G11C 29/00 — Контроль правильності роботи запам’ятовуючих пристроїв; випробування запам’ятовуючих пристроїв під час режиму очікування або автономного режиму роботи
Спосіб визначення постійної часу зберігання заряду діелектриком у комірках нанокристалічної енергонезалежної пам’яті зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник
Номер патенту: 108830
Опубліковано: 10.06.2015
Автори: Євтух Валерій Анатолійович, Назаров Олексій Миколайович, Локшин Михайло Маркович, Турчаніков Віктор Іванович, Лисенко Володимир Сергійович
МПК: G11C 29/00
Мітки: структурою, метал-діелектрик-напівпровідник, пам'яті, часу, комірках, постійної, спосіб, зберігання, енергонезалежної, визначення, заряду, нанокристалічної, діелектриком
Формула / Реферат:
Спосіб визначення постійної часу зберігання заряду діелектриком комірок нанокристалічної енергонезалежної пам'яті зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник шляхом спостереження за динамікою стікання накопиченого в діелектрику заряду, який відрізняється тим, що, виконують вимірювання вольт-фарадної характеристики (ВФХ) комірки пам′яті зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник з максимальною амплітудою напруги розгортки сигналу...
Адаптація ширини імпульсів словникової шини в запам’ятовуючих системах
Номер патенту: 98989
Опубліковано: 10.07.2012
Автори: Абу-Рахма Мохамед Х., Йоон Сей Сеунг
МПК: G11C 29/00
Мітки: словникової, адаптація, шини, системах, ширини, імпульсів, запам'ятовуючих
Формула / Реферат:
1. Пристрій, який містить запам'ятовуючу систему, причому запам'ятовуюча система містить:запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом словникової шини (WL) з асоційованою шириною імпульсу WL;модуль вбудованого самотестування (BIST), який взаємодіє із запам'ятовуючим пристроєм, причому BIST-модуль виконаний з можливістю проводити самотестування внутрішньої функціональності запам'ятовуючого пристрою і надавати сигнал,...
Прилад для тестування напівпровідникової пам’яті
Номер патенту: 40675
Опубліковано: 27.04.2009
Автори: Рябцев Володимир Григорович, Андрієнко Володимир Олександрович, Уткіна Тетяна Юріївна
МПК: G11C 29/00
Мітки: тестування, пам'яті, напівпровідникової, прилад
Формула / Реферат:
Прилад для тестування напівпровідникової пам'яті, який містить змінне джерело електроживлення, блок зв'язку з персональним комп'ютером, блок керування та індикації, входи/виходи яких через шину зв'язку з'єднані з першими входами/виходами интерфейсного блока, другі входи/виходи якого з'єднані з входами/виходами генератора тактових імпульсів, а треті входи/виходи інтерфейсного блока з'єднані з входами/виходами формувача синхросигналів, виходи...
Пристрій для визначення характеристик двійкових послідовностей
Номер патенту: 43182
Опубліковано: 16.02.2004
Автори: Доценко Наталія Володимирівна, Кошовий Олег Миколайович, Кошовий Микола Дмитрович, Бестань Сергій Генадійович
МПК: H03K 3/00, G06F 15/00, G06F 11/00, G11C 29/00 ...
Мітки: визначення, двійкових, пристрій, характеристик, послідовностей
Формула / Реферат:
Пристрій для визначення характеристик двійкових послідовностей, який має керуючий вхід, елемент І, перший елемент НІ, тригер, вихід наявності результату, перший двійковий лічильник, першу і другу групи інформаційних входів, схему порівняння, причому керуючий вхід з'єднаний з першим входом елемента І, перша група інформаційних входів з'єднана з першою групою входів схеми порівняння, вихід якої з'єднаний з входом тригера, вихід тригера...
Спосіб контролю мікросхем транзисторно-транзисторної логіки з діодами шотткі
Номер патенту: 3489
Опубліковано: 27.12.1994
Автор: Ботвінік Михайло Овсійович
МПК: G01R 31/26, G11C 29/00
Мітки: логіки, шотткі, транзисторно-транзисторної, мікросхем, контролю, спосіб, діодами
Формула / Реферат:
Способ контроля микросхем транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки, включающий измерение статических параметров и проверку функционирования, отличающийся тем, что контролируют три дополнительных параметра каждого вентиля: максимальный ток нагрузки при открытом состоянии выхода при заданном уровне выходного напряжения, обеспечивающем максимальный ток базы выходного транзистора, ток утечки выхода при максимальном напряжении питания и...