Варшава Славомир Степанович

Номер патенту: 42999

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович

МПК: H02M 7/00

Мітки: змінного, струму, перетворювач

Формула / Реферат:

Перетворювач змінного струму, який містить структуру, що включає резистивну область, ізоляційний шар, термоелектричну область, який відрізняється тим, що вся структура виконана з одного напівпровідникового ниткоподібного елемента p-Si у формі хрестоподібного зростка з двох кристалів - поздовжнього і поперечного, причому поздовжній кристал є резистивною областю, поперечний - термоелектричною, а вузол зростка - ізоляційним шаром.

Номер патенту: 42998

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович

МПК: H03B 7/00

Мітки: низькочастотний, генератор

Формула / Реферат:

Низькочастотний генератор, що містить з'єднані між собою резистори, джерело струму, який відрізняється тим, що резистори виконані у формі «Х»- подібного зростка двох ниткоподібних кристалів Si n-типу з питомим пором » 1,0 Ом×см, а джерело під'єднане до одного з резисторів.

Номер патенту: 43094

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович, Панков Юрій Михайлович

МПК: G01B 5/30, G01B 7/00, G01B 7/16 ...

Мітки: деформації, тензодатчик, динамічної

Формула / Реферат:

Тензодатчик динамічної деформації, що містить чутливий елемент з ниткоподібного напівпровідникового монокристала з точковими контактами на кінцях монокристала і струмовиводами, а також із проміжним точковим контактом, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використано напівпровідник кремній р - типу провідності, легований В та Аu, із питомим опором 0,02 Ом см, а проміжний точковий контакт встановлений зі зміщенням до одного з кінців...

Номер патенту: 41659

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Столярчук Петро Гаврилович, Гінгін Микола Петрович, Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович

МПК: H01L 43/00, G01K 7/32

Мітки: поля, вимірювач, магнітного, температури

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала Si-Ge<Zn>, шар фериту Mn-Zn, який відрізняється тим. що терморезистор виконаний з двох послідовно з'єднаних чутливих елементів і розташований в шарі фериту, який виконано з суміші теплопровідної пасти і порошку фериту, і який нанесений на поверхню датчика...

Номер патенту: 40028

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Юр'єв Сергій Олексійович, Ющук Степан Іванович, Варшава Славомир Степанович, Юрчишин Петро Іванович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Мітки: плівок, методом, епітаксії, рідинно-фазної, спосіб, вирощування, ферит-гранатів, монокристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування   монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення під­кладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворювальних окисидів та розчинника, і осадження плі­вок при заданих температурних режимах,   який   відріз­няється тим, що  як     розчинник беруть суміш оксидів молібдену, вісмуту і свинцю в таких співвідношеннях (мол. %): МоО3 - 5.0-10.0;  Bі2О3 -...

Номер патенту: 40269

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Буджак Ярослав Степанович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: G01N 25/18

Мітки: термоелектричних, кристалів, параметрів, спосіб, визначення, ниткоподібних

Формула / Реферат:

 Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів, що включає створення точкових контактів до ниткоподібного кристала, пропускання стабілізованого струму розігріву, вимірювання різниці потенціалів між контактами і визначення коефіцієнта термо-е.р.с., який відрізняється тим, що ниткоподібному кристалу надають форму хрестоподібного зростка з двох кристалів, до кінців якого і до середини зростка створюють контакти, а струм...

Номер патенту: 40268

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович

МПК: G01R 31/00

Мітки: кристалів, провідності, визначення, типу, спосіб, напівпровідникових, ниткоподібних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований...

Номер патенту: 39072

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович, Шепетюк Володимир Андрійович

МПК: C30B 29/46, C30B 23/02

Мітки: твердого, спосіб, матеріалу, pb(1-x)sn(x)se, отримання, тонкоплівкового, розчину

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонкоплівкового матеріалу твердого розчину Pb1-xSnxSe різного типу провідності методом гарячої стінки шляхом нагрівання підкладки до температури Тп, випаровування вихідної речовини при Тв, нагріванні стінок камери до Тс, додаткового джерела халькогену до Тд, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують твердий розчин Pb1-xSnxSe складу х= 0-0,15, для отримання плівок n-типу підкладку нагрівають до Тп= 423-560...

Номер патенту: 38295

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Дем'ян Мирослав Лукич, Шекета Марія Леонтіївна, Лучко Йосип Йосипович, Суберляк Олег Володимирович, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01L 9/12, G01L 9/00

Мітки: деформації, датчик, ємнісний

Формула / Реферат:

 (21) 2000063562(54) (57)                                                                          Дата прийняття                                                                                        рішення                                                                                        10 квітня 2001р.             Ємнісний датчик деформації, що містить твердий діелектрик, виготовлений з полімеру,...

Номер патенту: 38294

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Лучко Йосип Йосипович, Суберляк Олег Володимирович, Заікіна Ольга Степанівна, Дем'ян Мирослав Лукич, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01L 9/00, G01L 9/12

Мітки: тиску, датчик, ємнісний

Формула / Реферат:

      2000063561 (54) (57)Дата прийняття  рішення 10 квітня 2001р.          Ємнісний датчик тиску, що містить діелектричну плівку, виготовлену з полімеру, металічні електроди, розташовані з протилежних сторін плівки, відвідні контакти, який відрізняється   тим, що як полімер використаний співполімер полівінілового спирту з ефірами метакрилової кислоти.

Номер патенту: 35208

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Дружинін Анатолій Олександрович, Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, сплавів, отримання, термоелектричних, pb1-xinxte:i

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів Pb1-xlnxTe:l, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцевій вакуумованій ампулі і поміщають в двозонну піч, температура першої зони є вищою температури точки плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижча від температури точки плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву, і переміщують у другу зону до...

Номер патенту: 35209

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 11/02

Мітки: плівок, отримання, pвte, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок РbТе шляхом нагріву підкладки до температури Tn=400-600 K, випаровуванні вихідної речовини РbТе при Тв=820 К, нагріві стінок камери до Тс=850 К, відрізняється тим, що вирощені плівки витримують в атмосфері кисню на протязі 0,5 год при тиску PO2=(10-1-10) Па і піддають термічній обробці у вакуумі при ~600 К протягом 1,2 год.

Номер патенту: 35211

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Запухляк Руслан Ігорович, Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: основі, термоелектричних, отримання, сплавів, свинцю, спосіб, олова, телуриду, германію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцевій вакуумованій ампулі і поміщають в двозонну піч, температура першої зони є вищою температури точки плавлення вихідної речовини (~1250 К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання...

Номер патенту: 35210

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Калинюк Михайло Васильович, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: тонких, стінки, плівок, методом, гарячої, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок РbТе методом гарячої стінки шляхом, нагріву підкладки до температури Тп=420-470 К, випаровуванні вихідної речовини РbТе при Тв=820 К, нагріві стінок камери до Тс=850 К, відрізняється тим, що вирощені плівки піддавалися ізохронному відпалу у вакуумі на протязі однієї години при температурі Тi=500 К.

Номер патенту: 35198

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович, Бортнік Галина Миколаївна, Столярчук Петро Гаврилович

МПК: G01N 25/00, G03G 21/00

Мітки: вологості, датчик, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний датчик вологості, що містить чутливий елемент з напівпровідникового ниткоподібного кристала голчастої форми, до якого під'єднані контактні вітки, які є одночасно сухим і вологим термометрами відповідно, і під'єднані до вимірювального приладу, а вістря чутливого елемента перебуває в контакті з пористим змочуваним матеріалом, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконано з кремнію р-типу з питомим опором...

Номер патенту: 33149

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Венгер Евген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович, Варшава Славомир Степанович, Пелех Любов Миколаївна

МПК: H01L 43/06

Мітки: поля, датчик, магнітного

Текст:

...витягнуті HP з 2-а контактами кожен, дозволяв підвищити багатократно чутливість датчика» оскільки практично не Існує обмежень на їх КІЛЬКІСТЬ , те хнологія їх виготовлення в набагато простіша, ніж елементів лолла, оскільки не Існує проблеми холдЕвських контактів, що особливо важливо для мікрокристалів, якими в ниткопо діб ні кристали. Окрім цього, встановлення МР на кільцевому фериті дозволяє сумістити функції підкладки І концентратора...

Номер патенту: 33148

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Венгер Евген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович, Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович

МПК: H01L 43/00, G01K 7/00

Мітки: датчик, температури, вимірювання, магнітного, поля

Текст:

...Х-и,5 з питомим опором 5ии-Іши Омш контакти створені з привареного лудженого мідного дроту, закріпленого ІНДІЄМ. встановлено, що виготовлення чутливого елемента датчика а пресованого марганець-цинкового фериту даного складу І питомого опору *абе»~ печуе добру температурну чутливість датчика в Інтервалі U».,+IOU°C s коефіцієнтом тК0-£ 5&/R, а також його чутливість до магнітних полів s коефіцієнтом^^ Ом /тл дз Оскільки...

Номер патенту: 33147

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Набитович Йосиф Дмитрович, Сусол Петро Іванович

МПК: H01C 17/075, C23C 14/26

Мітки: термічним, отримання, резистивним, тонких, спосіб, плівок, ванадієвих, нагрівом

Текст:

...заповнюють двома І більше ванадієвими стрічками,при цьому температуру випар-* нику задають в межах 1850 - 20S0 °С» температуру підкладки * ЗЬО - *Ю0 °С ,а глибина вакууму складав 9,3« І О" 5 Па, запропонована конструкція випарника дозволяв проводити процес випаровування при температурах 1850 - 20Ь0 °С»розміщення наваж* ки » ванадієвої стрічки по всі* довжині робочої частини вольфра* у О/ тервалі температур І швидкосте* випарру:вання...

Номер патенту: 33040

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Ющук Степан Іванович, Варшава Славомир Степанович, Юр'ев Сергій Олексійович, Юрчишин Петро Іванович

МПК: C30B 19/00, H01F 10/10

Мітки: доменами, циліндричними, вирощування, спосіб, епітаксійних, магнітними, плівок, ферит-гранатів

Номер патенту: 33039

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Ющук Степан Іванович, Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01R 21/00

Мітки: детектор, нвч-випромінювання

Текст:

...На фіг. зображений детектор НВЧ-випромІнювання, де ЧВ --ї , контакти - 2, струмопідводи - 3, феритові кільця - 4 . ( детектор НВЧ-випромінювання містить ЧЕ А. з напівпровідникового ниткоподібного монокристала твердого розчину$Li-x &&xскладу х=и,і)І, легованого/# І Аб/ , з питомим опором и,7 Ом,см, з контактами- 2 та струмопідводаьй- 3; на ЧЕ- І встановлені ферлтоБІ кільця- 4. Феритові кільця - 4 можуть мати форму тороїдальних...

Номер патенту: 31810

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, чотирьохкомпонентного, а-4, отримання, розчину, сполук, основі, твердого, в-6

Текст:

...-768 с). Однак, ці способи їх отримання складні, дорогі, не дозволяють плавно керувати електричними і термоелектричними параметрами. Найбільш близькими до запропонованого винаходу є спосіб отримання чотирьохкомпонентного твердого розчину на основі сполук А^В^ , який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовану в кварцевій вакуумованій ампулі, поміщають у двохзонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення...

Номер патенту: 31815

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Прохорович Анатолій Вікторович, Венгер Евген Федорович, Возний Орест Зеновійович, Шкумбатюк Петро Степанович

МПК: G01N 19/00, G01N 27/12, G01K 7/00 ...

Мітки: терморезистивного, напівпровідникового, виготовлення, спосіб, датчика

Текст:

...аморфного сплаву QeTe , відокремлюють підкладку І на сплав наносять з про тилежних сторін [п -контакти. Використання лазерної технологїі сплавлення пластинки Тв підкладкою Н-Оє з при певних режимах дозволяє порівняно просто одержати аморфний ибТє , який є основою для створення напівпровідникового тернорезистивного датчика; нові властивості аморфного сплаву забезпечують те, що датчик, крім температури, може вимірювати І другий...

Номер патенту: 31812

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 15/10

Мітки: pbte-snte, твердого, спосіб, розчину, отримання

Текст:

...параметрами. Найбільш близькими до запропонованого винаходу є спосіб отримання твердого розчину PbTe-SnTe, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовують в графітовому поршні і поміщають в двохзонну піч, температура першої" зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони € нижчою від температури плавлення вихідної речовини, поршень з вихідною речовиною перемішують з першої зони у...

Номер патенту: 31811

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 15/10

Мітки: отримання, розчину, sn-in-tе, твердого, спосіб

Текст:

...нижчою від температури плавлення вихідної речовини, поршень з вихідною речовиною переміщують з першої зони у другу з швидкістю біля 25 мм/хв і обертаючи його при цьому із швидкістю І з оо/хв до здійснення кристалізації, іщішиди LUL щм^щіГшшдну речовину Sn-In-Te вибирають з перерізом Встановлено, що при 2,8 ат. % In твердий розчин Бпо^Те-ІфТез має максимальні значення термоефективності а2а> що дає можливість за рахунок певного вмісту In...

Номер патенту: 28394

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Прохорович Анатолій Вікторович, Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович, Венгер Євген Федорович

МПК: G01B 7/00, G01K 7/16, H01L 43/00 ...

Мітки: багатофункціональний, датчик

Формула / Реферат:

1. Багатофункціональний датчик, що містить чутливий елемент з ниткоподібного напівпровідникового монокристала, точкові контакти, який відрізняється тим, що чутливий елемент виготовлено з голчастого монокристала твердого розчину Si1-хGex складу х=0,05, легованого Zn, з питомим опором 0,5 Ом.см, чутливий елемент складається з 3-х частин, утворених 4-а точковими контактами так, що частина з сторони більшого поперечного перерізу використана як...

Номер патенту: 28393

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Венгер Євген Федорович, Ющук Степан Іванович, Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович, Прохорович Анатолій Вікторович

МПК: H01L 43/08, G01K 7/32

Мітки: вимірювач, магнітного, температури, поля

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала, розташовані на підкладці, який відрізняється тим, що датчик магнітного поля виконано у вигляді магніторезистора з питомим опором матеріалу 0,01 Ом.см, терморезистор - з твердого розчину Si-Ge<Zn> з питомим опором 0,6-1,0 Oм.cм, а підкладку - з...

Номер патенту: 29027

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Вайнберг Віктор Володимирович, Варшава Славомир Степанович, Бортнік Галина Миколаївна, Венгер Євген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович

МПК: G01K 7/16, G05D 23/20, H01L 43/08 ...

Мітки: сенсор, hизькотемпературний

Формула / Реферат:

Низькотемпературний сенсор, що містить чутливий елемент з напівпровідникового ниткоподібного кристала з під’єднаними струмовиводами, розташований на підкладці, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконано з телуру з питомим опором 0,6 Ом. см при 300 К, а відношення діаметра до довжини становить 0,05-0,1.

Номер патенту: 29026

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Прохорович Анатолій Вікторович, Байцар Роман Іванович, Рак Володимир Степанович, Варшава Славомир Степанович, Венгер Євген Федорович

МПК: G01N 25/56, G01N 25/64

Мітки: точки, спосіб, визначення, роси

Формула / Реферат:

Спосіб визначення точки роси, згідно якого збуджують незатухаючі коливання резонатора, при термоелектричному охолодкелні вимірюють частоту коливань резонатора і температуру, з яких визначають точку роси, який відрізняється тим, що резонатор виконують у вигляді струни з ниткоподібного напівпровідникового кристала Si-Ge, яку закріплюють на дзеркальній, кремнієвій підкладці в деформованому стані, а точку роси визначають при скачкоподібній зміні...

Номер патенту: 25599

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Варшава Славомир Степанович, Костюк Петро Степанович, Ющук Степан Іванович

МПК: H01F 41/14, H01F 10/08

Мітки: залізо-ітрієвого, спосіб, плівок, заміщеного, гранату, епітаксійних, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних плівок заміщеного залізо-ітрієвого гранату методом рідкофазної епітаксії, що включає занурення підкладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворюючих окислів Fe2O3, Y2O3, La2O3 і розчинника PbO, B2O3 і осадження плівок при заданих режимах, який відрізняється тим, що в склад суміші додають Sc2O3 і вміст окислів в суміші беруть, моль. %: PbO - 81,021; В2O3 - 5,184; Fe2O3 - 13,265;...

Номер патенту: 25786

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Варшава Славомир Степанович, Шепетюк Володимир Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Белей Мирон Іванович, Байцар Роман Іванович

МПК: C30B 29/46

Мітки: snте)х, спосіб, плівок, епітаксійних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних плівок (SnTe)x(PbSe)1-x шляхом нагріву підкладки до температури Tп, випаровування вихідної речовини при Tв, нагріву стінок реактора до Tс, додаткового джерела халькогену до Tд, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а як вихідну речовину - суміш компонентів SnTe i PbSe при х = 0,7, причому підкладку нагрівають до Tп = 570 - 630К, суміш компонентів випаровують при Tв = 820К, стінки...

Номер патенту: 25785

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Шепетюк Володимир Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Буджак Ярослав Степанович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 29/46

Мітки: вирощування, епітаксійних, спосіб, snте)х, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних шарів (SnTe)x(PbSe)1-x, що включає нагрів вихідної речовини до температури Tв, стінок реактора до Tс, підкладки до Tп, який відрізняється тим, що як матеріал підкладки використовують BaF2, а вихідною речовиною служить синтезований полікристалічний твердий розчин (SnTe)x(PbSe)1-x, для одержання шарів n-типу провідності його склад вибирають при x до 0,2, для одержання шарів p-типу провідності x = 0,2 - 1,0,...

Номер патенту: 21771

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Карасьов Олексій Павлович, Варшава Славомир Степанович, Новицький Данило Миколайович, Байцар Роман Іванович

МПК: G01K 5/00

Мітки: термоаhемометр, hапівпровідhиковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий термоанемометр, який містить чутливий елемент з ниткоподібного моно­кристала твердого розчину Si-Ge з електричними контактами, струмовиводами, держак, електрич­ну вимірювальну схему, який відрізняється тим, що контакти виготовлені випрямними, причому в твердому розчині Si-Ge вміст Ge становить 0,01, і питомий опір монкристала рівний або перевищує 4 Ом • см.

Номер патенту: 15098

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Островська Анастасія Степанівна, Байцар Роман Іванович, Пелех Любов Миколаївна, Варшава Славомир Степанович, Нечипорук Ірина Євгенівна

МПК: H01L 31/02

Мітки: фотоелектричний, перетворювач

Формула / Реферат:

Фотоелектричний перетворювач, що містить чутливий елемент з напівпровідникового монокристала з електричними контактами, який відрізняється тим, що чутливий елемент виготовлений з твердого розчину  складу   з питомим опором  з величиною конусності  один з електричних контактів приєднаний безпосередньо до торця чутливого елемента, а другий - зміщений відносно протилежного кінця чутливого елемента на  де  - довжина кристала.

Номер патенту: 11226

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Островська Анастасія Степанівна, Щербай Константин Степанович, Воронін Валерій Олександрович, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01L 11/00, G01L 9/02

Мітки: датчик, тиску

Формула / Реферат:

(57) Датчик давления, содержащий диэлектрическую подложку, на которой размещен полупроводниковый чувствительный элемент на основе твердого раствора GaAs1-xPx (x -= 0,4) с электрическими контактами, отличающийся тем, что в нем чувствительный элемент выполнен в виде нитевидного кристалла, при этом твердый раствор GaAs1-xPx легирован медью сконцентрацией носителей 2*1013-8*1013 см3.

Номер патенту: 9808

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Варшава Славомир Степанович, Чєкаєв Анатолій Міхайловіч, Пелех Любов Миколаївна, Щербай Костянтин Степанович

МПК: G01K 7/16

Мітки: температури, датчик

Формула / Реферат:

(57) Датчик температуры, содержащий чувствительный элемент из нитевидного монокристалла GaAs с электрическими выводами, каждый из которых выполнен из двух проводников разного поперечного сечения, и наполнитель, размещенные в полости герметизированного корпуса, отличающийся тем, что одна из граней нитевидного монокристалла покрыта графитом, его электрические выводы закреплены на стенках корпуса, выполненного из монокристаллического корунда, а...

Номер патенту: 1294

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Варшава Славомир Степанович, Стельмах Олег Богданович, Потапчук Галина Миколаївна, Чекурін Василь Феодосійович

МПК: G01P 5/10

Мітки: швидкості, датчик, термоелектричний, потоку

Формула / Реферат:

Термоэлектрический датчик скорости потока, содержащий терморезистор, включенный в измерительную схему, защитный экран и источник тока, отличающийся тем, что в него введены ограничительный резисторный вольтметр постоянного тока с параллельно подключенным к нему конденсатором, причем вольтметр постоянного тока последовательно соединен в ограничительным резистором и терморезистором, при этом защитный экран выполнен в виде цилиндрического...