C30B 29/20 — оксиди алюмінію

Номер патенту: 116113

Опубліковано: 12.02.2018

Автори: Димшиц Ольга Сєргєєвна, Жилін Алєксандр Алєксандровіч

МПК: A44C 27/00, C03C 10/12, C30B 29/34, C30B 29/20 ...

Мітки: ювелірний, матеріал, термостійкий, синтетичний

Формула / Реферат:

1. Термостійкий синтетичний ювелірний матеріал, який містить:композиційний нанокристалічний матеріал, що має нанорозмірні оксидні та силікатні кристалічні фази, причому цей композиційний нанокристалічний матеріал містить:щонайменше одну кристалічну фазу, що вибрана з групи, яка складається з: шпінелі, кварцоподібних фаз, сапфірину, енстатиту, петалітоподібної фази, кордієриту, вілеміту, циркону, алюмотитанатів магнію, рутилу,...

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Ніжанковський Сергій Вікторович, Танько Аліна Вікторівна, Баранов В'ячеслав Валерійович, Гринь Леонід Олексійович, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 11/14, C30B 11/02, C30B 29/28, C30B 29/20 ...

Мітки: монокристалів, кристалізації, методом, горизонтально, вирощування, спрямовано, оксидів, тугоплавких, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Танько Аліна Вікторівна, Баранов В'ячеслав Валерійович, Романенко Андрій Олександрович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Гринь Леонід Олексійович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/28, C30B 11/14, C30B 29/20 ...

Мітки: вирощування, спосіб, тугоплавких, кристалізації, спрямовано, горизонтально, оксидів, монокристалів, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...

Номер патенту: 104018

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Бєлєвцев Олександр Рудольфович, Манохін Олексій Георгійович, Ємельянов Ігор Олександрович, Лисенко Олексій Юрійович, Грущинська Олена Володимирівна

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Мітки: сапфірів, синіх, рубінів, високотемпературного, відпалу, комплекс

Формула / Реферат:

1. Комплекс для високотемпературного відпалу рубінів і синіх сапфірів, що включає модуль печі для відпалу, модуль контролю температури і модуль управління газовим режимом, кожний з яких інтегрований з керуючим модулем, та модуль живлення, який відрізняється тим, що додатково містить модуль дефектоскопії, що включає рентгенофлуоресцентний аналізатор, гемологічний мікроскоп та блок бази даних характеристик рубінів і синіх сапфірів,...

Номер патенту: 100811

Опубліковано: 25.01.2013

Автор: Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 15/10, C30B 17/00, C30B 29/20, C30B 31/02 ...

Мітки: розплаву, сапфіру, напрямленою, монокристалів, підставка, тигля, a-al2o3, вертикальною, вирощування, кристалізацією

Формула / Реферат:

Підставка тигля для вирощування монокристалів сапфіру (a-Аl2O3) напрямленою вертикально кристалізацією розплаву, що виконана у вигляді пустотілого циліндра із молібдену або його сплаву, розміщена вертикально в кристалізаційному вузлі, яка відрізняється тим, що в стінках пустотілого циліндра виконані симетрично розташовані вздовж його вертикальної осі щонайменше три глухі отвори з глибиною більше або рівною половині його висоти, порожнини...

Номер патенту: 99995

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович

МПК: C30B 29/20, C30B 15/22

Мітки: зокрема, спосіб, корунду, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, зокрема корунду, що включає плавлення вихідної сировини у тиглі, затравлення, розрощування монокристала і подальше його вирощування в акустичному полі, який відрізняється тим, що в процесі вирощування на дно тигля з розплавом впливають ультразвуковими коливаннями інтенсивністю (0,5-2,0)∙10-2 Вт/см2 і частотою 400-700 кГц.

Номер патенту: 97969

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Ведантхам Рамануджам, Ріццуто Роберт А., Сімпсон Метью А., Танікелла Брахманандам В., Черіан Ісаак К., Чіннакаруппан Паланіаппан

МПК: C30B 29/20

Мітки: основа, варіанти, сапфірна

Формула / Реферат:

1. Сапфірна основа, яка містить в цілому плоску поверхню з кристалографічною орієнтацією, вибраною із групи, що складається із а-площинної, r-площинної, m-площинної і с-площинної орієнтацій, і величиною nTTV не більше, ніж приблизно 0,037 мкм/см2, де nTTV є загальною варіацією товщини, нормованою до площі поверхні зазначеної в цілому плоскої поверхні, де зазначена основа має діаметр не менше, ніж приблизно 9,0 см.2. Сапфірна основа за...

Номер патенту: 96952

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Пранаді Фері, Занелла Стівен А., Лочер Джон В., Татартченко Віталі, Джонс Крістофер Д.

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Мітки: спосіб, сапфіру, монокристал, пластина, монокристалів, пластинка, орієнтований, с-площині, одержання, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів сапфіру, орієнтованих в С-площині, який містить: джерело розплаву,перший нагрівач, сконструйований і розміщений таким чином, щоб нагрівати джерело розплаву,фільєру, суміжну з джерелом розплаву;першу зону, яка забезпечує перший температурний градієнт і яка розміщена суміжно з отвором фільєри, ідругу зону, яка забезпечує другий температурний градієнт і яка розміщена...

Номер патенту: 89491

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Бейтс Херберт Еллсворт, Занелла Стівен Ентоні, Лочер Джон Волтер, Маклін Ральф Лемпсон, мол.

МПК: C30B 29/20, C30B 35/00, C30B 15/34 ...

Мітки: сапфіру, виготовлення, монокристал, спосіб

Формула / Реферат:

1. Монокристал сапфіру, який відрізняється тим, що являє собою монокристалічну пластину в стані після вирощування, довжина, ширина і товщина якої є між собою в такому співвідношенні: довжина > ширини > товщини, причому ширина є не менше, ніж приблизно 25 см, товщина є не менше, ніж 0,5 см, і варіація товщини не перевищує 0,2 см.2. Монокристал за п. 1, який відрізняється тим, що товщина є не менше, ніж приблизно 0,6 см.3....

Номер патенту: 87738

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 17/00, C30B 7/00, C30B 21/00, C30B 29/20 ...

Мітки: сапфіра, розплаву, кристалізацією, вирощування, форми, напрямленою, заданої, a-al2o3, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сапфіра a-Аl2О3 заданої форми, який включає розміщення в порожнині тигля формоутворювача, заповнення порожнини тигля вихідною сировиною, плавлення та напрямлену кристалізацію на відповідно орієнтований затравочний кристал, який відрізняється тим, що формоутворювач розміщують в порожнині тигля, поперечний переріз якого має форму квадрата, таким чином, що відстань між формоутворювачем та стінками тигля по всій...

Номер патенту: 87087

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Коротенко Антоніна Євгенівна, Андрєєв Євген Петрович, Гайдук Андрій Іванович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 33/08, C30B 29/20, C30B 33/00 ...

Мітки: нальоту, видалення, спосіб, кристалів, поверхні, сапфіра, профільованих

Формула / Реферат:

Спосіб видалення нальоту з поверхні профільованих кристалів сапфіра шляхом хімічного травлення, який відрізняється тим, що як травник використовують ортофосфорну кислоту з концентрацією 80-85 %, а травлення ведуть протягом 0,15-0,25 години при температурі 60-80 °С, після чого механічно видаляють наліт в процесі промивання у воді кімнатної температури.

Номер патенту: 86876

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Данько Олександр Якович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Гринь Леонід Олексійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Мірошников Юрій Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/00, C30B 15/00 ...

Мітки: оксиду, монокристалів, алюмінію, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...

Номер патенту: 86317

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 29/20, C30B 15/32

Мітки: затравочного, кріплення, кристала, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для кріплення затравочного кристала в установці для вирощування монокристалів сапфіра -А12О3, що містить затравкотримач, виконаний із тугоплавкого матеріалу, з посадочним місцем для затравочного кристала в його корпусі, патрон для з'єднання затравкотримача з механізмом обертання та переміщення кристала, який відрізняється тим, що корпус затравкотримача в нижній...

Номер патенту: 30049

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 29/20

Мітки: об`ємного, сапфіра, визначення, a-al2o3, монокристала, кристалографічних, площин, спосіб

Номер патенту: 81385

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Кривоносов Євгеній Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Вишневський Сергій Дмитрович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/20

Мітки: лазерних, активних, елементів, сапфіра, активовані, титаном, заготівок, спосіб, монокристалів, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки виробів з монокристалів сапфіра, що активовані титаном, який включає послідовний відпал в насичених парах термічної дисоціації оксиду алюмінію, а потім в атмосфері аргону з вмістом метану у кількості 10 - 30% об. при температурі 1750 – 2030 °С і відновному потенціалі  -100...-170 кДж/моль, який відрізняється тим, що відпал монокристалів в насичених парах...

Номер патенту: 78462

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Качала Володимир Юхимович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Стрілець Геннадій Васильович, Мірошников Юрій Петрович, Данько Олександр Якович, Адонкін Георгій Тимофійович

МПК: C30B 29/20, C01F 7/46, C01F 7/02 ...

Мітки: сировини, одержання, спосіб, лейкосапфіру, глинозему, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сировини з глинозему для вирощування монокристалів лейкосапфіру, який включає сплавку суміші глинозему з 0,4-0,6 мас. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, одержання продукту плавки в гарнісажі і його наступне дроблення, який відрізняється тим, що роздроблений глиноземний матеріал попередньо перед вирощуванням засипають у тигель з встановленою у ньому затравкою, тигель поміщають у камеру печі з графітовою...

Номер патенту: 70250

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Вишневський Сергій Дмитрович, Кривоносов Євгеній Володимирович, Андрєєв Євгеній Петрович

МПК: C30B 35/00, C30B 29/20

Мітки: формоутворювачів, спосіб, очистки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки деталей, який включає електроерозійне формоутворення поверхонь з подальшою абразивною обробкою, який відрізняється тим, що в якості абразивної обробки використовується доведення еластичними полімер-абразивними кругами, що складаються з полімер-абразивних волокон. При цьому зернистість абразивних часток у волокнах обирається у межах 10...40 від середнього арифметичного профілю шорсткості поверхні після електроерозійної...

Номер патенту: 69602

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Кривоносов Євгеній Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Вишневський Сергій Дмитрович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Мітки: вікон, одержання, спосіб, сапфірових

Формула / Реферат:

Спосіб диференційної діагностики доброякісної гіперплазії простати та раку передміхурової залози шляхом дослідження гістологічної структури препарату, який відрізняється тим, що дослідження гістологічної структури препарату проводять за допомогою лазерної поляриметрії.

Номер патенту: 53469

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Буй Алєксандр Алєксандровіч, Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Мітки: тикору, монокристалів, термообробки, титаном, сапфіра, спосіб, виробів

Формула / Реферат:

1. Ступочний млин, що містить у своєму складі ступу, який відрізняється тим, що в якості енергоприводу і товкача використовують дизель-молот.2. Ступочний млин за п. 1, який відрізняється тим, що в якості пального для дизель-молоту використовують природний пальний газ.

Номер патенту: 61230

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 29/20, C30B 28/00

Мітки: сировини, монокристалів, спосіб, лейкосапфіру, a-al2o3, вирощування, підготовки, вихідної

Формула / Реферат:

1. Безалкогольний соковий напій, що містить рідкий соковий компонент, компонент для надання солодкого смаку і підготовлену воду, який відрізняється тим, що як компонент для надання солодкого смаку напій містить цукор і підсолоджувач, а як рідкий соковий компонент-концентрований сік при такому співвідношенні інгредієнтів на 100 дал готового продукту: сокова основа, кг 35,0-45,0 цукор, кг ...

Номер патенту: 69602

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Кривоносов Євгеній Володимирович, Вишневський Сергій Дмитрович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/20

Мітки: сапфірових, спосіб, отримання, вікон

Формула / Реферат:

Спосіб диференційної діагностики доброякісної гіперплазії простати та раку передміхурової залози шляхом дослідження гістологічної структури препарату, який відрізняється тим, що дослідження гістологічної структури препарату проводять за допомогою лазерної поляриметрії.

Номер патенту: 67356

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 29/20, C30B 17/00

Мітки: монокристалів, вузол, форми, вирощування, корунду, a-al2o3, кристалізаційний, заданої

Формула / Реферат:

Кристалізаційний вузол для вирощування монокристалів корунду α - Al2O3 заданої форми, який включає вакуумну камеру, нагрівник, тигель із розташованим в його порожнині формоутворювачем, систему вертикально та горизонтально розташованих екранів, один з яких знаходиться безпосередньо на тиглі, який відрізняється тим, що горизонтальний екран, який знаходиться на тиглі, містить п'ять теплових вікон, при цьому середнє з яких має форму...

Номер патенту: 43952

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Трапезнікова Людмила Віталіївна, Блецкан Дмитро Іванович, Тюпа Олександр Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович

МПК: C01F 7/02, C23C 4/10, C30B 29/20 ...

Мітки: матеріал, тонких, одержання, алюмінію, оксиду, плівок

Формула / Реферат:

Застосування монодисперсного порошку сапфіру α-Al2O3 з розміром частинок 2 – 4 мкм як матеріалу для одержання тонких плівок оксиду алюмінію.

Номер патенту: 34362

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Трапезнікова Людмила Віталієвна, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: A61K 6/06, A61P 1/02, C01F 7/10 ...

Мітки: одержання, інгредієнт, спосіб, матеріалів, стоматологічних

Формула / Реферат:

1. Застосування монодисперсного порошку оксиду алюмінію (монодисперсного сапфіру) з розміром частинок 2-4 мкм, подовженої форми та з вмістом оксиду алюмінію не менше 99,999 мас. % як інгредієнта стоматологічних матеріалів.2. Спосіб одержання монодисперсного порошку оксиду алюмінію, який включає хімічну обробку вихідної сировини, а саме відходів від промислової механічної обробки об'ємних кристалів сапфіру (a-Аl2О3), послідовно...

Номер патенту: 61230

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 29/20, C30B 28/00

Мітки: вирощування, вихідної, монокристалів, сировини, лейкосапфіру(a-al2o3, спосіб, підготовки

Формула / Реферат:

1. Безалкогольний соковий напій, що містить рідкий соковий компонент, компонент для надання солодкого смаку і підготовлену воду, який відрізняється тим, що як компонент для надання солодкого смаку напій містить цукор і підсолоджувач, а як рідкий соковий компонент-концентрований сік при такому співвідношенні інгредієнтів на 100 дал готового продукту: сокова основа, кг 35,0-45,0 цукор, кг ...

Номер патенту: 35341

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Блецкан Олександр Дмитрович, Цифра Василь Іванович, Лук'янчук Олександр Ростиславович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович, Бундаш Йосип Йосипович, Машков Андрій Іванович

МПК: C30B 31/00, C30B 35/00, C30B 29/20 ...

Мітки: вирощування, молібден-вольфрамового, сплаву, тигля, монокристалів, спосіб, a-оксид, алюмінію, відновлення, корунду

Формула / Реферат:

1. Спосіб відновлення тигля із молібден-вольфрамового сплаву для вирощування монокристалів корунду -оксид алюмінію, який включає нагрівання та витримування його у вакуумі при температурі 1400°С, який відрізняється тим, що несуцільності тигля перед вакуумуванням та нагріванням із внутрішньої сторони його стінок заповнюють дрібнодисперсним порошком, хімічний склад якого...

Номер патенту: 33255

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Трапезнікова Людмила Віталієвна, Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович, Тюпа Олександр Іванович

МПК: C01F 7/02, C30B 29/20

Мітки: спосіб, одержання, оксиду, алюмінію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання оксиду алюмінію, що включає хімічну обробку вихідної сировини, який відрізняється тим, що як вихідну сировину використовують відходи від промислової механічної обробки об'ємних кристалів сапфіру (α-Аl2О3), причому процес проводять при нормальних умовах без термічної обробки, спочатку вихідну сировину обробляють концентрованою сірчаною кислотою, потім промивають дистильованою водою до відсутності в промивному розчині...

Номер патенту: 53469

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євген Володимирович, Буй Алєксандр Алєксандровіч

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Мітки: тикора, сапфіра, титаном, виробів, спосіб, термообробки, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Ступочний млин, що містить у своєму складі ступу, який відрізняється тим, що в якості енергоприводу і товкача використовують дизель-молот.2. Ступочний млин за п. 1, який відрізняється тим, що в якості пального для дизель-молоту використовують природний пальний газ.

Номер патенту: 50000

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Каніщев Василь Миколайович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Ніжанковський Сергій Вікторович

МПК: C30B 29/20, C01F 7/02

Мітки: розплаву, корунду, шихти, одержання, монокристалів, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб одержання шихти для вирощування монокристалів корунду із розплаву, який включає завантаження порошку глинозему у камеру печі, його нагрів зверху і плавлення в гарнісажі, роздрібнення продукту плавки, який відрізняється тим, що в порошок глинозему додають 0,4...0,6 ваг. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, порошок глинозему перед сплавленням прожарюють у газовому середовищі на основі монооксиду вуглецю при тиску...

Номер патенту: 35341

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Бундаш Йосип Йосипович, Блецкан Олександр Дмитрович, Цифра Василь Іванович, Пекар Ярослав Михайлович, Машков Андрій Іванович, Блецкан Дмитро Іванович, Лук'янчук Олександр Ростиславович

МПК: C30B 29/20, C30B 31/00, C30B 35/00 ...

Мітки: вирощування, вольфрамового, альфа-оксид, спосіб, тигля, корунду, молібден, відновлення, алюмінію, монокристалів, сплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб відновлення тигля із молібден-вольфрамового сплаву для вирощування монокристалів корунду -оксид алюмінію, який включає нагрівання та витримування його у вакуумі при температурі 1400°С, який відрізняється тим, що несуцільності тигля перед вакуумуванням та нагріванням із внутрішньої сторони його стінок заповнюють дрібнодисперсним порошком, хімічний склад якого...

Номер патенту: 34362

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Трапезнікова Людмила Віталієвна

МПК: A61K 6/06, C01F 7/10, A61P 1/02 ...

Мітки: алюмінію, оксиду, матеріалів, спосіб, якості, інгредієнта, стоматологічних, одержання, порошок, монодисперсний

Формула / Реферат:

1. Застосування монодисперсного порошку оксиду алюмінію (монодисперсного сапфіру) з розміром частинок 2-4 мкм, подовженої форми та з вмістом оксиду алюмінію не менше 99,999 мас. % як інгредієнта стоматологічних матеріалів.2. Спосіб одержання монодисперсного порошку оксиду алюмінію, який включає хімічну обробку вихідної сировини, а саме відходів від промислової механічної обробки об'ємних кристалів сапфіру (a-Аl2О3), послідовно...

Номер патенту: 28139

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Добровинська Олена Рувимівна, Литвинов Леонід Аркадійович, Піщік Валеріан Володимирович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/20

Мітки: виробів, термообробки, спосіб, корунду, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ термообработки изделий из монокристаллов корунда, включающий нагрев изделий в герметической камере в вакууме с последующим охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что изделия нагревают до температуры 1650 - 1700° С со скоростью 1800 - 2000 град/ч, после чего перемешивают их со скоростью 0,5 - 1,0 см/ч через тепловую зону, имеющую градиент снижения температуры 200 - 300 град/см.

Номер патенту: 21982

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Каніщєв Василь Миколайович, Будніков Олександр Тимофійович, Катрич Микола Петрович, Данько Олександр Якович

МПК: C30B 29/20, C30B 11/00

Мітки: варіанти, кристалізацією, направленою, оксидів, пластин, складних, тугоплавких, горизонтальною, вирощування, монокристалічних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ вуращивания монокристаллических пластин сложных тугоплавких оксидов гори-зонтальной направленной кристаллизацией, включающий плавление исходной шихту, затравление й последующее вуращивание прямоугольной части монокристаллической пластину перемещением тигля через градиентное тспловое поле со скоростью 1-2 мм/час, отличающийся тем, что переднюю треугольную часть монокристаллической пластину вуращивают перемещением тигля через...