Патенти з міткою «анізотропією»

Номер патенту: 94148

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Михайлова Галина Юріївна, Нищенко Михайло Маркович, Шевченко Микола Якимович

МПК: G01N 27/02

Мітки: анізотропією, електропровідності, спосіб, поперечної, визначення, частинок, порошку, форми

Формула / Реферат:

Спосіб визначення поперечної електропровідності порошку з анізотропією форми частинок, який включає зважування порошку, засипання його в прес-форму, встановлення контакту порошку з рухомими електродами через які пропускають електричний струм з одночасним вимірюванням електропровідності () і густини порошку (

Номер патенту: 7682

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Кріцук Аркадій Антонович, Бабич Іван Юрійович, Озеров Валентин Іванович, Зірка Анатолій Іванович

МПК: F17C 1/00

Мітки: комбінований, анізотропією, властивостей, металопластиковий, міцнісних, балон

Формула / Реферат:

Комбінований металопластиковий балон із анізотропією міцнісних властивостей, який містить внутрішню герметизувальну металеву суцільнотягнену із днищем оболонку і зовнішню силову оболонку, виконану із композиційно-волокнистого матеріалу кільцевим намотуванням з прокладанням через 4-5 шарів тканинного матеріалу і зовнішнього захисного шару, який відрізняється тим, що внутрішня герметизувальна металева оболонка конструкції балона виконана з...

Номер патенту: 56447

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Калитчук Іван Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Рувінський Борис Маркович, Довгий Олег Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-pbte, отримання, спосіб, тонких, високою, термо-е.р.с, анізотропією, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання тонких плівок р-РbТе з високою анізотропією термо-е.р.с. методом гарячої стінки на відколах монокристалів (111) ВаF2 , що здійснюють шляхом вибору вихідної речовини РbТе, нагріву підкладки до температури Тп, випаровування вихідної речовини при Тв, нагрівання стінок камери до Тс, при парціальному тиску пари телуру РTe2, який відрізняється тим, що температура випарника Тв = 820 К, стінок реактора Тс = 850 К, підкладок - Тп =...

Номер патенту: 20302

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Недвига Олександр Степанович, Вишневський Віктор Георгійович, Прокопов Анатолій Романович, Грошенко Микола Олександрович, Вілесов Юрій Федотович, Дубінко Сергій Володимирович, Кудряшов Олександр Леонідович

МПК: G02F 1/01

Мітки: площинною, орієнтації, магнітооптичних, плівках, визначення, спосіб, легкого, намагнічування, осі, анізотропією

Формула / Реферат:

Способ определения ориентации оси легкого намагничивания в магнитооптических пленках с плоскостной анизотропией, заключающийся в воз­действии на магнитооптическую пленку полями рассеяния магнитной ленты с сигналограммой для наведения в пленке структуры намагниченности, аналогичной сигналограмме на магнитной ленте, освещении пленки поляризованным лазерным све­том под углом полного внутреннего отражения для получения дифракции света на...