Адаптація ширини імпульсів словникової шини в запам’ятовуючих системах
Формула / Реферат
1. Пристрій, який містить запам'ятовуючу систему, причому запам'ятовуюча система містить:
запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом словникової шини (WL) з асоційованою шириною імпульсу WL;
модуль вбудованого самотестування (BIST), який взаємодіє із запам'ятовуючим пристроєм, причому BIST-модуль виконаний з можливістю проводити самотестування внутрішньої функціональності запам'ятовуючого пристрою і надавати сигнал, який вказує те, пройшов чи не пройшов запам'ятовуючий пристрій самотестування; і
схему адаптивного керування WL, яка взаємодіє з BIST-модулем і запам'ятовуючим пристроєм, причому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю регулювати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою в межах попередньо встановлених максимального і мінімального дозволених значень ширини імпульсу WL на основі сигналу, наданого за допомогою BIST-модуля.
2. Пристрій за п. 1, в якому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю збільшувати ширину імпульсу WL, якщо сигнал, наданий за допомогою BIST-модуля, вказує, що запам'ятовуючий пристрій не пройшов самотестування, і зменшувати ширину імпульсу WL, якщо сигнал, наданий за допомогою BIST-модуля, вказує, що запам'ятовуючий пристрій пройшов самотестування.
3. Пристрій за п. 2, в якому схема адаптивного керування WL додатково виконана з можливістю інструктувати BIST-модуль на виконання подальших самотестувань внутрішньої функціональності запам'ятовуючого пристрою у міру того, як ширина імпульсу WL збільшується або зменшується доти, поки результат самотестування не змінюється з проходження на непроходження або з непроходження на проходження.
4. Пристрій за п. 3, в якому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю задавати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується безпосередньо перед тим, як самотестування змінене з проходження на непроходження.
5. Пристрій за п. 3, в якому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю задавати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується, коли самотестування змінюється з непроходження на проходження.
6. Пристрій за п. 3, в якому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю збільшувати або зменшувати ширину імпульсу WL від початкового значення способом контуру зворотного зв'язку за допомогою надання нового значення, визначеного на основі сигналу, наданого за допомогою BIST-модуля.
7. Пристрій за п. 6, в якому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю збільшувати або зменшувати ширину імпульсу WL.
8. Пристрій за п. 1, в якому схема адаптивного керування WL містить:
першу схему керування, яка взаємодіє з BIST-модулем, причому перша схема керування виконана з можливістю визначення того, збільшувати або зменшувати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою, на основі сигналу, наданого за допомогою BIST-модуля, і надавати перший керуючий сигнал, який вказує визначені регулювання ширини імпульсу WL; і
другу схему керування, яка взаємодіє з першою схемою керування, причому друга схема керування виконана з можливістю регулювати ширину імпульсу WL на основі першого керуючого сигналу, наданого за допомогою першої схеми керування.
9. Пристрій за п. 8, в якому перша схема керування визначає збільшувати ширину імпульсу WL, якщо сигнал, наданий за допомогою BIST-модуля, вказує, що запам'ятовуючий пристрій не пройшов самотестування, і зменшувати ширину імпульсу WL, якщо сигнал, наданий за допомогою BIST-модуля, вказує, що запам'ятовуючий пристрій пройшов самотестування.
10. Пристрій за п. 8, в якому друга схема керування додатково виконана з можливістю надавати сигнал перевантаження в першу схему керування, який вказує те, що ширина імпульсу WL досягла максимального або мінімального дозволеного значення.
11. Пристрій за п. 10, в якому друга схема керування являє собою лічильник, виконаний з можливістю збільшувати або зменшувати значення ширини імпульсу WL згідно з першим керуючим сигналом, наданим за допомогою першої схеми керування, і виконаний з можливістю надавати відрегульовану ширину імпульсу WL як збільшене/зменшене значення і надавати сигнал перевантаження як біт переповнення операції збільшення/зменшення.
12. Пристрій за п. 8, в якому схема адаптивного керування WL додатково виконана з можливістю перетворювати відрегульовану ширину імпульсу WL в допустимі ширини імпульсів WL запам'ятовуючого пристрою способом монотонного збільшення або зменшення.
13. Пристрій за п. 8, в якому схема адаптивного керування WL додатково містить в собі модуль перепрограмування, який взаємодіє з першою і другою схемами керування, причому друга схема керування виконана з можливістю надавати відрегульоване значення ширини імпульсу WL в модуль перепрограмування, при цьому перша схема керування виконана з можливістю надавати сигнал запису, який інструктує модуль перепрограмування зберігати відрегульоване значення ширини імпульсу WL, надане за допомогою другої схеми керування, і модуль перепрограмування виконаний з можливістю надавати енергонезалежне зберігання відрегульованого значення ширини імпульсу WL.
14. Пристрій за п. 8, який являє собою пристрій бездротового зв'язку, що містить системний контролер.
15. Пристрій за п. 14, в якому системний контролер виконаний з можливістю інструктувати запам'ятовуючу систему регулювати ширину імпульсу WL при двох або більше ввімкненнях живлення пристрою бездротового зв'язку.
16. Пристрій за п. 14, в якому системний контролер виконаний з можливістю інструктувати запам'ятовуючу систему періодично регулювати ширину імпульсу WL згідно з даним інтервалом часу.
17. Спосіб регулювання ширини імпульсу словникової шини (WL) в запам'ятовуючій системі, що містить в собі запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом WL, при цьому спосіб включає етапи, на яких:
виконують самотестування в запам'ятовуючій системі, щоб тестувати внутрішню функціональність запам'ятовуючого пристрою при поточній ширині імпульсу WL; і
регулюють ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою в межах попередньо встановлених максимального і мінімального дозволених значень ширини імпульсу WL на основі результатів самотестування з використанням схем адаптивного керування WL на мікросхемі.
18. Спосіб за п. 17, в якому етап регулювання включає в себе етап, на якому збільшують ширину імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій не проходить самотестування, і зменшують ширину імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій проходить самотестування.
19. Спосіб за п. 18, що включає також етап, на якому повторюють виконання і регулювання доти, поки результат самотестування не змінюється з проходження на непроходження або з непроходження на проходження.
20. Спосіб за п. 19, що включає також етап, на якому перетворюють відрегульовану ширину імпульсу WL в допустимі ширини імпульсів WL запам'ятовуючого пристрою способом монотонного збільшення або зменшення.
21. Спосіб за п. 19, що включає також етап, на якому задають ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується безпосередньо перед тим, як самотестування змінене з проходження на непроходження.
22. Спосіб за п. 19, що включає також етап, на якому задають ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується, коли самотестування змінюється з непроходження на проходження.
23. Спосіб за п. 17, в якому операції виконання і регулювання ініціюються при двох або більше ввімкненнях живлення запам'ятовуючої системи.
24. Спосіб за п. 17, в якому операції виконання і регулювання ініціюються періодично згідно з даним інтервалом часу.
25. Пристрій для регулювання ширини імпульсу словникової шини (WL) в запам'ятовуючій системі, що містить в собі запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом WL, при цьому пристрій містить:
засіб для виконання самотестування в запам'ятовуючій системі, щоб тестувати внутрішню функціональність запам'ятовуючого пристрою при поточній ширині імпульсу WL; і
засіб на мікросхемі для регулювання ширини імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою в межах попередньо встановлених максимального і мінімального дозволених значень ширини імпульсу WL на основі результатів самотестування.
26. Пристрій за п. 25, в якому засіб для регулювання містить в собі засіб для збільшення ширини імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій не проходить самотестування, і засіб для зменшення ширини імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій проходить самотестування.
27. Пристрій за п. 26, що містить також засіб для повторення виконання і регулювання доти, поки результат самотестування не змінюється з проходження на непроходження або з непроходження на проходження.
28. Пристрій за п. 27, що містить також засіб для перетворення відрегульованої ширини імпульсу WL в допустимі ширини імпульсів WL запам'ятовуючого пристрою способом монотонного збільшення або зменшення.
29. Пристрій за п. 27, що містить також засіб для задавання ширини імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується безпосередньо перед тим, як самотестування змінене з проходження на непроходження.
30. Пристрій за п. 27, що містить також засіб для задавання ширини імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується, коли самотестування змінюється з непроходження на проходження.
31. Машиночитаний носій, що містить в собі набори інструкцій, які виконуються за допомогою процесора, щоб регулювати ширину імпульсу словникової шини (WL) в запам'ятовуючій системі, що містить в собі запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом WL, при цьому машиночитаний носій містить:
перший набір інструкцій, щоб виконувати самотестування в запам'ятовуючій системі, щоб тестувати внутрішню функціональність запам'ятовуючого пристрою при поточній ширині імпульсу WL; і
другий набір інструкцій, щоб регулювати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою в межах попередньо встановлених максимального і мінімального дозволених значень ширини імпульсу WL на основі результатів самотестування.
32. Машиночитаний носій за п. 31, в якому другий набір інструкцій містить в собі інструкції, що виконуються за допомогою процесора, щоб збільшувати ширину імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій не проходить самотестування, і зменшувати ширину імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій проходить самотестування.
33. Машиночитаний носій за п. 32, що містить також третій набір інструкцій, щоб повторювати перший і другий набори інструкцій доти, поки результат самотестування не змінюється з проходження на непроходження або з непроходження на проходження.
34. Машиночитаний носій за п. 33, що містить також четвертий набір інструкцій, щоб перетворювати відрегульовану ширину імпульсу WL в допустимі ширини імпульсів WL запам'ятовуючого пристрою способом монотонного збільшення або зменшення.
35. Машиночитаний носій за п. 33, що містить також п'ятий набір інструкцій, щоб задавати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується безпосередньо перед тим, як самотестування змінене з проходження на непроходження.
36. Машиночитаний носій за п. 33, що містить також шостий набір інструкцій, щоб задавати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується, коли самотестування змінюється з непроходження на проходження.
37. Машиночитаний носій за п. 31, що містить також сьомий набір інструкцій, щоб виконувати перший і другий набори інструкцій при двох або більше ввімкненнях живлення запам'ятовуючої системи.
38. Машиночитаний носій за п. 32, що містить також восьмий набір інструкцій, щоб виконувати перший і другий набори інструкцій періодично згідно з даним інтервалом часу.
Текст
Реферат: Розкриті системи, схеми і способи для адаптації ширини імпульсів словникової шини (WL), що використовується в запам'ятовуючих системах. Один варіант здійснення винаходу направлений на пристрій, що містить запам'ятовуючу систему. Запам'ятовуюча система містить: запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом словникової шини (WL) з асоційованою шириною імпульсу WL; модуль вбудованого самотестування (BIST), який взаємодіє із запам'ятовуючим пристроєм, причому BIST-модуль виконаний з можливістю проводити самотестування внутрішньої функціональності запам'ятовуючого пристрою і надавати сигнал, який вказує те, пройшов або не пройшов запам'ятовуючий пристрій самотестування; і схему адаптивного керування WL, яка взаємодіє з BIST-модулем і запам'ятовуючим пристроєм, причому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю регулювати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою на основі сигналу, наданого за допомогою BIST-модуля. UA 98989 C2 (12) UA 98989 C2 UA 98989 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Дана заявка на патент вимагає пріоритет по попередній заявці номер 61/014257, озаглавленої "APPARATUS AND METHOD FOR ADAPTING WORD LINE PULSE WIDTHS IN MEMORY SYSTEMS", поданої 17 грудня 2007 року, правовласником якої є заявник даної заявки і яка включена сюди за допомогою посилання. Варіанти здійснення винаходу пов'язані із запам'ятовуючими системами. Більш конкретно, варіанти здійснення винаходу пов'язані з адаптацією ширини імпульсів словникової шини, що використовується в запам'ятовуючих системах. У міру того як технологія CMOS безперервно масштабується до менших розмірів, зміни параметрів процесу в результаті обмежень керування процесом, а також фундаментальних фізичних меж мають тенденцію збільшуватися. Вбудовані запам'ятовуючі пристрої, такі, як вбудований SRAM, зокрема, схильні до великих змін параметрів процесу внаслідок жорстких проектних норм і їх невеликого розміру в порівнянні з іншою цифровою логікою. Щоб задовольняти такому великому збільшенню змін параметрів процесу, конструктори запам'ятовуючих схем типово використовують понадміру консервативні підходи до проектування, щоб досягати високо параметричного і функціонального виходу придатних виробів. Наприклад, розробник може вибирати оптимальне співвідношення між продуктивністю (наприклад, швидкістю) і/або споживаною потужністю за допомогою конструювання конкретної інтегральної схеми (ІС) так, щоб вона функціонувала в широкому діапазоні змін параметрів процесу, що містять в собі як локальні (в рамках кожної ІС), так і глобальні (між ІС) зміни. Це приводить до більшого проценту робочих ІС з числа виготовлених (тобто збільшеного виходу придатних виробів), але втрати в продуктивності і/або споживаній потужності можуть бути істотними в тих ІС, які не піддаються повному діапазону змін параметрів процесу. Внаслідок статистичного характеру змін параметрів процесу, фактичне число ІС, що піддаються істотному зниженню продуктивності і/або споживаної потужності, може бути достатньо високим. Фіг. 1 є схематичним представленням, що ілюструє традиційну запам'ятовуючу систему 100. Система 100 містить в собі запам'ятовуючий пристрій 110, схему (BIST) 120 вбудованого самотестування і модуль 130 задавання ширини імпульсів. BIST 120 тестує всю або частину внутрішньої функціональності запам'ятовуючого пристрою 110. Модуль 130 задавання ширини імпульсів задає ширину імпульсу WL, яка повинна використовуватися для циклів зчитування/записування в запам'ятовуючому пристрої 110. Модуль 130 задавання ширини імпульсів може приймати зовнішній n-бітовий код від системного контролера і т.п., який вказує необхідну ширину імпульсу WL. Як відомо в даній галузі техніки, ширина імпульсу WL визначає тривалість, яку кожна операція зчитування або записування вимагає для свого виконання, що безпосередньо впливає як на продуктивність, так і на споживану потужність цього запам'ятовуючого пристрою. Загалом, збільшена ширина імпульсу WL забезпечує більш точну операцію зчитування/записування, але працює повільніше і вимагає більшої потужності. Навпаки, зменшена ширина імпульсу WL може бути менш точною, зокрема, в широкому діапазоні змін параметрів процесу, але може працювати швидше і вимагає меншої потужності. Таким чином, задавання необхідної ширини імпульсу WL часто є конструктивним компромісом між продуктивністю запам'ятовуючого пристрою і виходом придатних виробів. Коли серія ІС, що реалізовують запам'ятовуючу систему 100, виготовляється, одна з традиційних технологій після виготовлення, які використовуються для того, щоб оптимізувати продуктивність запам'ятовуючого пристрою і збільшувати вихід придатних виробів, полягає в тому, щоб використовувати цифрову підгонку кремнієвих кристалів на рівні пластини. Як правило, зовнішній цифровий код, що використовується для того, щоб керувати шириною імпульсу WL (кодом ширини імпульсу WL), задається так, щоб досягати цільового виходу придатних виробів для певного запам'ятовуючого пристрою. Вимірювання виконуються для великої вибірки запам'ятовуючих пристроїв, і вихід придатних виробів визначається для різної ширини імпульсів WL. Оптимальна ширина імпульсу WL визначається на основі цільового виходу придатних виробів і встановлюється для всіх запам'ятовуючих пристроїв. Цей підхід має декілька обмежень. Одне обмеження полягає в тому, що ширина імпульсу WL фіксується для всіх ІС на основі критичних змін параметрів процесу. Як пояснено вище, багато які, якщо не більшість ІС, не піддаються такій критичній зміні параметрів процесу. Отже, великі втрати продуктивності і додаткова споживана потужність можуть торкатися великої частини виготовлених ІС. Інше обмеження полягає в тому, що великий час тестування потрібен для того, щоб вимірювати великі розміри вибірок, необхідні, щоб точно визначати значення оптимальної ширини імпульсу WL для даного цільового виходу придатних виробів. 1 UA 98989 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Зразкові варіанти здійснення винаходу направлені на системи, схеми і способи для адаптації ширини імпульсів WL, що використовується в запам'ятовуючих системах. Один варіант здійснення винаходу направлений на пристрій, що містить імпульс словникової шини (WL) з асоційованою шириною імпульсу WL; модуль вбудованого самотестування (BIST), який взаємодіє із запам'ятовуючим пристроєм, причому BIST-модуль виконаний з можливістю проводити самотестування внутрішньої функціональності запам'ятовуючого пристрою і надавати сигнал, який вказує те, пройшов або не пройшов запам'ятовуючий пристрій самотестування; і схему адаптивного керування WL, яка взаємодіє з BIST-модулем і запам'ятовуючим пристроєм, причому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю регулювати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою на основі сигналу, наданого за допомогою BIST-модулю. Інший варіант здійснення винаходу направлений на спосіб регулювання ширини імпульсу словникової шини (WL) в запам'ятовуючій системі, що містить в собі запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом WL. Спосіб містить: виконання самотестування в запам'ятовуючій системі, щоб тестувати внутрішню функціональність запам'ятовуючого пристрою при поточній ширині імпульсу WL; і регулювання ширини імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою на основі результатів самотестування з використанням схем адаптивного керування WL на мікросхемі. Інший варіант здійснення винаходу направлений на пристрій для регулювання ширини імпульсу словникової шини (WL) в запам'ятовуючій системі, що містить в собі запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом WL. Пристрій містить: засіб для виконання самотестування в запам'ятовуючій системі, щоб тестувати внутрішню функціональність запам'ятовуючого пристрою при поточній ширині імпульсу WL; і засіб на мікросхемі для регулювання ширини імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою на основі результатів самотестування. Інший варіант здійснення винаходу направлений на машиночитаний носій, що містить в собі набори інструкцій, які виконуються за допомогою процесора, щоб регулювати ширину імпульсу словникової шини (WL) в запам'ятовуючій системі, що містить в собі запам'ятовуючий пристрій, працюючий згідно з імпульсом WL. Машиночитаний носій містить: перший набір інструкцій, що виконуються за допомогою процесора, щоб виконувати самотестування в запам'ятовуючій системі, щоб тестувати внутрішню функціональність запам'ятовуючого пристрою при поточній ширині імпульсу WL; і другий набір інструкцій, що виконуються за допомогою процесора, щоб регулювати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою на основі результатів самотестування. Прикладені креслення представлені для того, щоб допомогти в описі варіантів здійснення винаходу, і надані виключно для ілюстрації варіантів здійснення, а не їх обмеження. Фіг. 1 є схематичним представленням, що ілюструє традиційну запам'ятовуючу систему, яка зчитує/записує дані відповідно до імпульсу словникової шини (WL). Фіг. 2 зображає зразкову запам'ятовуючу систему згідно з варіантами здійснення даного винаходу. Фіг. 3 є блок-схемою послідовності операцій, що ілюструє операцію контуру адаптивного керування WL. Фіг. 4 ілюструє зразкову реалізацію контролера ширини імпульсів по Фіг. 2 за допомогою nбітового лічильника. Фіг. 5 показує блок-схему компонування пристрою бездротового зв'язку в системі бездротового зв'язку. Аспекти варіантів здійснення розкриті в подальшому описі і на прикладених кресленнях, направлених на конкретні варіанти здійснення винаходу. Альтернативні варіанти здійснення можуть бути розроблені без відступу від сфери застосування винаходу. Додатково, добре відомі елементи винаходу не описуються детально або опускаються з тим, щоб не відволікати від важливих подробиць винаходу. Слово "зразковий" використовується в даному документі для того, щоб означати "служить як приклад, окремий випадок або ілюстрація". Будь-який варіант здійснення, описаний в даному документі як "зразковий", не обов'язково повинен бути витлумачений як переважний або переважний в порівнянні з іншими варіантами здійснення. Аналогічно, термін "варіанти здійснення винаходу" не вимагає того, щоб всі варіанти здійснення винаходу містили в собі описану ознаку, перевагу або режим роботи. Як пояснено в розділі рівня техніки, традиційний підхід до оптимізації ширини імпульсів словникової шини (WL) для запам'ятовуючих систем в даній серії інтегральних схем (ІС) враховує широкий діапазон змін параметрів процесу за допомогою вибору оптимального 2 UA 98989 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 співвідношення між продуктивністю і/або споживаною потужністю в окремих ІС, щоб збільшувати загальний вихід придатних виробів. Проте, цей підхід типово є понадміру консервативним для багатьох, якщо не більшості запам'ятовуючих систем в ІС. Щоб збільшувати продуктивність і зменшувати споживану потужність при одночасному збереженні і можливому збільшенні загального виходу придатних виробів, варіанти здійснення винаходу регулюють ширину імпульсу WL для кожної ІС окремо. Беручи до уваги, що традиційні підходи обмежують ширину імпульсу WL в кожній ІС сталим значенням на основі середніх вимірювань для групи ІС, варіанти здійснення винаходу дають можливість адаптації ширини імпульсу WL до кожної ІС окремо, щоб оптимізувати продуктивність і споживану потужність з урахуванням фактичних змін параметрів процесу, яким піддається ця ІС. Фіг. 2 ілюструє запам'ятовуючу систему 200 згідно з варіантом здійснення винаходу. Запам'ятовуюча система 200 містить в собі запам'ятовуючий пристрій 210, вбудоване самотестування (BIST), описане в розділі рівня техніки. Проте, запам'ятовуюча система 200 додає модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL, контролер 250 ширини імпульсів, декодер 260 і модуль 270 перепрограмування коду, які взаємодіють із заздалегідь існуючою традиційною інфраструктурою запам'ятовуючої системи, що містить в собі запам'ятовуючий пристрій 210, BIST 220 і модуль 230 задавання ширини імпульсів, щоб формувати контур 280 адаптивного керування WL, який окремо керує шириною імпульсу WL для кожного запам'ятовуючого пристрою в одній або більше ІС, як описано нижче детальніше. Модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL взаємодіє безпосередньо з BIST 220, контролером 250 ширини імпульсів і модулем 270 перепрограмування коду за допомогою послідовності керуючих сигналів. Як проілюстровано на Фіг. 2, модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL приймає сигнал load_code, сигнал дозволу і сигнал CLK від системного контролера і т.п. (не показаний). Сигнал load_code вказує, що початковий код ширини імпульсу WL повинен завантажуватися. Сигнал дозволу інструктує модулю 240 адаптивного керування імпульсами WL починати процедуру визначення оптимальної ширини імпульсу WL. Сигнал CLK просто надає в модуль 240 адаптивного керування імпульсу WL системний синхросигнал. Модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL відправляє сигнал en_bist в BIST 220, який інструктує BIST 220 виконувати самотестування в запам'ятовуючому пристрої 210. En_bist може бути реалізований або просто як один біт, де, наприклад, 1 інструктує BIST 220 виконувати самотестування, а 0 інструктує BIST 220 не виконувати самотестування, або за рахунок більш складної схеми. У відповідь, BIST 220 відправляє сигнал проходження і сигнал виконання в модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL. Сигнал проходження вказує, пройшов запам'ятовуючий пристрій 210 самотестування (тобто запам'ятовуючий пристрій 210 є задовільно працюючим) або не пройшов запам'ятовуючий пристрій 210 самотестування (тобто запам'ятовуючий пристрій 210 не є задовільно працюючим). Сигнал проходження може бути реалізований або просто як один біт, де, наприклад, 1 вказує "проходження", а 0 вказує "не проходження", або за допомогою більш складної схеми. Сигнал виконання вказує, що BIST 220 закінчив виконання самотестування в запам'ятовуючому пристрої 210. Сигнал виконання може бути реалізований або просто як один біт, де, наприклад, 1 вказує, що самотестування завершене, а 0 вказує, що самотестування не завершене, або за допомогою більш складної схеми. Модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL обмінюється даними з контролером 250 ширини імпульсів за допомогою відправки сигналу завантаження і сигналу збільшення/зменшення. Сигнал завантаження інструктує контролеру 250 ширини імпульсів завантажувати початковий код ширини імпульсу WL. Початковий код ширини імпульсу WL може надаватися в контролер 250 ширини імпульсів, наприклад, за допомогою системного контролера. Значення початкового коду ширини імпульсу WL може бути визначене на основі того, як початковий код ширини імпульсу WL може вказувати ширину імпульсу WL, яка не може бути спочатку оптимальною (тобто або дуже великий або дуже невеликий), сигнал збільшення/зменшення інструктує контролеру 250 ширини імпульсів збільшувати або зменшувати код ширини імпульсу WL від початкового значення. Сигнал збільшення/зменшення може бути реалізований або просто як один біт, де 1, наприклад, інструктує контролеру 250 ширини імпульсів збільшувати значення коду ширини імпульсу. WL, a 0 інструктує контролеру 250 ширини імпульсів зменшувати значення коду ширини імпульсу WL, або за допомогою більш складної схеми. Крім цього, модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL також надає в контролер 250 ширину імпульсів синхросигнал clk_cout. Сигнал clk_cout може бути перетвореною з пониженням частоти версією сигналу CLK, наприклад, щоб спрощувати 3 UA 98989 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 збільшення або зменшення за допомогою контролера 250 ширини імпульсів коду ширини імпульсу WL. Модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL також приймає сигнал перевантаження від контролера 250 ширини імпульсів, який вказує те, збільшений код ширини імпульсу WL до максимального значення або зменшений до мінімального значення. Сигнал перевантаження може бути реалізований або просто як один біт, де, наприклад, 1 вказує, що максимум або мінімум досягнутий, а 0 вказує, що максимум або мінімум не досягнутий, або за допомогою більш складної схеми, такої, як сигнал в два біти, де 10 вказує, що максимум досягнутий, 01 вказує, що мінімум досягнутий, а 00 вказує, що максимум або мінімум не досягнутий. Коли кінцевий код вибраний, контролер 250 ширини імпульсів виводить цей кінцевий код в модуль 270 перепрограмування коду, і модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL відправляє сигнал write_code в модуль 270 перепрограмування коду, який інструктує модулю 270 перепрограмування коду програмувати оптимізований кінцевий код ширини імпульсу WL в запам'ятовуючому пристрої, що міститься в ньому. Write_code може бути реалізований або просто як один біт, де 1, наприклад, інструктує модулю 270 перепрограмування коду програмувати кінцевий код, а 0 інструктує модулю 270 перепрограмування коду не програмувати кінцевий код, або за допомогою більш складної схеми. Модуль 270 перепрограмування коду надає можливість динамічного перепрограмування в реальному часі запам'ятовуючої системи 100 і постійного зберігання оптимізованого кінцевого коду ширини імпульсу WL. У деяких варіантах застосування, запам'ятовуючий пристрій в модулі 270 перепрограмування коду може бути енергонезалежним запам'ятовуючим пристроєм, що допускає необмежене зберігання оптимізованого кінцевого коду імпульсів WL. Наприклад, модуль 270 перепрограмування, коду може бути реалізований за допомогою запам'ятовуючого пристрою eFUSE або будь-якого іншого відомого енергонезалежного програмованого запам'ятовуючого пристрою. Проте, в інших варіантах застосування, можуть бути варіанти застосування, де енергозалежний запам'ятовуючий пристрій може використовуватися. Декодер 260 приймає код ширини імпульсу WL або від контролера 250 ширини імпульсів під час визначення ширини імпульсу WL, або від модулю 270 перепрограмування коду, коли код ширини імпульсу WL повністю сформований. Оскільки коди ширини імпульсу WL не обов'язково можуть мати монотонну залежність від фактичної ширини імпульсів WL, декодер 260 використовується для того, щоб перетворювати або декодувати кожний код ширини імпульсу WL так, що ширина імпульсу WL, що виводиться, від модулю 230 задавання ширини імпульсів збільшується/зменшується монотонно із попередньо декодованим кодом ширини імпульсу WL. Модуль 230 задавання ширини імпульсів в свою чергу задає ширину імпульсу WL 210, що використовується для зчитування або записування в запам'ятовуючий пристрій. Фахівці, в даній галузі техніки повинні брати до уваги, що декодер 260 дає можливість контуру 280 адаптивного керування WL виконувати пошук в потенційних кодах ширини імпульсу WL на предмет оптимізованого коду без відстеження того, в яких кодах виконаний пошук, за допомогою пошуку в одному напрямі збільшення/зменшення. Проте, використання декодера 260 не має намір обмежувати об'єм різних варіантів здійснення винаходу, яке альтернативно може використовувати запам'ятовуючий пристрій і т.п., щоб відстежувати, які коди тестовані. Фіг. 3 є блок-схемою послідовності операцій, що ілюструє роботу контуру адаптивного керування WL згідно з варіантом здійснення винаходу. Операція оптимізації ширини імпульсу WL запам'ятовуючої системи 200 далі описується нижче з посиланням на Фіг. 2 і 3 і з посиланням на керуючі сигнали, описані вище. Згідно з варіантами здійснення винаходу, кожна ІС незалежно задає власну ширину імпульсу WL. Це може виконуватися, наприклад, при початковому увімкненні живлення або кожний раз, коли необхідно. Наприклад, відомі ефекти погіршення характеристик запам'ятовуючого пристрою з часом, такі як ефекти гарячих носіїв, ефекти нестійкості температури при негативному зміщенні (NBTI) і т. д., можуть зменшувати продуктивність запам'ятовуючого пристрою з часом. Отже, може бути бажаним регулювати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою згідно з варіантами здійснення винаходу не тільки спочатку, але також і з часом оптимізувати роботу запам'ятовуючого пристрою в світлі характеристик ІС, що погіршуються. Коли системний контролер активує контур 280 адаптивного керування WL за допомогою сигналу дозволу, він інструктує модулю 240 адаптивного керування імпульсами WL завантажувати початковий код ширини імпульсу WL з використанням сигналу load_code. Модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL в свою чергу інструктує контролеру 250 ширини імпульсів завантажувати початковий код ширини імпульсу WL з використанням сигналу завантаження. Контролер 250 ширини імпульсів виводить початковий код ширини імпульсу WL 4 UA 98989 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 в декодер 260, який потім задає ширину імпульсу WL такою, що дорівнює початковому значенню. Коли ширина імпульсу WL задана, модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL інструктує BIST 220 виконувати самотестування в запам'ятовуючому пристрої 210 за допомогою сигналу en_bist (етап 310). BIST 220 виконує самотестування і вказує виконання в модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL за допомогою сигналу виконання. BIST 220 також передає результати самотестування в модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL за допомогою сигналу проходження (етап 320). Якщо проходження вказується за допомогою сигналу проходження, ІС, щонайменше, задовольняє мінімальним конструктивним технічним вимогам. Відповідно, модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL повинен намагатися збільшувати продуктивність і зменшувати споживану потужність цієї конкретної ІС. Для цього, модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL переходить в режим оптимізації (група 330 етапів). У цьому режимі модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL інструктує контролеру 250 ширини імпульсів зменшувати код ширини імпульсу WL з використанням сигналу збільшення/зменшення (етап 332). Код зменшення ширини імпульсу WL і, відповідно, ширина імпульсу WL може давати можливість ІС функціонувати із збільшеною продуктивністю і зменшеним споживанням потужності. Поточна ширина імпульсу WL застосовується до запам'ятовуючого пристрою 210 з поточного коду ширини імпульсу WL способом, описаним вище для початкового коду ширини імпульсу WL. Коли ширина імпульсу WL оновлена, модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL інструктує BIST 220 виконувати подальше самотестування в запам'ятовуючому пристрої 210 за допомогою сигналу en_bist, щоб тестувати, працює чи ні запам'ятовуючий пристрій 210 при поточному значенні ширини імпульсу WL (етап 334). Як і вище, BIST 220 виконує самотестування і вказує виконання в модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL за допомогою сигналу виконання. BIST 220 також передає результати самотестування в модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL за допомогою сигналу проходження (етап 336). Якщо запам'ятовуючий пристрій 210 проходить це подальше самотестування, воно є як і раніше працюючим навіть згідно із збільшеними функціональними вимогами, які витікають із зменшеної ширини імпульсу WL. Модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL потім повинен намагатися збільшувати продуктивність і зменшувати споживану потужність додатково за допомогою повторення вищезгаданих операцій (етап 332-336) іраційним способом доти, поки запам'ятовуючий пристрій 210 не працює з перебоями при подальшому самотестуванні. Коли непроходження вказується за допомогою подальшого самотестування, функціональні межі запам'ятовуючого пристрою 210 досягнуті. Відповідно, модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL інструктує модулю 270 перепрограмування коду за допомогою сигналу write_code програмувати останній код ширини імпульсу WL, який привів до проходження самотестування (тобто попередній код ширини імпульсу WL в цьому режимі) (етап 338). Якщо мінімальний код ширини імпульсу WL досягається, видається сигнал перевантаження. Якщо запам'ятовуючий пристрій 210 як і раніше проходить подальше самотестування з мінімальною шириною імпульсу WL, то мінімальний код ширини імпульсу WL повинен програмуватися в модулі 270 перепрограмування коду. Відповідно, за допомогою переходу в режим оптимізації, контур адаптивного керування WL згідно з варіантами здійснення винаходу може потенційно збільшувати продуктивність і зменшувати споживану потужність конкретної ІС. Повертаючись тепер до початкового проходження/непроходження BIST (етап 320), якщо непроходження вказується за допомогою сигналу проходження, ІС не задовольняє мінімальним конструктивним технічним вимогам. У традиційній запам'ятовуючій системі 100, це означає, що дана конкретна ІС є дефектною і повинна відкидатися. Проте, згідно з варіантами здійснення винаходу, ця конкретна ІС все ще може бути відновлена. Наприклад, збій BIST може потенційно меншати за допомогою збільшення допустимого запасу зчитування (тобто збільшення ширини імпульсу WL). Для цього, модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL переходить в режим відновлення (група 340 етапів). У цьому режимі модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL інструктує контролеру 250 ширини імпульсів збільшувати код ширини імпульсу WL з використанням сигналу збільшення/зменшення (етап 341). Збільшення коду ширини імпульсу WL і, відповідно, ширину імпульсу WL може давати можливість ІС стійко функціонувати, хоч при зменшеній продуктивності і з більш високим споживанням потужності. Поточна ширина імпульсу WL застосовується до запам'ятовуючого пристрою 210 з поточного коду ширини імпульсу WL способом, описаним вище для початкового коду ширини імпульсу WL. 5 UA 98989 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Коли ширина імпульсу WL оновлена, модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL інструктує BIST 220 виконувати подальше самотестування в запам'ятовуючому пристрої 210 за допомогою сигналу en_bist, щоб тестувати, працює чи ні запам'ятовуючий пристрій 210 при поточному значенні ширини імпульсу WL (етап 343). Як і вище, BIST 220 виконує самотестування і вказує виконання в модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL зa допомогою сигналу виконання. BIST 220 також передає результати самотестування в модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL за допомогою сигналу проходження (етап 345). Якщо запам'ятовуючий пристрій 210 не проходить це подальше самотестування, воно як і раніше не працює навіть згідно із зниженими функціональними вимогами, які витікають із збільшеної ширини імпульсу WL. Доти, поки максимальна допустима ширина імпульсу WL не досягнута (етап 347), модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL далі повинен намагатися зменшувати функціональні вимоги ще додатково за допомогою повторення вищезгаданих операцій (етап 341-345) ітераційним способом доти, поки запам'ятовуючий пристрій 210 не проходить подальше самотестування. Коли проходження вказується за допомогою подальших самотестувань, функціональні межі інструктують модулю 270 перепрограмування коду за допомогою сигналу write_code програмувати останній код ширини імпульсу WL, який привів до проходження самотестування (тобто поточний код ширини імпульсу WL в цьому режимі) (етап 350). Якщо максимальний код ширини імпульсу WL досягається, і запам'ятовуючий пристрій 210 як і раніше не проходить подальше самотестування, то контролер 250 ширини імпульсів оповіщає модуль 240 адаптивного керування імпульсами WL про це за допомогою сигналу перевантаження (етап 347). У цьому випадку, цей конкретний запам'ятовуючий пристрій не пройшов відновлення і вважається неробочим (етап 349). Відповідно, за допомогою переходу в режим відновлення, запам'ятовуюча система згідно з варіантами здійснення винаходу може потенційно збільшувати вихід придатних виробів за допомогою відновлення 10, які не задовольняють мінімальним початковим конструктивним вимогам, але як і раніше можуть функціонувати згідно із зниженими вимогами, які надають деякий рівень нормальної роботи. Коли кінцевий код ширини імпульсу WL запрограмований, системний сигнал дозволу може бути деактивований, і контур 280 адаптивного керування WL відключений. Тут, оптимізований кінцевий код ширини імпульсу WL зберігається в модулі 270 перепрограмування коду і передається в декодер 260 для використання в запам'ятовуючому пристрої 210. Фахівці в даній галузі техніки повинні брати до уваги, що алгоритм покрокового пошуку, описаний вище, показується як ілюстрація і не має наміру обмежувати діапазон алгоритмів пошуку, які можуть бути реалізовані згідно з різними варіантами здійснення винаходу. Наприклад, алгоритм пошуку по дереву, алгоритм випадкового пошуку або інші алгоритми пошуку, які відомі в даній галузі техніки, також можуть використовуватися згідно з різними варіантами здійснення винаходу. Фіг. 4 ілюструє зразкову реалізацію контролера ширини імпульсів по Фіг. 2 за допомогою nбітового лічильника. Як показано, n-бітовий лічильник 410 приймає сигнал завантаження, сигнал збільшення/зменшення і сигнал clk_cout. Як описано вище з посиланням на Фіг. 2, ці керуючі сигнали можуть бути виведені з модулю 240 адаптивного керування імпульсами WL. N-бітовий лічильник 410 також приймає n-бітовий початковий код ширини імпульсу WL від системного контролера і т.п. N-бітовий лічильник 410 виводить n-бітовий поточний код ширини імпульсу WL і сигнал перевантаження. Як описано вище з посиланням на Фіг. 2, сигнал перевантаження може прийматися за допомогою модулю 240 адаптивного керування імпульсами WL, і n-бітовий поточний код ширини імпульсу WL може прийматися за допомогою декодера 260 і/або модулю 270 перепрограмування коду. N-бітовий лічильник 410 містить в собі схеми для збільшення і зменшення початкового коду ширини імпульсу WL відповідно до операцій, описаних вище з посиланням на значення кодів ширини імпульсу b0-bn, в послідовності пристроїв зберігання бітів (наприклад, тригерів). Коли сигнал збільшення/зменшення приймається, n-бітовий лічильник 410 збільшує або зменшує збережений код ширини імпульсу WL відповідно до сигналу clk_cout з використанням схем лічильника, які відомі в даній галузі техніки і, додатковий опис яких опускається тут. Коли поточний код ширини імпульсу WL оновлений, він виводиться як поточні значення коду ширини імпульсу WL Q0-Qn, які можуть використовуватися для того, щоб регулювати ширину імпульсу WL і т. д. Операція підрахунку також відстежує всі біти переповнення, що формуються з обчислень. Біти переповнення виводяться з використанням сигналу перевантаження, щоб 6 UA 98989 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 вказувати, що максимальне або мінімальне значення досягнуте. Як пояснено вище, це корисне при визначенні того, досягнута чи ні максимальна або мінімальна функціональність. Технології, описані в даному документі, можуть використовуватися для різних електронних пристроїв, таких як пристрої бездротового зв'язку, кишенькові пристрої, ігрові пристрої, обчислювальні пристрої, комп'ютери, портативні комп'ютери, споживчі електронні пристрої і т. д. Зразкове використання технологій для пристрою бездротового зв'язку описується нижче. Фіг. 5 показує блок-схему компонування пристрою 500 бездротового зв'язку в системі бездротового зв'язку. Бездротовий пристрій 500 може бути стільниковим телефоном, терміналом, телефонною трубкою, персональним цифровим пристроєм (PDA) і т. д. Система бездротового зв'язку може бути системою з множинним, доступом з кодовим розділенням каналів (CDMA), глобальною системою мобільного зв'язку (GSM) і т. д. Бездротовий пристрій 500 допускає надання двонаправленого зв'язку через ланцюг прийому і ланцюг передачі. У тракті прийому сигнали, що передаються за допомогою базових станцій (не показані), приймаються за допомогою антени 512 і надаються в приймальний пристрій (RCVR) 514. Приймальний пристрій 514 приводить до необхідних параметрів сигнал, що приймається, і надає аналоговий вхідний сигнал в спеціалізовану інтегральну схему (ASIC) 520. У тракті передачі передавальний пристрій (TMTR) 516 приймає і приводить до необхідних параметрів аналоговий вихідний сигнал від ASIC 520 і формує модульований сигнал, який передається через антену 512 в базові станції. ASIC 520 може містить в собі різні модулі обробки, інтерфейсу і запам'ятовуючі пристрої, такі як, наприклад, ADC прийому (Rx ADC) 522, DAC передачі (Тх DAC) 524, модемний процесор 526, процесор зі скороченим набором команд (RISC) 528, контролер/процесор 530, внутрішній запам'ятовуючий пристрій 532, інтерфейс 534 зовнішньої шини, драйвер введення-виведення (I/O) 536, аудіо-DAC/драйвер 538 і відео-DАС/драйвер 540. Rx ADC 522 оцифровує аналоговий вхідний сигнал від приймального пристрою 514 і надає вибірки в модемний процесор 526 і надає аналоговий вихідний сигнал в передавальний пристрій 516. Модемний процесор 526 виконує обробку для передачі і прийому даних, наприклад, кодування, модуляцію, демодуляцію, декодування і т. д. RISC-процесор 528 може виконувати різні типи обробки для бездротового пристрою 500, наприклад, обробку для відео, графіки, додатків верхнього рівня і т. д. Контролер/процесор 530 може направляти роботу різних модулів обробки і інтерфейсу в рамках ASIC 520. Внутрішній запам'ятовуючий пристрій 532 зберігає дані і/або інструкції для різних модулів в рамках ASIC 520. ЕВІ 534 спрощує передачу даних між ASIC 520 і основним запам'ятовуючим пристроєм 544. Драйвер 536 введення-виведення керує пристроєм 546 введення-виведення через аналоговий або цифровий інтерфейс. Аудіо-DАС/драйвер 538 керує аудіопристроєм 548, яке може бути динаміком, гарнітурою, навушником і т. д. Відео-DАС/драйвер 540 керує дисплеєм 550, який може бути рідкокристалічним дисплеєм (РК-дисплеєм) і т. д. Внутрішній запам'ятовуючий пристрій 532, основний запам'ятовуючий пристрій 544 і/або інші модулі можуть реалізовувати технології, описані в даному документі. Наприклад, будь-який із запам'ятовуючих пристроїв може бути сформований, як показано на Фіг. 2. У зв'язку з вищевикладеним, потрібно брати до уваги, що варіанти здійснення винаходу також можуть містити в собі способи для виконання функцій, послідовності дій і/або алгоритмів, описаних в даному документі. Наприклад, спосіб адаптації ширини імпульсів WL, що використовується в запам'ятовуючих системах, може виконуватися відповідно до блок-схеми послідовності операцій, проілюстрованої на Фіг. 3. Також потрібно брати до уваги, що способи згідно з варіантами здійснення винаходу можуть бути реалізовані в апаратних засобах і/або програмному забезпеченні. Апаратні/програмні реалізації можуть містити в собі комбінацію процесора(ів) і виробу(ів). Наприклад, RISCпроцесор 528 може бути виконаний з можливістю реалізовувати технології для адаптації ширини імпульсів WL, описаної в даному документі, щоб оптимізувати роботу внутрішнього запам'ятовуючого пристрою 532 і/або основного запам'ятовуючого пристрою 544. Виріб(и) додатково може містити в собі носії зберігання даних і виконувану(і) комп'ютерну програму(и), наприклад, комп'ютерний програмний продукт, збережений на машиночитаному носії. Виконувана(і) комп'ютерна(і) програма(и)_ може містить в собі набори інструкцій, щоб виконувати описані операції або функції. Потрібно брати до уваги, що при використанні в даному документі набір інструкцій може містити в собі одну або більше інструкцій. Варіанти здійснення винаходу, описані вище, надають декілька переваг в порівнянні з іншими традиційними технологіями. Наприклад, технології, описані в даному документі, передбачають збільшення загального виходу придатних виробів. Крім того, ІС, які виготовляються, не передбачають зміни параметрів процесу по сценарію найгіршого випадку, 7 UA 98989 C2 5 10 15 20 25 що приводять до зменшення ширини імпульсу WL, що дозволяє поліпшувати характеристики продуктивності і споживаної потужності, а також підвищувати стабільність запам'ятовуючих стільників, наприклад, за допомогою зменшення імовірності зміни стану стільників. Внаслідок більш жорсткого розподілу споживаної потужності по різних, ІС, може здійснюватися краще прогнозування повної потужності ІС. Крім цього, оскільки велика частина виготовлених ІС може мати менше споживання потужності, середнє споживання потужності для всіх виготовлених ІС може зменшуватися. Допустимий запас чутливості також може зменшуватися доти, поки запам'ятовуючий пристрій не працює з перебоями, що приводить до більш швидкого спрацювання по допустимому запасу чутливості. Допустимий запас чутливості також може бути оптимізований для кожного запам'ятовуючого пристрою окремо, як потрібно для коректної роботи запам'ятовуючого пристрою. Вплив на час тестування також є незначним, оскільки технології, описані в даному документі, використовують BIST на мікросхемі для того, щоб адаптувати ширину імпульсу WL, що не вимагає додаткового зовнішнього тестування. Хоч вищенаведений опис показує ілюстративні варіанти здійснення винаходу, потрібно зазначити, що різні зміни і модифікації можуть бути виконані в них без відступу від об'єму винаходу, що задається за допомогою прикладеної формули винаходу. Наприклад, фахівці в даній галузі техніки повинні брати до уваги, що алгоритм покрокового пошуку, описаний вище, є тільки одним з множини алгоритмів пошуку, які можуть бути реалізовані для того, щоб знаходити оптимізований код ширини імпульсу WL. Алгоритм пошуку по дереву, алгоритм випадкового пошуку або інші алгоритми пошуку, які відомі в даній галузі техніки, також можуть використовуватися згідно з різними варіантами здійснення винаходу. Функції, етапи і/або дії в формулі винаходу на спосіб згідно з варіантами здійснення винаходу, описаними в даному документі, не обов'язково повинні виконуватися в якому-небудь конкретному порядку. Більш того, хоч елементи винаходу можуть бути описані або приведені в формулі винаходу в однині, множина мається на увазі, якщо обмеження на однину не вказане в явній формі. ФОРМУЛА ВИНАХОДУ 30 35 40 45 50 55 60 1. Пристрій, який містить запам'ятовуючу систему, причому запам'ятовуюча система містить: запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом словникової шини (WL) з асоційованою шириною імпульсу WL; модуль вбудованого самотестування (BIST), який взаємодіє із запам'ятовуючим пристроєм, причому BIST-модуль виконаний з можливістю проводити самотестування внутрішньої функціональності запам'ятовуючого пристрою і надавати сигнал, який вказує те, пройшов чи не пройшов запам'ятовуючий пристрій самотестування; і схему адаптивного керування WL, яка взаємодіє з BIST-модулем і запам'ятовуючим пристроєм, причому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю регулювати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою в межах попередньо встановлених максимального і мінімального дозволених значень ширини імпульсу WL на основі сигналу, наданого за допомогою BIST-модуля. 2. Пристрій за п. 1, в якому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю збільшувати ширину імпульсу WL, якщо сигнал, наданий за допомогою BIST-модуля, вказує, що запам'ятовуючий пристрій не пройшов самотестування, і зменшувати ширину імпульсу WL, якщо сигнал, наданий за допомогою BIST-модуля, вказує, що запам'ятовуючий пристрій пройшов самотестування. 3. Пристрій за п. 2, в якому схема адаптивного керування WL додатково виконана з можливістю інструктувати BIST-модуль на виконання подальших самотестувань внутрішньої функціональності запам'ятовуючого пристрою у міру того, як ширина імпульсу WL збільшується або зменшується доти, поки результат самотестування не змінюється з проходження на непроходження або з непроходження на проходження. 4. Пристрій за п. 3, в якому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю задавати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується безпосередньо перед тим, як самотестування змінене з проходження на непроходження. 5. Пристрій за п. 3, в якому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю задавати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується, коли самотестування змінюється з непроходження на проходження. 6. Пристрій за п. 3, в якому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю збільшувати або зменшувати ширину імпульсу WL від початкового значення способом контуру 8 UA 98989 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 зворотного зв'язку за допомогою надання нового значення, визначеного на основі сигналу, наданого за допомогою BIST-модуля. 7. Пристрій за п. 6, в якому схема адаптивного керування WL виконана з можливістю збільшувати або зменшувати ширину імпульсу WL. 8. Пристрій за п. 1, в якому схема адаптивного керування WL містить: першу схему керування, яка взаємодіє з BIST-модулем, причому перша схема керування виконана з можливістю визначення того, збільшувати або зменшувати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою, на основі сигналу, наданого за допомогою BIST-модуля, і надавати перший керуючий сигнал, який вказує визначені регулювання ширини імпульсу WL; і другу схему керування, яка взаємодіє з першою схемою керування, причому друга схема керування виконана з можливістю регулювати ширину імпульсу WL на основі першого керуючого сигналу, наданого за допомогою першої схеми керування. 9. Пристрій за п. 8, в якому перша схема керування визначає збільшувати ширину імпульсу WL, якщо сигнал, наданий за допомогою BIST-модуля, вказує, що запам'ятовуючий пристрій не пройшов самотестування, і зменшувати ширину імпульсу WL, якщо сигнал, наданий за допомогою BIST-модуля, вказує, що запам'ятовуючий пристрій пройшов самотестування. 10. Пристрій за п. 8, в якому друга схема керування додатково виконана з можливістю надавати сигнал перевантаження в першу схему керування, який вказує те, що ширина імпульсу WL досягла максимального або мінімального дозволеного значення. 11. Пристрій за п. 10, в якому друга схема керування являє собою лічильник, виконаний з можливістю збільшувати або зменшувати значення ширини імпульсу WL згідно з першим керуючим сигналом, наданим за допомогою першої схеми керування, і виконаний з можливістю надавати відрегульовану ширину імпульсу WL як збільшене/зменшене значення і надавати сигнал перевантаження як біт переповнення операції збільшення/зменшення. 12. Пристрій за п. 8, в якому схема адаптивного керування WL додатково виконана з можливістю перетворювати відрегульовану ширину імпульсу WL в допустимі ширини імпульсів WL запам'ятовуючого пристрою способом монотонного збільшення або зменшення. 13. Пристрій за п. 8, в якому схема адаптивного керування WL додатково містить в собі модуль перепрограмування, який взаємодіє з першою і другою схемами керування, причому друга схема керування виконана з можливістю надавати відрегульоване значення ширини імпульсу WL в модуль перепрограмування, при цьому перша схема керування виконана з можливістю надавати сигнал запису, який інструктує модуль перепрограмування зберігати відрегульоване значення ширини імпульсу WL, надане за допомогою другої схеми керування, і модуль перепрограмування виконаний з можливістю надавати енергонезалежне зберігання відрегульованого значення ширини імпульсу WL. 14. Пристрій за п. 8, який являє собою пристрій бездротового зв'язку, що містить системний контролер. 15. Пристрій за п. 14, в якому системний контролер виконаний з можливістю інструктувати запам'ятовуючу систему регулювати ширину імпульсу WL при двох або більше ввімкненнях живлення пристрою бездротового зв'язку. 16. Пристрій за п. 14, в якому системний контролер виконаний з можливістю інструктувати запам'ятовуючу систему періодично регулювати ширину імпульсу WL згідно з даним інтервалом часу. 17. Спосіб регулювання ширини імпульсу словникової шини (WL) в запам'ятовуючій системі, що містить в собі запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом WL, при цьому спосіб включає етапи, на яких: виконують самотестування в запам'ятовуючій системі, щоб тестувати внутрішню функціональність запам'ятовуючого пристрою при поточній ширині імпульсу WL; і регулюють ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою в межах попередньо встановлених максимального і мінімального дозволених значень ширини імпульсу WL на основі результатів самотестування з використанням схем адаптивного керування WL на мікросхемі. 18. Спосіб за п. 17, в якому етап регулювання включає в себе етап, на якому збільшують ширину імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій не проходить самотестування, і зменшують ширину імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій проходить самотестування. 19. Спосіб за п. 18, що включає також етап, на якому повторюють виконання і регулювання доти, поки результат самотестування не змінюється з проходження на непроходження або з непроходження на проходження. 20. Спосіб за п. 19, що включає також етап, на якому перетворюють відрегульовану ширину імпульсу WL в допустимі ширини імпульсів WL запам'ятовуючого пристрою способом монотонного збільшення або зменшення. 9 UA 98989 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 21. Спосіб за п. 19, що включає також етап, на якому задають ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується безпосередньо перед тим, як самотестування змінене з проходження на непроходження. 22. Спосіб за п. 19, що включає також етап, на якому задають ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується, коли самотестування змінюється з непроходження на проходження. 23. Спосіб за п. 17, в якому операції виконання і регулювання ініціюються при двох або більше ввімкненнях живлення запам'ятовуючої системи. 24. Спосіб за п. 17, в якому операції виконання і регулювання ініціюються періодично згідно з даним інтервалом часу. 25. Пристрій для регулювання ширини імпульсу словникової шини (WL) в запам'ятовуючій системі, що містить в собі запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом WL, при цьому пристрій містить: засіб для виконання самотестування в запам'ятовуючій системі, щоб тестувати внутрішню функціональність запам'ятовуючого пристрою при поточній ширині імпульсу WL; і засіб на мікросхемі для регулювання ширини імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою в межах попередньо встановлених максимального і мінімального дозволених значень ширини імпульсу WL на основі результатів самотестування. 26. Пристрій за п. 25, в якому засіб для регулювання містить в собі засіб для збільшення ширини імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій не проходить самотестування, і засіб для зменшення ширини імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій проходить самотестування. 27. Пристрій за п. 26, що містить також засіб для повторення виконання і регулювання доти, поки результат самотестування не змінюється з проходження на непроходження або з непроходження на проходження. 28. Пристрій за п. 27, що містить також засіб для перетворення відрегульованої ширини імпульсу WL в допустимі ширини імпульсів WL запам'ятовуючого пристрою способом монотонного збільшення або зменшення. 29. Пристрій за п. 27, що містить також засіб для задавання ширини імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується безпосередньо перед тим, як самотестування змінене з проходження на непроходження. 30. Пристрій за п. 27, що містить також засіб для задавання ширини імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується, коли самотестування змінюється з непроходження на проходження. 31. Машиночитаний носій, що містить в собі набори інструкцій, які виконуються за допомогою процесора, щоб регулювати ширину імпульсу словникової шини (WL) в запам'ятовуючій системі, що містить в собі запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом WL, при цьому машиночитаний носій містить: перший набір інструкцій, щоб виконувати самотестування в запам'ятовуючій системі, щоб тестувати внутрішню функціональність запам'ятовуючого пристрою при поточній ширині імпульсу WL; і другий набір інструкцій, щоб регулювати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою в межах попередньо встановлених максимального і мінімального дозволених значень ширини імпульсу WL на основі результатів самотестування. 32. Машиночитаний носій за п. 31, в якому другий набір інструкцій містить в собі інструкції, що виконуються за допомогою процесора, щоб збільшувати ширину імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій не проходить самотестування, і зменшувати ширину імпульсу WL, якщо запам'ятовуючий пристрій проходить самотестування. 33. Машиночитаний носій за п. 32, що містить також третій набір інструкцій, щоб повторювати перший і другий набори інструкцій доти, поки результат самотестування не змінюється з проходження на непроходження або з непроходження на проходження. 34. Машиночитаний носій за п. 33, що містить також четвертий набір інструкцій, щоб перетворювати відрегульовану ширину імпульсу WL в допустимі ширини імпульсів WL запам'ятовуючого пристрою способом монотонного збільшення або зменшення. 35. Машиночитаний носій за п. 33, що містить також п'ятий набір інструкцій, щоб задавати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується безпосередньо перед тим, як самотестування змінене з проходження на непроходження. 10 UA 98989 C2 5 36. Машиночитаний носій за п. 33, що містить також шостий набір інструкцій, щоб задавати ширину імпульсу WL запам'ятовуючого пристрою такою, що дорівнює значенню ширини імпульсу WL, що використовується, коли самотестування змінюється з непроходження на проходження. 37. Машиночитаний носій за п. 31, що містить також сьомий набір інструкцій, щоб виконувати перший і другий набори інструкцій при двох або більше ввімкненнях живлення запам'ятовуючої системи. 38. Машиночитаний носій за п. 32, що містить також восьмий набір інструкцій, щоб виконувати перший і другий набори інструкцій періодично згідно з даним інтервалом часу. 11 UA 98989 C2 12 UA 98989 C2 13 UA 98989 C2 Комп’ютерна верстка М. Ломалова Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 14
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюAdapting word line pulse widths used in memory systems
Автори англійськоюAbu-Rahma, Mohamed, H., Yoon, Sei, Seung
Назва патенту російськоюАдаптация ширины импульсов словарной шины в запоминающих системах
Автори російськоюАбу-Рахма Мохамед Х., Йоон Сей Сеунг
МПК / Мітки
МПК: G11C 29/00
Мітки: запам'ятовуючих, ширини, словникової, системах, шини, адаптація, імпульсів
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/16-98989-adaptaciya-shirini-impulsiv-slovnikovo-shini-v-zapamyatovuyuchikh-sistemakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Адаптація ширини імпульсів словникової шини в запам’ятовуючих системах</a>
Наступний патент: Пристрій для приготування напою із регульованим закривним механізмом
Випадковий патент: Пересувна установка для приймання, охолодження, зберігання і транспортування молока