G11C 29/00 — Контроль правильності роботи запам’ятовуючих пристроїв; випробування запам’ятовуючих пристроїв під час режиму очікування або автономного режиму роботи

Спосіб визначення постійної часу зберігання заряду діелектриком у комірках нанокристалічної енергонезалежної пам’яті зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник

Завантаження...

Номер патенту: 108830

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Євтух Валерій Анатолійович, Назаров Олексій Миколайович, Локшин Михайло Маркович, Турчаніков Віктор Іванович, Лисенко Володимир Сергійович

МПК: G11C 29/00

Мітки: структурою, метал-діелектрик-напівпровідник, пам'яті, часу, комірках, постійної, спосіб, зберігання, енергонезалежної, визначення, заряду, нанокристалічної, діелектриком

Формула / Реферат:

Спосіб визначення постійної часу зберігання заряду діелектриком комірок нанокристалічної енергонезалежної пам'яті зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник шляхом спостереження за динамікою стікання накопиченого в діелектрику заряду, який відрізняється тим, що, виконують вимірювання вольт-фарадної характеристики (ВФХ) комірки пам′яті зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник з максимальною амплітудою напруги розгортки сигналу...

Адаптація ширини імпульсів словникової шини в запам’ятовуючих системах

Завантаження...

Номер патенту: 98989

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Абу-Рахма Мохамед Х., Йоон Сей Сеунг

МПК: G11C 29/00

Мітки: словникової, адаптація, шини, системах, ширини, імпульсів, запам'ятовуючих

Формула / Реферат:

1. Пристрій, який містить запам'ятовуючу систему, причому запам'ятовуюча система містить:запам'ятовуючий пристрій, який працює згідно з імпульсом словникової шини (WL) з асоційованою шириною імпульсу WL;модуль вбудованого самотестування (BIST), який взаємодіє із запам'ятовуючим пристроєм, причому BIST-модуль виконаний з можливістю проводити самотестування внутрішньої функціональності запам'ятовуючого пристрою і надавати сигнал,...

Прилад для тестування напівпровідникової пам’яті

Завантаження...

Номер патенту: 40675

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Рябцев Володимир Григорович, Андрієнко Володимир Олександрович, Уткіна Тетяна Юріївна

МПК: G11C 29/00

Мітки: тестування, пам'яті, напівпровідникової, прилад

Формула / Реферат:

Прилад для тестування напівпровідникової пам'яті, який містить змінне джерело електроживлення, блок зв'язку з персональним комп'ютером, блок керування та індикації, входи/виходи яких через шину зв'язку з'єднані з першими входами/виходами интерфейсного блока, другі входи/виходи якого з'єднані з входами/виходами генератора тактових імпульсів, а треті входи/виходи інтерфейсного блока з'єднані з входами/виходами формувача синхросигналів, виходи...

Пристрій для визначення характеристик двійкових послідовностей

Завантаження...

Номер патенту: 43182

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Доценко Наталія Володимирівна, Кошовий Олег Миколайович, Кошовий Микола Дмитрович, Бестань Сергій Генадійович

МПК: H03K 3/00, G06F 15/00, G06F 11/00, G11C 29/00 ...

Мітки: визначення, двійкових, пристрій, характеристик, послідовностей

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення характеристик двійкових послідовностей, який має керуючий вхід, елемент І, перший елемент НІ, тригер, вихід наявності результату, перший двійковий лічильник, першу і другу групи інформаційних входів, схему порівняння, причому керуючий вхід з'єднаний з першим входом елемента І, перша група інформаційних входів з'єднана з першою групою входів схеми порівняння, вихід якої з'єднаний з входом тригера, вихід тригера...

Спосіб контролю мікросхем транзисторно-транзисторної логіки з діодами шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 3489

Опубліковано: 27.12.1994

Автор: Ботвінік Михайло Овсійович

МПК: G01R 31/26, G11C 29/00

Мітки: логіки, шотткі, транзисторно-транзисторної, мікросхем, контролю, спосіб, діодами

Формула / Реферат:

Способ контроля микросхем транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки, включающий измерение статических параметров и проверку функционирования, отличающийся тем, что контролируют три дополнительных параметра каждого вентиля: максимальный ток нагрузки при открытом состоянии выхода при заданном уровне выходного напряжения, обеспечивающем максимальный ток базы выходного транзистора, ток утечки выхода при максимальном напряжении питания и...