Спосіб визначення орієнтації осі легкого намагнічування в магнітооптичних плівках з площинною анізотропією

Изобретение относится к технике измерения параметров магнитных материалов оптическими методами и предназначено для применения в радиоэлектронике, вычислительной технике и други х отраслях. Известен способ определения ориентации оси легкого намагничивания (ОЛН) автогенераторным методом (Разработка методов и аппаратуры неразрушающего контроля толщины монокристаллических пленок феррит-гранатов: Отчет о НИР (закл.) / ДонГУ. - Инв. №02840007221. - Донецк, 1984). Недостатком способа является низкая точность измерения, обусловленная малой величиной индукционного сигнала, особенно при малых величинах намагниченности насыщения магнитооптического материала и при малых его толщинах. Известен также способ определения ориентации оси легкого намагничивания в пленках магнитооптического материала с плоскостной анизотропией (А.с. СССР №1698821, кл. G01R23/17, 15.12.88), заключающийся в протягивании под пленкой магнитной ленты с сигналограммой и воздействии на нее полями рассеяния сигналограммы. При этом на пленке наводится структура намагниченности, аналогичная сигналограмме на ленте. Световой поток лазерного источника падает на пленку под углом к нормали, где дифрагирует на структуре намагниченности. Поворачивая пленку вокруг оси, перпендикулярной поверхности пленки, и одновременно регистрируя интенсивность первого порядка дифракции, фиксируют положение, соответствующее максимуму этой интенсивности. Полученное направление соответствует ориентации ОЛИ вдоль направления движения ленты. Установка пленки по первому, а не по третьему порядку дифракции производится потому, что интенсивность первого порядка гораздо меньше, чем третьего и более высоких, подвержена случайным колебаниям, поэтому ориентация осуществляется точнее. Недостатком прототипа является низкая точность определения направления ОЛН, обусловленная тем, что интенсивность порядков дифракции зависит от расстояния между магнитной лентой и пленкой. Случайные колебания расстояния в процессе поворота пленки приводят к уменьшению точности измерения направления ОЛН. Кроме того, интенсивность первого порядка зависит от направления ОЛН значительно слабее, чем высших, что также снижает точность измерений. В основу изобретения поставлена задача усовершенствования способа определения ориентации оси легкого намагничивания в магнитооптических (МО) пленках с плоскостной анизотропией, в котором за счет увеличения определяемого параметра и снижения влияния случайных изменений расстояния между МО пленкой и носителем записи обеспечивается повышение точности определения направления ОЛН. Поставленная задача решается тем, что в способе определения ориентации оси легкого намагничивания в МО пленках с плоскостной анизотропией, заключающемся в воздействии на МО пленку полями рассеяния магнитной ленты с сигналограммой для наведения в пленке структуры намагниченности, аналогичной сигналограмме на ленте, освещении МО пленки поляризованным лазерным светом под углом полного внутреннего отражения для получения дифракции света на структуре намагниченности в пленке, измерении интенсивности порядков дифракции, повороте МО пленки вокруг оси, перпендикулярной поверхности пленки, регистрации изменения интенсивности порядков дифракции, согласно изобретению измерения интенсивности производят одновременно для 2 го и 3 - го порядков дифракции, находят их соотношение, и по максимуму этого соотношения определяют направление ОЛН. Отличием от прототипа является проведение измерения интенсивности одновременно для 2 - го и 3 - го порядков дифракции, вместо 1 - го порядка у прототипа, и определение направления ОЛН по максимуму этого соотношения, а не по максимуму интенсивности 1 - го порядка, как у прототипа. Интенсивности 2 - го и 3 - го порядков дифракции сильнее зависят от ориентации ОЛН, чем первый. Кроме того, интенсивности 2 - го и 3 го порядков дифракции изменяются в противофазе друг к другу (таблица, интенсивности порядков даны в относительных единицах, ТО интенсивность при ориентации ОЛН перпендикулярно полям рассеяния сигналограммы, ЛО - при ориентации ОЛН вдоль полей рассеяния) при изменении ориентации МО пленки относительно ленты, что увеличивает определяемый параметр - их соотношение. Случайное изменение интенсивности светового сигнала в результате изменения расстояния между МО пленкой и носителем записи в процессе вращения пленки и других случайных причин происходят синхронно, в результате соотношение интенсивностей между 2 - м и 3 - м порядком дифракции изменяется незначительно. Вследствие увеличение определяемого параметра и уменьшения его случайных изменений повышается точность определения направления ОЛН. Из таблицы видно, что соотношение интенсивностей второго и третьего порядка при изменении ориентации ОЛН изменяется значительно сильнее, чем интенсивности порядков. Пример. МО пленку, находящуюся в оптическом подвижном контакте с отражающей гранью призмы полного внутреннего отражения, приводят в контакт с магнитной лентой, на которой записана сигналограмма периодом 50мкм. Поля рассеяния ленты с сигналограммой воздействуют на пленку и индуцируют в ней структуру намагниченности. Освещают пленку поляризованным светом лазера ЛГ-79 под углом 45° к нормали (в материале призмы). Свет дифрагирует на структуре намагниченности. Поворачивают пленку вокруг оси, перпендикулярной поверхности пленки, с шагом, например, l° и измеряют интенсивности порядков дифракции. Находят соотношение интенсивностей 2 - го и 3 - го порядков. По максимуму этого соотношения определяют направление ОЛН. Преимуществом заявляемого способа является более высокая точность определения направления ОЛН. Случайные изменения интенсивности светового сигнала в результате изменения расстояния между МО пленкой и носителем записи в процессе вращения пленки и други х случайных причин происходят синхронно, в результате соотношение между 2 - м и 3 - м порядком дифракции изменяется незначительно. Вследствие увеличения определяемого параметра и уменьшения его случайных изменений повышается точность определения направления ОЛН.