вирощування, p-і-n, діодних, рідкої

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания из жидкой фазы арсенид-галлиевых эпитаксиальных диодных P-i-N структур, заключающийся в том, что нагревают раствор-расплав GaAs в кварцевом реакторе и кварцевой кассете в среде водорода, содержащего пары воды, при контроле в процессе нагрева тем­пературы и времени выполнения технологических операций, скорости потока водорода и концентра­ции в нем паров воды, отличающийся тем, что в качестве растворителя для GaAs...