Спосіб модифікування поверхонь гумотехнічних виробів
Номер патенту: 16804
Опубліковано: 15.08.2006
Автори: Соловйов Станіслав Миколайович, Кротик Іван Олексійович, Мозолюк Володимир Олексійович
Формула / Реферат
Спосіб модифікування поверхонь гумотехнічних виробів на основі бутадієн-нітрильного і фторкаучуку включаючий обробку їх в ємкісному високочастотному розряді при тиску 0,133...13,3Па та нанесення на їх поверхні завдяки плазмохімічній полімеризації мономерного шару, який відрізняється тим, що використовують гумотехнічні вироби з гуми, в склад якої попередньо вводять рівномірно розподілений в ній фторспирт у твердому стані в кількості 1,5...3% від маси каучуку, обробку проводять в ємкісному високочастотному розряді з питомою потужністю 5...15кВт/м3, а мономерний шар наносять газоподібними інгредієнтами фторспирта, отриманими нагрівом і дозованим поданням їх в зону розряду при тиску 0,133...13,3Па.
Текст
Спосіб модифікування поверхонь гумотехнічних виробів, який включає обробку їх в ємнісному високочастотному розряді при тиску 0,133...13,3Па та нанесення на їх поверхні завдяки плазмохіміч 3 16804 4 ною, операцією введення фторвмісної речовини в томої потужності розряду не перевищує 15кВт/м3. склад гуми шляхом механічного перемішування з У результаті скорочується термін процесу, його каучуком до однорідної суміші, із якої відомим споенергоємність та інтенсифікується зріст мономерсобом одержують гумотехнічний виріб. Ця різниця ного шару. в попередній обробці змінює процес утворення Завдяки сукупності вказаних ознак, запропомономерного шару. У відомому способі при взаєнований спосіб скорочує термін процесу модифімодії газоподібного робочого агента з фторвміскування гумотехнічних виробів, знижує його енерною речовиною, що розташовується на поверхні гоємність, забезпечує ріст «прищеплюваного» виробу, утворюється тонкий мономерний шар з шару до 10-2мм та якісно впливає на «зшивку» явно вираженою межею між шаром і основою. У мономерного шару основи, а також виключає позапропонованому способі робочий агент взаємодіє рушення озонового шару Землі. з фторвмісним інгредієнтом, рівномірно розподіДля підтвердження можливості здійснення заленим у складі гуми. Тому робочий агент проникає пропонованого способу зразки гуми у вигляді циліна значно більшу глибину, а між привитим шаром і ндрів діаметром 10±0,5мм і висотою 10±0,2мм основою немає чіткого поділу, що характеризує були одержані по технології відмінній від традиякісну «зшивку» між ними. ційної тим, що до складу гуми при вальцюванні 2) Застосування у запропонованому способі у суміші був введений твердий фторспирт в кількості якості робочого агенту газоподібного фторагента 1,5...3% по масі від кількості каучуку. Зразки помівиключає використання озоноруйнівного фреону і щають в плазмохімічний реактор і при тиску сприяє інтенсифікації процесу модифікації внаслі0,133...13,3Па генерують плазму з питомою потуждок ідентичності робочої речовини і фторвмісної ністю 5...15кВт/м3, включають нагрівний елемент, речовини, що знаходиться у суміші гуми. який переводить твердий фторспирт у газоподіб3) У відомому способі робочий агент подаєтьний стан. У результаті здійснюється «прищепленся у плазмохімічний реактор при тиску 30...90Па. ня» мономерного шару до основи. Внаслідок у міжелектродному просторі підвищуСтійкість гумових зразків до старіння оцінювається тиск, який складав 0,133...13,3Па, тому для лась у відповідності до ГОСТ 9.029-74 згідно з чапідтримання тліючого розряду необхідно збільшусом старіння, протягом якого напруженість в стисвати розрядження, або підвищувати потужність нутих зразках релаксують до 20% від початкової електричного розряду. У запропонованому способі напруженості, при знаходженні їх при підвищеній процес модифікування здійснюється нагрітим до температурі в термостаті. Одержані результати за газоподібного стану фторспирту, в результаті чого відомим і пропонованим способах наведені у табвакуум не змінюється і процес протікає при постійлиці: ному тиску 0,133...13,3Па, а верхня величина пиТаблиця Вид модифікування За відомим способом За запропонованим способом Режими модифікування Робочий агент Суміш фреТиск Питома ону з аміаМарка робочого потужність ком (% гуми агенту в розряду, вміст фрео- Фторспирт розряді, 3 кВт/м ну Ф22 або Па Ф114 у суміші) 30 5 Ф22 (40%) ИРП1078 50 10 Ф114(50%) 90 20 Ф22 (60%) 30 5 Ф 114 (40%) ИРП1287 50 10 Ф22 (50%) 90 20 Ф 114 (60%) 0,133 5 ИРП1078 1,33 10 13,3 15 Газовий 0,133 5 ИРП1287 1,33 10 13,33 15 Використання запропонованого способу модифікування забезпечує у порівнянні із існуючим наступні переваги: скорочення часу модифікування в 1,5...3 раз; Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Загальний Температура Час старіння, час модифістаріння, 0С год. кування, хв 90 60 40 30 60 40 30 125±1 125±1 125±1 150±2 150±2 150±2 150±2 150±2 150±2 180±5 180±5 180±5 60 62 61 85 87 86 82 81 83 134 136 137 Примітка Гладкі поверхні Гладкі поверхні без порушення шару модифікування збільшення в 10-20 разів товщини мономерного шару; збільшення в 1,5 рази часу старіння; виключення застосування озоноруйнувальних речовин. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for modification of surfaces of rubber technical articles
Автори англійськоюSolov’iov Stanislav Mykolaiovych, Mozoliuk Volodymyr Oleksiiovych, Krotyk Ivan Oleksiiovych
Назва патенту російськоюСпособ модификации поверхностей резинотехнических изделий
Автори російськоюСоловьев Станислав Николаевич, Мозолюк Владимир Алексеевич, Кротик Иван Алексеевич
МПК / Мітки
МПК: C08J 7/00
Мітки: виробів, гумотехнічних, спосіб, модифікування, поверхонь
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-16804-sposib-modifikuvannya-poverkhon-gumotekhnichnikh-virobiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб модифікування поверхонь гумотехнічних виробів</a>
Попередній патент: Облицьовувальна плитка
Наступний патент: Антена для зв’язку
Випадковий патент: Спосіб виготовлення світловипромінюючого пристрою на основі нанокристалів кадмій телуриду