Патенти з міткою «підкладці»

Спосіб одержання вуглецевих нанотрубок на титановій підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 115944

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Свавільний Микола Євгенович, Хомінич Анастасія Іванівна, Школа Андрій Антонович, Панарін Валентин Евгенович

МПК: B82B 3/00, C01B 32/158, C23C 14/24 ...

Мітки: нанотрубок, підкладці, вуглецевих, спосіб, одержання, титановій

Формула / Реферат:

Спосіб одержання вуглецевих нанотрубок на титановій підкладці, який включає розміщення підкладки у вакуумній камері синтезу, відкачування вакуумної камери синтезу, напускання водню у вакуумну камеру синтезу, нанесення на підкладку нанорозмірної каталітичної плівки заліза, відпалювання підкладки при температурі 650-700 °С, напускання в вакуумну камеру синтезу вуглецевмісного газу, синтез вуглецевих нанотрубок, який відрізняється тим, що...

Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 109648

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: C23C 14/50, H01L 21/00, C23C 14/54 ...

Мітки: спосіб, кремнієвий, отримання, контактів, підкладці

Формула / Реферат:

Спосіб отримання контактів на кремнієвій підкладці, за яким на кремнієву підкладку напилюють у вакуумі спочатку алюмінієву плівку, а через 5-10 хвилин - шар міді товщиною 500-3000 Å, після чого формують контактний майданчик, до якого термокомпресійно приварюють один кінець золотого мікродроту, який відрізняється тим, що попередньо фіксують другий кінець золотого мікродроту, а місце приварювання покривають епоксидною смолою.

Спосіб одержання мішені плазмовим напиленням, мішень і спосіб одержання шару з металу на підкладці шляхом розпилення мішені

Завантаження...

Номер патенту: 106984

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Білльєре Домінік

МПК: B05B 7/22, C23C 14/18, C22C 27/00 ...

Мітки: розпилення, шару, напиленням, плазмовим, одержання, шляхом, мішені, металу, підкладці, спосіб, мішень

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання мішені плазмовим напиленням за допомогою плазмового пальника, причому вказана мішень містить щонайменше одну сполуку, вибрану з тугоплавких металів, резистивних оксидів, летких оксидів, який відрізняється тим, що за допомогою плазмового напилення напилюють на щонайменше одну частину поверхні мішені щонайменше одну фракцію вказаної сполуки у вигляді порошкової композиції вказаної сполуки, у контрольованій атмосфері, і тим,...

Пряме і селективне отримання етилацетату з оцтової кислоти з застосуванням біметалічного каталізатора на підкладці (варіанти)

Завантаження...

Номер патенту: 101204

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Репман Дебора Р., Зінк Джеймс Х., Джонстон Віктор Дж., Чапман Жозефіна Т., Чен Лайюань, ван дер Ваал Ян Корнеліс, Кімміч Барбара Ф., Зузаніук Віргіні

МПК: C07C 69/14, C07C 67/00, C07C 29/136 ...

Мітки: оцтової, підкладці, отримання, біметалічного, каталізатора, пряме, кислоти, застосуванням, селективне, етилацетату, варіанти

Формула / Реферат:

1. Процес селективного і прямого одержання етилацетату з оцтової кислоти, який включає: контактування потоку сировини, що містить оцтову кислоту і водень, в паровій фазі при температурі в межах від 200 °C до 300 °C з каталізатором гідрогенізації, який містить платину або паладій та мідь або кобальт на підкладці каталізатора, де масове відношення Pt або Pd до Co або Сu знаходиться в межах від 0,1 до 1.2. Процес за п. 1, де...

Пристрій для прокатки порошкових матеріалів на металевій підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 76207

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Грибков Едуард Петрович, Данилюк Вікторія Олександрівна, Сатонін Олександр Володимирович

МПК: B22F 3/18

Мітки: металевій, пристрій, прокатки, підкладці, порошкових, матеріалів

Формула / Реферат:

Пристрій для прокатки порошкових матеріалів на металевій підкладці, що містить робочу кліть з двома горизонтальними робочими валками та дозатор з відсікачем, відстань від якого до металевої підкладки визначає товщину насипного шару, який відрізняється тим, що дозатор з відсікачем встановлені на відстані від площини осі обертання робочих валків, яка дорівнює їх периметру, а відсікач дозатора зв'язаний з зовнішніми поверхнями робочих валків у...

Процес одержання каталізатора на основі кобальту на підкладці для синтезу фішера-тропша

Завантаження...

Номер патенту: 98643

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Саіб Абдул Мутхаліб, Візажі Якобус Лукас, Ботха Ян Маттеус, ван де Лоосдрехт Ян, Датт Майкл Стівен, Бохмер Алта, Коортзен Йоханнес Герхардус

МПК: B01J 23/75, C07C 1/04, B01J 37/18 ...

Мітки: синтезу, каталізатора, процес, фішера-тропша, основі, одержання, підкладці, кобальту

Формула / Реферат:

1. Процес одержання каталізатора на основі кобальту на підкладці для синтезу Фішера-Тропша, який включаєна першому етапі активації - обробку попередника каталізатора на основі кобальту на дрібнодисперсній підкладці, яка імпрегнована кобальтом, і каталізатор містить оксид кобальту, газом-відновником, що містить водень, чи газом, що містить азот, при першій швидкості нагрівання HR1, доки попередник не досягне температури Т1, де 80...

Процес одержання каталізатора на основі кобальта на підкладці для синтезу фішера-тропша

Завантаження...

Номер патенту: 98330

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Коортзен Йоханнес Герхардус, Візажі Якобус Лукас, Саіб Абдул Мутхаліб, Датт Майкл Стівен, Бохмер Алта, Ботха Ян Маттеус, ван де Лоосдрехт Ян

МПК: B01J 23/75, C10G 2/00, B01J 37/18 ...

Мітки: одержання, підкладці, основі, фішера-тропша, процес, синтезу, каталізатора, кобальта

Формула / Реферат:

1. Процес одержання каталізатора на основі кобальту на підкладці для синтезу Фішера-Тропша, який включаєна першому етапі активації - обробку попередника каталізатора на основі кобальту на дрібнодисперсній підкладці, яка імпрегнована кобальтом і каталізатор містить оксид кобальту, газом-відновником, що містить водень, чи газом, що містить азот, при першій швидкості нагрівання HR1, доки попередник не досягне температури Т1, де 80...

Мембрана з присосами, сформованими з еластичного термопластичного матеріалу на гідрофільній та/або проникній підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 95683

Опубліковано: 25.08.2011

Автор: Сенсіні Андреа

МПК: A43B 17/00, A43B 7/00, B29D 35/00 ...

Мітки: гідрофільний, матеріалу, еластичного, присосами, термопластичного, проникний, мембрана, сформованими, підкладці

Формула / Реферат:

1. Мембрана з присосами, що має встановлюватися як допоміжний елемент у передній частині або покривати всю поверхню ложа стопи взуттєвих підошов для забезпечення ефективної вентиляції та водонепроникності для ніг, а також поліпшеного комфорту при ходьбі, яка відрізняється тим, що має підкладку, виготовлену з гідрофільного матеріалу або іншого проникного та водоізоляційного матеріалу, безпосередньо на якій сформований ряд присосів, що мають...

Спосіб отримання плівки inn на підкладці з поруватого шару inp

Завантаження...

Номер патенту: 54800

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Коноваленко Анатолій Анатольович, Балан Олександр Сергійович, Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Вітальович

МПК: H01L 21/00

Мітки: підкладці, поруватого, отримання, спосіб, шару, плівки

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівки InN на підкладці з поруватого шару InP, що здійснюють методом радикало-променевої епітаксії, який відрізняється тим, що плівку InN отримують методом радикало-променевої епітаксії у потоці чистого аміаку при температурі 300-400 °С протягом 1,5 години на підкладках поруватого фосфіду індію, отриманого електрохімічним травленням.

Композиція для теплоізоляційного шару, спосіб її приготування та спосіб утворення теплоізоляційного шару на підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 84038

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Уочтел Пітер, Берчілл Г. Стюарт, Джр.

МПК: B32B 3/26, C08J 9/00, B32B 9/04 ...

Мітки: композиція, шару, спосіб, теплоізоляційного, приготування, підкладці, утворення

Формула / Реферат:

1. Отверджувана покривна композиція для утворення теплоізоляційного шару, причому вказана композиція містить:(a) частинки матеріалу з високим ступенем пористості, одержаногошляхом висушування вологого золь-гелю, при цьому частинки мають пористість щонайменше 80 %, а розмір частинок знаходиться в межах від 5 мкм до 4,0 мм; і(b) плівкоутворювальну полімерну систему, яка містить плівкоутворювальний полімер, причому частинки (а)...

Спосіб одержання каталізаторів на підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 82110

Опубліковано: 11.03.2008

Автори: Шеффель Клаус, Брекенбері Девід М., Уоллер Девід, Перес-Рамірес Хав'єр, Ейгарден Арне Халльвард

МПК: B01J 37/02, B01J 37/00, B01J 35/00 ...

Мітки: каталізаторів, спосіб, одержання, підкладці

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пористих матеріалів на підкладці для каталітичних застосувань, в якому один або більше розчинних попередників активної фази додають до суспензії, яка складається з нерозчинної фази підкладки у воді або органічному розчиннику, суспензію подрібнюють до розміру частинок фази підкладки менше 50 мкм, додають добавки до подрібнення або після подрібнення, які сприяють обробці, додають пороутворювальну речовину і суспензію...

Пристрій для прокатки порошкових матеріалів на металевій підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 28797

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Шевченко Владислав Володимирович, Кулік Олександр Миколайович, Грибков Едуард Петрович, Лазарчук Ігор Олегович

МПК: B22F 3/18

Мітки: матеріалів, металевій, порошкових, підкладці, пристрій, прокатки

Формула / Реферат:

Пристрій для прокатки порошкових матеріалів на металевій підкладці, що містить плиту з пазом глибиною, рівною товщині підкладки, та еластичні елементи, що закріплені на плиті по бокових зовнішніх кромках паза, який відрізняється тим, що на передній і задній частинах плити на опорах встановлені ролики, між якими натягнута нескінченна металева стрічка, яка розміщується в пазу плити, виконаному в її нижній частині, на вихідній частині кліті...

Спосіб одержання вуглевмісного матеріалу електронно-променевим випаровуванням вуглецю у вакуумі з наступною конденсацією на підкладці та установка для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 81169

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Мовчан Борис Олексійович, Курапов Юрій Анатолійович, Яковчук Костянтин Ювеналійович

МПК: C23C 14/24, C23C 14/06, C01B 31/02 ...

Мітки: матеріалу, підкладці, спосіб, електронно-променевим, наступною, вуглевмісного, установка, вуглецю, вакуумі, випаровуванням, здійснення, конденсацією, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання вуглевмісного матеріалу електронно-променевим випаровуванням вуглецю у вакуумі з наступною конденсацією на підкладці, який включає розміщення у вакуумній камері графіту або графіту разом з щонайменше одним додатковим компонентом, розміщення на витратній поверхні графіту наважки щонайменше одного перехідного металу VI - VIII груп Періодичної системи, електронно-променеве нагрівання і плавлення вказаної наважки, нагрівання і...

Спосіб формування покриття з оксидів металів на електропровідній підкладці, активований катод, одержаний цим способом, та його застосування для електролізу водних розчинів хлоридів лужних металів

Завантаження...

Номер патенту: 80610

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Дюбеф Жерар, Жубер Філіпп, Андолфатто Франсуаз

МПК: C25B 11/00, C23C 18/00

Мітки: формування, розчинів, катод, електролізу, металів, оксидів, хлоридів, покриття, спосіб, цим, електропровідний, способом, підкладці, одержаний, водних, активованій, лужних, застосування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування на електропровідній підкладці покриття з оксидів металів, принаймні один з яких є дорогоцінним металом VIII групи Періодичної системи елементів, який включає нанесення на електропровідну підкладку розчину принаймні однієї металоорганічної речовини з наступною термообробкою цієї речовини в оксид металу, який відрізняється тим, що використовують підкладку із заліза або сталі, на яку наносять безводний розчин ацетилкетонату...

Спосіб отримання плівки кубічного gan на підкладці з поруватого шару gaas

Завантаження...

Номер патенту: 21939

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: підкладці, отримання, кубічного, поруватого, спосіб, шару, плівки

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки кубічного GaN на підкладці з поруватого шару GaAs, що включає обробку монокристала GaAs шляхом електролітичного травлення та нарощування плівки GaN епітаксією, який відрізняється тим, що епітаксію здійснюють радикало-променевим методом у два етапи: перший - при температурі 720-820 К у потоці атомарного азоту, другий - при температурі 930-950 К та вакуумі 10-6 мм.рт.ст.2. Спосіб за п. 1, який...

Спосіб отримання полікристалічних шарів аiii вv на неорієнтуючій аморфній підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 19573

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Баганов Євген Олександрович, Саріков Андрій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович, Чернов Андрій Юрійович

МПК: H01C 17/00

Мітки: шарів, аiii, аморфний, спосіб, неорієнтуючій, отримання, підкладці, полікристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких полікристалічних шарів сполук АIII BV на неорієнтуючій аморфній підкладці, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III і V групи, нагрівання структури у градієнті температури до температури розплавлення розчину-розплаву, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що застосовується аморфна підкладка з...

Спосіб виготовлення плівок халькогенідів металів, наприклад сульфіду цинку на підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 16124

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Чебаненко Анатолій Павлович, Чемересюк Георгій Гаврилович, Турецький Олександр Євстафійович

МПК: H01L 21/205, C01G 9/00, C01G 11/00 ...

Мітки: халькогенідів, підкладці, наприклад, спосіб, металів, плівок, сульфіду, цинку, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення плівок халькогенідів металів, наприклад сульфіду цинку на підкладці, який полягає в тому, що всередині проточного реактора розміщують на вході кювету з хелатною металоорганічною сполукою, а на виході - підкладку, потім пропускають через проточний реактор газ-носій, після чого нагрівають кювету до температури випаровування хелатної металоорганічної сполуки, а її пари за допомогою газу-носія транспортують до підкладки,...

Пристрій для прокатки порошкових матеріалів на металевій підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 10150

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Грибков Олексій Петрович, Грибков Едуард Петрович, Кулік Олександр Миколайович

МПК: B22F 3/00

Мітки: пристрій, порошкових, матеріалів, прокатки, підкладці, металевій

Формула / Реферат:

Пристрій для прокатки порошкових матеріалів на металевій підкладці, який містить плиту з пазом глибиною, рівною товщині підкладки, та еластичні елементи, що закріплені на плиті по бокових зовнішніх кромках паза, який відрізняється тим, що в пазу задньої частини плити закріплені опори з антифрикційного матеріалу, у яких установлені штанги, на котрих закріплені еластичні елементи, а до передніх кінців штанг закріплена лінійка.

Захисне демпфірувальне покриття на металевій підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 71622

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Устінов Анатолій Іванович, Лемке Франклін, Мовчан Борис Олексійович

МПК: C23C 14/28, C23C 14/08, F01D 5/12 ...

Мітки: металевій, підкладці, захисне, демпфірувальне, покриття

Формула / Реферат:

1. Захисне демпфірувальне покриття на металевій підкладці, що складається з зовнішнього захисного металокерамічного шару і зв’язуючого шару між металевою підкладкою і зазначеним зовнішнім захисним металокерамічним шаром, яке відрізняється тим, що зв’язуючий шар містить олово, хром і щонайменше один оксид, вибраний із групи, що складається з оксиду магнію, оксиду церію, оксиду цирконію й оксиду алюмінію, з таким співвідношенням компонентів,...

Пристрій для прокатки порошкових матеріалів на металевій підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 60574

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Грибков Едуард Петрович, Сатонін Олександр Володимирович

МПК: B22F 3/18, B22F 3/00

Мітки: пристрій, матеріалів, порошкових, прокатки, підкладці, металевій

Формула / Реферат:

Пристрій для прокатки порошкових матеріалів на металевій підкладці, що включає плиту з пазом глибиною, що дорівнює товщині підкладки, який відрізняється тим, що на плиті на бокових зовнішніх кромках паза закріплені еластичні елементи.

Спосіб виготовлення напівпровідникового елемента з окремо розміщеним в підкладці з’єднувальним елементом, а також напівпровідниковий елемент, виготовлений цим способом

Завантаження...

Номер патенту: 57865

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Браун Хельга, Плаза Гюнтер, Кукс Андреас, Штокан Регіна, Какошке Рональд

МПК: H01L 27/02

Мітки: також, цим, елемента, підкладці, спосіб, виготовлення, виготовлений, способом, елемент, розміщеним, напівпровідникового, окремо, елементом, з`єднувальним, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення напівпровідникового елемента, що містить щонайменше частково розміщену у підкладці з'єднувальну систему, причому він містить щонайменше один розміщений у напівпровідниковій підкладці електропровідний з'єднувальний елемент (24) і щонайменше один розміщений на напівпровідниковій підкладці електропровідний з'єднувальний елемент (14, 18), причому спосіб узгоджений зі способом виготовлення МОН-транзисторів щонайменше двох...

Композиційний зливок для одержання шляхом випаровування функціонально градієнтного покриття із зовнішнім керамічним шаром на металевій підкладці (варіанти)

Завантаження...

Номер патенту: 56228

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Нероденко Леоніла Михайлівна, Мовчан Борис Олексійович, Рудой Юрій Ернстович

МПК: C23C 14/24

Мітки: градієнтного, шляхом, керамічним, металевій, покриття, варіанти, шаром, одержання, композиційний, функціонально, випаровування, зливок, зовнішнім, підкладці

Формула / Реферат:

1. Композиційний зливок для одержання шляхом випаровування функціонально градієнтного покриття із зовнішнім керамічним шаром на металевій підкладці, що має керамічну основу й розміщену в її верхній частині першу вставку, виготовлену із суміші металів або сплавів і оксидів, що мають різну пружність пари при температурі випаровування, який відрізняється тим, що керамічна основа зливка в залежності від потрібної будови градієнтного покриття...

Композиція для отримання захисного градієнтного покриття на металевiй підкладці електронно-променевим випаровуванням і конденсацією у вакуумі

Завантаження...

Номер патенту: 30804

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Мовчан Марина Борисовна, Корж Олександр Вікторович, Рудой Юрій Ернстович

МПК: C23C 14/30, C23C 14/00

Мітки: градієнтного, захисного, електронно-променевим, вакуумі, конденсацією, випаровуванням, композиція, отримання, покриття, металевій, підкладці

Формула / Реферат:

1. Композиція для одержання захисного градієнтного покриття на металевій підкладці електронно-променевим випаровуванням і конденсацією у вакуумі на основі суміші металів і оксидів металів, що мають різну пружність пари при температурі випаровування, яка відрізняється тим, що  композиція як метали містить олово і хром, а як оксиди металів - оксид алюмінію і оксид хрому при такому співвідношенні компонентів (мас %): Sn ...

Спосіб формування на підкладці покриття із складного сплаву, який містить елементи, температура випаровування яких відрізняється більше ніж на 350 с

Завантаження...

Номер патенту: 30124

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Братусь Василій Яковлевич, Лемке Френк, Топал Валерій Іванович, Белявін Олександр Федорович

МПК: C23C 14/00

Мітки: температура, формування, сплаву, елементи, яких, відрізняється, покриття, складного, більше, випаровування, підкладці, спосіб, містить

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування на підкладці покриття із складного сплаву, що містить елементи, температура випаровування яких відрізняється більше ніж на 350˚С, який полягає у розміщенні зливка складного сплаву, що підлягає випаровуванню, у охолоджувальному тиглі, і застосуванні електронного променя як теплового джерела для випаровування компонентів складного сплаву, який відрізняється тим, що до початку випаровування зверху зливка формують...

Спосіб одержання плівок високотемпературного надпровідника yba2 cu3 o7-сігма на сапфіровій підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 36200

Опубліковано: 16.04.2001

Автор: Пустильнік Олег Дмитрович

МПК: C23C 14/28

Мітки: одержання, o7-сігма, сапфіровій, високотемпературного, підкладці, спосіб, надпровідника, плівок

Текст:

...що містить кераміки YВа2Сu3O7-d і GdBa2Cu3O7-d, отримані методом високотемпературного синтезу з оксидів, що мають щільність не менше 5,8 г/см 3. Винахід ілюструється наступними прикладами конкретної реалізації. Приклад 1 Мішень, що складається з двох паралелепіпедів керамік GdBa2Cu3O7-d і YВа2Сu3 O7- d встановлених один на одному, розташовують у тримачі випарювальної камери паралельно поверхні сапфірової підкладки на відстані 1,5-3,0 см....

Спосіб виготовлення металевого малюнка на діелектричній підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 27904

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Александрук Валерій Євгенович, Федотов Дмитро Олексійович, Бих Анатолій Іванович

МПК: H05K 3/10

Мітки: виготовлення, малюнка, металевого, підкладці, діелектричний, спосіб

Текст:

...провідність електропровідних доріжок та забезпечується надійна ІЗОЛЯЦІЯ між ними Таким чином є можливість виключити ймовірність електричного пробою між електропровідними доріжками, що, в свою чергу, CM о о CM 27904 покращує характеристики виробів електронної техніки. Крім цього розчини для хімічного осадження металів, найчастіше, є розчинами одноразової дії. Це знижує коефіцієнт використання дорогих хімікатів при зростанні кількості...

Спосіб отримання на підкладці захисного покриття з градієнтом хімічного складу та структури по товщині з зовнішнім керамічним шаром

Завантаження...

Номер патенту: 17473

Опубліковано: 19.07.1999

Автори: Мовчан Борис Олексійович, Малашенко Ігор Сергійович, Рудий Юрій Ернстович

МПК: B05D 3/06, C23C 14/24

Мітки: зовнішнім, структури, підкладці, спосіб, покриття, отримання, шаром, складу, хімічного, захисного, товщини, градієнтом, керамічним

Формула / Реферат:

1. Способ получения на подложке защитного покрытия с градиентом химического состава и структуры по толщине с внешним керамическим слоем, включающий электронно-лучевой нагрев керамического слитка из стабилизированного диоксида циркония, установленного в водоохлаждаемом тигле, его испарение и последующую конденсацию парового потока на нагретой подложке в вакууме, отличающийся тем, что перед нагревом и испарением слитка осуществляют нагрев и...

Спосіб вимірювання товщини залишкового шару порушеної структури на монокристалічній підкладці діркового телуриду кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 25598

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна, Українець Валентин Остапович

МПК: G01N 27/22

Мітки: телуриду, залишкового, кадмію, шару, спосіб, монокристалічний, структури, порушеної, підкладці, товщини, вимірювання, діркового

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання товщини залишкового шару порушеної структури на монокристалічній підкладці діркового телуриду кадмію, який включає травлення механічно обробленої поверхні діркового телуриду кадмію, який відрізняється тим, що на поверхні діркового телуриду кадмію створюють бар'єр Шотткі із металів з низькою температурою плавлення, вимірюють залежність диференціальної ємності від регульованого постійного зміщення, по якій визначають...

Спосіб виготовлення магнітооптичного носія інформації на скляній підкладці

Завантаження...

Номер патенту: 14411

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Козюба Михайло Михайлович, Ківенко Сергій Анатолійович, Рябоконь Ігор Михайлович, Леонець Володимир Адамович, Крупа Микола Миколайович, Ус Юрій Федорович, Панченко Юрій Анатолійович, Алтухов Сергій Миколайович

МПК: G11B 7/26

Мітки: інформації, виготовлення, магнітооптичного, підкладці, спосіб, носія, скляний

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления магнитооптического носителя информации на стеклянной подложке, включающий нанесение на подложку разметочно­го слоя, резку этого слоя лазерным излучением, нанесение регистрирующего и защитного слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения вы­хода годных и надежности изготавливаемых носи­телей информации на разметочный слой после ла­зерной резки последовательно наносят слой редкоземельного металла толщиной 50 А и...