Спосіб визначення точки роси

Спосіб визначення точки роси, згідно якого збуджують незатухаючі коливання резонатора, при термоелектричному охолодженні вимірюють частоту коливань резонатора і температуру, з яких визначають точку роси, який відрізняється тим, що резонатор виконують у вигляді струни з ниткоподібного напівпровідникового кристала Si-Ge, яку закріплюють на дзеркальній кремнієвій підкладці в деформованому стані, а точку роси визначають при скачкоподібній зміні частоти резонатора. (19) (21) 97125969 (22) 10.12.1997 (24) 16.10.2000 (33) UA (46) 16.10.2000, Бюл. № 5, 2000 р. (72) Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович, Венгер Євген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович, Рак Володимир Степанович (73) ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА", ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ HАH УКРАЇНИ 29026 нюють нагрів її або підкладки в момент кріплення до температури ~100°С. Власна резонансна частота забезпечується геометрією кристала, а також технологією його закріплення. Її можна оцінити за формулою ний процес на резонансній частоті, функціональне перетворення інформації в частотний сигнал. Частотомір показує частоту власних коливань резонатора 1 і її зміну як функцію температури, осцилограф 9 - додатково - картину коливального процесу, зокрема момент стрибкоподібної зміни частоти коливань. Як ниткоподібний напівпровідниковий кристал Si-Ge 2 використовують твердий розчин на основі кремнію (1 ат. % Ge) р-типу провідності з питомим опором ≃ 0,01 Ом×ом і розмірами: довжиною f= 1 2p l 2 ( ) éE 2 2 ù ê C1 r + C 2 l e ú r ë û 1/ 2 , де ℓ - довжина кристала, r - його радіус, E - модуль пружності, r - густина матеріалу, e - відносна деформація розтягу (стиску), C1 і C2 - чисельні коефіцієнти. В такому випадку частота складала 20¸ ¸50 кГц. Охолоджуючи резонатор 1 за допомогою багатокаcкадного термоелектричного холодильника або термокамери (ТК-1) і використовуючи частотомір 8 марки ЧЗ-34 А і осцилограф 9 - СІ-83, одержали чутливість до температури більшу, ніж 20 Гц/град, що дозволило визначати точку роси з точністю більшою ніж 0,05°С. ≃ З мм, діаметром ~25 мкм. Контакти і струмовиводи 3 створюють приварюванням платинового мікродроту до кінців кристала 2, його розташовують на круглій полірованій кремнієвій підкладці 5 з розмірами Æ 6 мм, товщиною ~0,5 мм і закріплюють склоцементом СЦН-52 в точках 4. Відстань ниткоподібного напівпровідникового кристала 2 від підкладки 5 не перевищує 50 мкм. Для створення попередньо деформованого стану струни здійс Фіг. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2002 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 35 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 2