Патенти з міткою «діелектричний»

Номер патенту: 117357

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Лошицький Павло Павлович, Шеленгівський Олександр Ігорович, Бабенко Віктор Володимирович, Павлюченко Андрій Валерійович

МПК: G01N 21/00, G01S 13/88

Мітки: герметично, водних, ємності, концентрації, знаходяться, дистанційного, спосіб, вимірювання, закритій, розчинів, діелектричний

Формула / Реферат:

Спосіб дистанційного вимірювання концентрації водних розчинів, що знаходяться в герметично закритій діелектричній ємності, яку підсвічують джерелом шуму, що включає в себе вимірювання інтенсивності рівня радіояскравісних сигналів однієї з поляризацій (вертикальної або горизонтальної) від ємності з рідиною уздовж лінії, паралельної боковій стінці ємності, який відрізняється тим, що джерело підсвічування утворює у горизонтальній площині кут...

Номер патенту: 114422

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Шеленгівський Олександр Ігорович, Бабенко Віктор Володимирович, Лошицький Павло Павлович, Романенко Тарас Володимирович, Павлюченко Андрій Валерійович

МПК: G01N 23/00, G01S 13/56, G01N 23/02 ...

Мітки: міститься, діелектричний, пристрій, закритій, герметично, дистанційного, ємності, рідини, визначення

Формула / Реферат:

Пристрій для дистанційного визначення рідини в герметично закритій діелектричній ємності, який містить канали ближньої пасивної локації, кожен з каналів пристрою складається з приймачів з антенами і джерел шумового випромінювання (підсвічування) і налаштований на прийом і обробку радіояскравісних випромінювань відповідного діапазону частот, який відрізняється тим, що приймачі встановлені на загальній платформі, яка переміщується в трьох...

Номер патенту: 113547

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Суслов Олександр Миколайович, Дурилін Дмитро Олександрович, Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: ніобату-танталату, аргентуму, мікрохвильовий, діелектричний, керамічний, основі, матеріал

Формула / Реферат:

Керамічний мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі твердих розчинів ніобату-танталату аргентуму Ag(Nb1-xTax)O3 (ANT) , що включає Ag2O, Nb2O5 і Та2O5, який відрізняється тим, що для зниження температури спікання і запобігання термічному розкладу ANT, додатково містить 1-1,5 мас. % легкоплавкої домішки борату цинку ZnB2O4 при такому співвідношенні основних...

Номер патенту: 111752

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович, Суслов Олександр Миколайович

МПК: H01B 3/12

Мітки: матеріал, кобальтдефіцитного, діелектричний, кобальт-ніобату, основі, барію, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі кобальтдефіцитного кобальт-ніобату барію Ва(Со1/3-y,Nb1/3)О3-d, де 0,04£у£0,10, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності, а також можливості керування величиною TKe, має місце відхилення від стехіометрії в підґратці кобальту, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 58,1-59,1 СоО ...

Номер патенту: 111751

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Дурилін Дмитро Олександрович, Овчар Олег Вікторович, Суслов Олександр Миколайович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: барію, мікрохвильовий, матеріал, основі, цинк-ніобату, діелектричний, цинкдефіцитного

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі цинкдефіцитного цинк-ніобату-барію Ba(Zn1/3-yNb1/3)O3-d, де 0,005£y£0,025, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці цинку при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 57,1-57,4 ZnO 9,4-9,9 Nb2O5 ...

Номер патенту: 111750

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Суслов Олександр Миколайович, Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович

МПК: H01B 3/12

Мітки: магнійдефіцитного, мікрохвильовий, діелектричний, основі, матеріал, барію, магній-ніобату

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі магнійдефіцитного магній-ніобату барію Ba(Mg1/3-уNb1/3)O3-d, де 0£у£0,05, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці магнію, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 60,0-60,5 MgO 4,5-5,3 Nb2O5 ...

Номер патенту: 112953

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Косс Майкл Дж., Блер Ніколас, Пелланд Майкл Дж.

МПК: H04R 1/02

Мітки: гучномовець, діелектричний, інтерфейс, сенсорний, ємнісний, містить, дерев`яний

Формула / Реферат:

1. Гучномовець (100), який містить:щонайменше один електроакустичний перетворювач (412) для відтворення акустичного звуку;процесор (402), що сполучається зі щонайменше одним електроакустичним перетворювачем (412);дерев'яну зовнішню поверхню (102);друкарську плату (504), що має верхню поверхню, суміжну з нижньою поверхнею дерев'яної зовнішньої поверхні (102) і повернуту до неї; іщонайменше один ємнісний...

Номер патенту: 110716

Опубліковано: 25.10.2016

Автори: Суслов Олександр Миколайович, Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович

МПК: H01B 3/12

Мітки: барійдефіцитного, діелектричний, матеріал, мікрохвильовий, магнійніобату, основі, барію

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного магнійніобату барію Ba1-х(Mg1/3Nb2/3)O3-g, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці барію, де 0,005£х£0,010, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 59,8-56,9 MgO 5,3-5,3 Nb2O5 ...

Номер патенту: 110715

Опубліковано: 25.10.2016

Автори: Овчар Олег Вікторович, Суслов Олександр Миколайович, Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: діелектричний, матеріал, основі, барію, цинкніобату, мікрохвильовий, барійдефіцитного

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного цинкніобату барію Ba1-х(Zn1/3Nb2/3)O3-γ, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці барію, де 0,010≤х≤0,020 при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 56,5-56,8 ZnO 10,1-10,2 Nb2O5 ...

Номер патенту: 90240

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Тартьє Серж, Жорж Жан-Марі, Шоньє Мишель

МПК: H01B 17/42, H01B 17/04

Мітки: елемент, ізолятора, діелектричний, великою, розтягуванні, міцності, межею, високовольтного

Формула / Реферат:

1. Діелектричний елемент (2) для високовольтного ізолятора (1) з дуже великою межею міцності при розтягуванні, такого типу, який включає в себе виготовлене із загартованого скла тіло обертання навколо повздовжньої осі (А), яке включає в себе порожнисту головку (6), продовжену ребристою юбкою (7), який відрізняється тим, що форма його профілю визначає довжину шляху витоку, яка становить від 550 мм до 800 мм при зовнішньому діаметрі (DJ)...

Номер патенту: 86544

Опубліковано: 10.01.2014

Автор: Войцеховський Володимир Васильович

МПК: H01R 13/00

Мітки: діелектричний, пристрій, войцеховського

Формула / Реферат:

1. Пристрій діелектричний, що містить корпус, який відрізняється тим, що як корпус використовують корпус від пластикового шприца (шприців) чи корпус від пластикового шприца (шприців) та інші його складові елементи, усе, переважно, з доповненнями і/чи доробками.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що елементами шприца, переважно, є прозорий корпус, пробка (частина медичного поршня), кембрик (діелектрична трубка), переважно,...

Номер патенту: 74477

Опубліковано: 25.10.2012

Автор: Павленко Ігор Васильович

МПК: G02B 6/44

Мітки: кабель, волоконно-оптичний, діелектричний

Формула / Реферат:

Діелектричний волоконно-оптичний кабель, що складається з оптичного модуля у вигляді полімерної трубки, заповненої гідрофобною речовиною, в якій вільно розташовуються оптичні волокна, силового елемента, ріжучого шнура, зовнішньої полімерної оболонки, який відрізняється тим, що силовий елемент виконаний з діелектричного матеріалу у вигляді стрижня і розташований всередині зовнішньої полімерної оболонки паралельно оптичному модулю.

Номер патенту: 73422

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Сергієнко Павло Юрійович, Працюк Борис Борисович, Савін Костянтин Георгійович, Прокопенко Юрій Васильович

МПК: H01P 7/00

Мітки: резонатор, діелектричний, складений, термостабільний

Формула / Реферат:

Термостабільний складений діелектричний резонатор, що складається з не менш ніж двох елементів, який відрізняється тим, що діелектрична проникність матеріалу ε та лінійні розміри  кожного з елементів підібрані таким чином, щоб виконувалося співвідношення:,n - кількість елементів;...

Номер патенту: 66139

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович, Овчар Олег Вікторович, Ступін Юрій Дмитрович

МПК: H01B 3/12

Мітки: титанатів, композиційний, матеріал, основі, діелектричний, мікрохвильовий, самарію, барію

Формула / Реферат:

Композиційний мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі титанатів самарію та барію, що мітить BaO, Sm2O3 і ТіО2, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності та температурної компенсації діелектричних параметрів містить дві кристалічні фази: Ba6-xSm8+2x/3Ti18O54 та ВаТі4О9, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): BaO 16,5 – 20,3 Sm2O3 37,8 –...

Номер патенту: 78081

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Суворов Данило, Дурилін Дмитро Олександрович, Мацек-Кржманч Мар'єта, Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович, Валант Матьяж

МПК: H01B 3/00, H01B 3/12

Мітки: композиційний, кальцію, надвисокочастотний, основі, діелектричний, титанатів, магнію, матеріал

Формула / Реферат:

Композиційний надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів магнію та кальцію, що включає MgO, CaO і TiO2, який відрізняється тим, що в нього додатково вводять оксид кобальту (СоО) при такому співвідношенні компонентів (мас %): MgO 42,07 – 47,4 TiO2 48,74 – 50,35 СоО 0,85 – 6,8 CaO 1,72 – 3,53....

Номер патенту: 77237

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Антонець Юрій Панасович, Карпушенко Василь Петрович, Золотарьов Володимир Михайлович, Науменко Олексій Антонович, Чувурін Микола Петрович

МПК: H01B 11/00, G02B 6/44

Мітки: діелектричний, армований, кабель, волоконно-оптичний

Формула / Реферат:

Армований діелектричний волоконно-оптичний кабель, який складається з центрального силового елемента, розміщених навколо нього оптичних модулів у вигляді трубок з оптичними волокнами в них, заповнювача між оптичними модулями та зовнішнього покриття, який відрізняється тим, що додатково містить між оптичними модулями та зовнішнім покриттям нанесену повздовжньо з перекриттям та скріплену двома полімерними нитками полімерну плівку, суцільну...

Номер патенту: 76560

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Карпушенко Василь Петрович, Науменко Олексій Антонович, Золотарьов Володимир Михайлович, Антонець Юрій Панасович, Чувурін Микола Петрович

МПК: G02B 6/44

Мітки: волоконно-оптичний, захищений, кабель, діелектричний

Формула / Реферат:

Захищений діелектричний волоконно-оптичний кабель, який складається з центрального силового елемента, розміщених навколо нього оптичних модулів у вигляді трубок з оптичними волокнами в них, заповнювача між оптичними модулями, та зовнішнього покриття, який відрізняється тим, що додатково містить між оптичними модулями та зовнішнім покриттям полімерну плівку, нанесену поздовжньо з перекриттям та скріплену полімерною ниткою, полімерну оболонку,...

Номер патенту: 58007

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович

МПК: H01B 3/12, C04B 35/468

Мітки: надвисокочастотний, титанату, діелектричний, неодиму, матеріал, барію, основі

Формула / Реферат:

Захисне пластикове покриття складається з декількох шарів двоїсто орієнтованого армованого полімерного матеріалу. Армуючий шар являє собою неткану структуру в вигляді неперервних каркасних сіток із волокон кристалічного полімерного матеріалу різних розмірів по довжині та ширині, сумарна площа яких не перевищує 50 % загальної площі шарів. Одна сторона шару з'єднана при його виробництві з іншим шаром полімерного матеріалу по всій площі...

Номер патенту: 2887

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Чувурін Микола Петрович, Карпушенко Василь Петрович, Науменко Олексій Антонович, Золотарьов Володимир Михайлович, Антонець Юрій Панасович

МПК: H01B 11/00, G02B 6/44

Мітки: волоконно-оптичний, кабель, діелектричний, захищений

Формула / Реферат:

Захищений діелектричний волоконно-оптичний кабель, що складається з центрального силового елемента, розміщених навколо нього оптичних модулів у вигляді трубок з оптичними волокнами в них, заповнювача між оптичними модулями та зовнішнього покриття, який відрізняється тим, що додатково містить між оптичними модулями та зовнішнім покриттям нанесену повздовжньо з перекриттям та скріплену полімерною ниткою полімерну плівку, полімерну оболонку,...

Номер патенту: 2884

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Науменко Олексій Антонович, Карпушенко Василь Петрович, Чувурін Микола Петрович, Антонець Юрій Панасович, Золотарьов Володимир Михайлович

МПК: G02B 6/44

Мітки: армований, волоконно-оптичний, кабель, діелектричний

Формула / Реферат:

Армований діелектричний волоконно-оптичний кабель, який складається з центрального силового елемента, розміщених навколо нього оптичних модулів у вигляді трубок з оптичними волокнами в них, заповнювача між оптичними модулями та зовнішнього покриття, який відрізняється тим, що додатково містить між оптичними модулями та зовнішнім покриттям нанесену повздовжньо з перекриттям та скріплену двома полімерними нитками полімерну плівку, накладену...

Номер патенту: 40933

Опубліковано: 15.12.2003

Автор: Почерняєв Віталій Миколайович

МПК: H01P 1/20

Мітки: фільтр, діелектричний, смуговий

Формула / Реферат:

1. Діелектричний смуговий фільтр, який містить металізовану з одного боку діеле­ктричну основу, на другому боці якої розміщені щонайменше по одній смужковій вхідній та вихідній лінії передачі, система діелектричних резонаторів біжучої хвилі, яка складається з двох груп резонаторів у вигляді щонайменше одного резонатора в кожній групі, настроєних на частоту, що визначає основну частоту смуги пропускання фільтра, при цьому струмонесучі...

Номер патенту: 58009

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: основі, титанату, надвисокочастотний, самарію, діелектричний, барію, матеріал

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію, що включає ВаО, Sm2O3 і ТiO2, який відрізняється тим, що для зменшення діелектричних втрат і покращення термостабільності діелектричної проникності за рахунок впливу на характер розподілу іонів складної катіонної підгратки титанату барію самарію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-уCaу)6-xSm8+2x/3Ti18O54, при 0

Номер патенту: 58005

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: барію, надвисокочастотний, матеріал, основі, діелектричний, титанатів, неодиму, самарію

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів барію неодиму, що включає ВаСО3, Nd2О3 і ТіО3, який відрізняється тим, що з метою підвищення температурної стабільності електрофізичних властивостей та зниження діелектричних втрат за рахунок часткового заміщення іонів барію іонами свинцю та кальцію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-y-zPbyCaz)6-x(NdtSm1-t)8+2x/3Ti18O54, при 0 £ х £ 1,5; 0,1 £...

Номер патенту: 54167

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович, Міщук Дмитро Олегович, Цикалов Віктор Григорович

МПК: H01P 7/10

Мітки: надвисокочастотний, оксиду, діелектричний, матеріал, лантану, основі

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діелектричний матеріал, на основі оксиду лантану, який відрізняється тим, що містить додатково карбонат натрію і оксид ніобію, що приводить до збільшення в 6-8 раз величини діелектричної проникності і взятих в співвідношенні компонентів (мас.%): Lа2О3 3,5-14,6 Na2CO3 14,2-25,0 Nb2О5 71,2-71,4.

Номер патенту: 54166

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Міщук Дмитро Олегович, Овчар Олег Вікторович, Цикалов Віктор Григорович

МПК: H01P 7/10

Мітки: оксиду, діелектричний, надвисокочастотний, основі, неодиму, матеріал

Формула / Реферат:

Огорожа для вентиля балона зі стиснутим газом, що складається з корпуса, у вигляді порожнього металевого циліндра з отвором для аварійного стравлювання, яка відрізняється тим, що має відкритий зверху корпус.

Номер патенту: 46186

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Бондаренко Іван Кирилович, Агафонцева Ольга Івановна, Саламатін Віктор Васильович, Плоткін Олександр Давидович, Буря Олександр Гнатович

МПК: H01P 5/08

Мітки: металевого, діелектричний, прямокутного, перехід, хвилеводу

Формула / Реферат:

Перехід з прямокутного металевого хвилеводу на діелектричний, який складається з відрізку прямокутного металевого хвилеводу, діелектричного хвилеводу з скосом, який відрізняється тим, що у ділянці скосу діелектричного хвилеводу металевий хвилевід має звуження уздовж широкої стінки.

Номер патенту: 27904

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Александрук Валерій Євгенович, Бих Анатолій Іванович, Федотов Дмитро Олексійович

МПК: H05K 3/10

Мітки: діелектричний, спосіб, металевого, малюнка, підкладці, виготовлення

Текст:

...провідність електропровідних доріжок та забезпечується надійна ІЗОЛЯЦІЯ між ними Таким чином є можливість виключити ймовірність електричного пробою між електропровідними доріжками, що, в свою чергу, CM о о CM 27904 покращує характеристики виробів електронної техніки. Крім цього розчини для хімічного осадження металів, найчастіше, є розчинами одноразової дії. Це знижує коефіцієнт використання дорогих хімікатів при зростанні кількості...

Номер патенту: 22416

Опубліковано: 03.03.1998

Автори: Александрук Валерій Євгенович, Бих Анатолій Іванович

МПК: H05K 3/10

Мітки: металевого, виготовлення, діелектричний, основі, малюнка, спосіб

Формула / Реферат:

Способ изготовления металлического рисунка на диэлектрической подложке, включающий нанесение на поверхность подложки слоя оксида цинка, его термообработку, обработку в растворе соли благородного металла и химическое осаждение меди в соответствии с рисунком схемы, отличающийся тем, что рисунок схемы формируют на стадии нанесения слоя оксида цинка.

Номер патенту: 14553

Опубліковано: 20.01.1997

Автор: Александрук Валерій Євгенович

МПК: C03C 17/34

Мітки: спосіб, мідного, підшарок, діелектричний, покриття, нанесення

Формула / Реферат:

Способ нанесения медного покрытия на диэ­лектрическую подложку, включающий активирование подложки и меднение, отличающийся тем, что вначале технологического процесса на подлож­ку наносят слой оксида цинка толщиной 0,6-0,8 мкм, а активирование проводят в 0,002-0,08 вес. % растворе хлористого палладия.